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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	电流 -最大	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f
JANTXV1N5619	9.4200	RFQ	9158	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N5619	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			600 v	1.6 V @ 3 A	250 ns	500 NA @ 600 V	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 12V，1MHz
1月1N6774	-	RFQ	3719	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-257-3		标准		TO-257	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			50 V	1.15 V @ 15 A	35 ns	10 µA @ 800 mV	-65°C〜150°C	15a	300pf @ 5V，1MHz
MPP4201-206/tr	4.3800	RFQ	3931	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜150°C		0402（（1005公制）	MPP4201			0402	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MPP4201-206/tr	Ear99	8541.10.0070	1,000										0.2pf @ 10V，1MHz	PIN-单	70V			2.5OHM @ 20mA，100MHz
JANS1N6320U	211.0400	RFQ	46	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b	1N6320		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		2 µA @ 4 V						6.8 v	3欧姆
1N4476C	17.7000	RFQ	7538	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	下载			到达不受影响	150-1N4476C	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		50 NA @ 24 V						30 V	20欧姆
JANTX1N6337	12.4350	RFQ	2674	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6337		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 na @ 27 V						36 V	50欧姆
JANTX1N4126D-1/TR	17.9816	RFQ	6943	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4126D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 38.8 V						51 v	300欧姆
1N4150ur-1/tr	1.4000	RFQ	9975	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-213aa	1N4150	标准		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	676	小信号= <200ma（io（io），任何速度			50 V	1 V @ 200 MA	4 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜175°C	200mA	-
JANTX1N6642U	7.2750	RFQ	6568	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，E	1N6642	标准		D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			75 v	1.2 V @ 100 ma	20 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	5pf @ 0v，1MHz
CD3821	4.0650	RFQ	7689	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	死			1 w	死	-			到达不受影响	150-CD3821	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V						3.3 v	10欧姆
SMBJ5385CE3/TR13	1.0800	RFQ	3011	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5385		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 122 V						170 v	380欧姆
1N5370AE3/TR8	2.6250	RFQ	7417	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5370		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 40.3 V						56 v	35欧姆
LXS101-23-3	6.7350	RFQ	2410	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C〜125°C		TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	LXS101			SOT-23-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-LXS101-23-3	Ear99	8541.10.0060	1		1 a	250兆							1pf @ 0v，1MHz	肖特基 -1对公共阳极	8V			-
SBR6050	148.2150	RFQ	6803	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		肖特基		DO-5（do-203ab）	-			到达不受影响	150-SBR6050	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			50 V	700 mv @ 60 a		2 ma @ 50 V	-55°C〜150°C	60a	-
BZV55C2V7	2.9400	RFQ	4260	微芯片技术	-	大部分	积极的	±7％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	BZV55C2V7			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		20 µA @ 1 V						2.7 v
JANS1N5807/TR	25.7850	RFQ	4447	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/477	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N5807/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			50 V	875 mv @ 4 A	30 ns		-65°C〜175°C	6a	-
JANS1N4963	80.9550	RFQ	7916	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		5 µA @ 12.2 V						16 V	3.5欧姆
JANTX1N4370D-1/TR	12.4089	RFQ	1480	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4370D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V						2.4 v	30欧姆
JANTXV1N4964DUS	27.0600	RFQ	1841年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4964DUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		5 µA @ 13.7 V						18 V	4欧姆
1N1190	74.5200	RFQ	1097	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N1190	标准		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N1190MS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）			600 v	1.4 V @ 110 A		10 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	35a	-
JANS1N4957US/TR	107.9502	RFQ	7893	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4957US/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		25 µA @ 6.9 V						9.1 v	2欧姆
1月1N4133-1	3.5250	RFQ	3096	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4133			DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 66.2 V						87 v	1000欧姆
1 PMT5933B/TR7	2.2200	RFQ	1819年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 16.7 V						22 v	17.5欧姆
JANTX1N6663	358.1400	RFQ	2	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/587	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6663	标准		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			600 v	1 V @ 400 MA		50 NA @ 600 V	-65°C〜175°C	500mA	-
MBR2090CTE3/TU	-	RFQ	9818	微芯片技术	*	管子	积极的					MBR2090				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,000
CD5364	5.6700	RFQ	5737	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜200°C	表面安装	死			5 w	死	-			到达不受影响	150-CD5364	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		500 NA @ 25.1 V						33 V	10欧姆
S4350	112.3200	RFQ	3278	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	下载			到达不受影响	150-S4350	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）			500 v	1.1 V @ 200 A		50 µA @ 500 V	-65°C 〜200°C	150a	-
1n823ur-1/tr	4.9500	RFQ	6714	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N823UR-1/tr	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V						6.2 v	15欧姆
JAN1N759DUR-1	14.2500	RFQ	2074	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N759		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9 V						12 v	30欧姆
JANTXV1N4961CUS/TR	26.5800	RFQ	3725	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANTXV1N4961CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		10 µA @ 9.9 V						13 V	3欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²