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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	电流 -最大	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f	电容比条件	q @ vr，f
JANTXV1N4371A-1/TR	5.6259	RFQ	4919	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4371A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		60 µA @ 1 V						2.7 v	30欧姆
1N4944/tr	9.0600	RFQ	1206	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4944/tr	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			400 v	1.3 V @ 1 A	150 ns	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	35pf @ 12V，1MHz
1N4050	158.8200	RFQ	6652	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	下载			到达不受影响	150-1N4050	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）			400 v	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 400 V	-65°C 〜190°C	275a	-
1N827UR-1	10.3950	RFQ	4664	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N827		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V						6.2 v	15欧姆
UZ7718	468.9900	RFQ	2989	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	螺柱			10 W	轴向	-			到达不受影响	150-UZ7718	Ear99	8541.10.0050	1							20 µA @ 13.7 V						18 V	3.5欧姆
SMBJ5940C/TR13	2.0850	RFQ	1056	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5940		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 32.7 V						43 V	53欧姆
CD3821	4.0650	RFQ	7689	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	死			1 w	死	-			到达不受影响	150-CD3821	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V						3.3 v	10欧姆
JAN1N4627C-1/TR	8.6317	RFQ	3364	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4627C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 5 V						6.2 v	1200欧姆
CDLL3016B	16.1100	RFQ	3183	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3016		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 5.2 V						6.8 v	3.5欧姆
1N5925BUR-1/TR	3.7772	RFQ	3063	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			1.25 w	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5925BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 8 V						10 v	4.5欧姆
JANTX1N6642UBCC/TR	26.0813	RFQ	1012	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅		标准		UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N6642UBCC/tr	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			75 v	1.2 V @ 100 ma	20 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	-
SMBJ5949C/TR13	2.0850	RFQ	6658	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5949		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 76 V						100 v	250欧姆
KVX2162-23-0/TR	7.6500	RFQ	6618	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜125°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	KVX2162			SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000										26pf @ 0v，1MHz	单身的	22 v				-	400 @ 4V，50MHz
JANTXV1N6322U	39.7350	RFQ	5550	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b	1N6322		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		1 µA @ 6 V						8.2 v	5欧姆
jankca1n5542b	-	RFQ	6691	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANKCA1N5542B	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 21.6 V						24 V	100欧姆
1N4749CPE3/TR8	1.1550	RFQ	5018	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4749		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 18.2 V						24 V	25欧姆
JANTXV1N6310D	45.0600	RFQ	8795	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6310		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		60 µA @ 1 V						2.7 v	30欧姆
JAN1N6634CUS	-	RFQ	2929	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		175 µA @ 1 V						3.9 v	2欧姆
JANTX1N969CUR-1/TR	14.9359	RFQ	2798	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N969CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 17 V						22 v	29欧姆
1N4700	4.3050	RFQ	3923	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.8 V						13 V
JANTX1N7050UR-1	10.8150	RFQ	6704	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
CD3826	4.0650	RFQ	2813	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	死			1 w	死	-			到达不受影响	150-CD3826	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V						5.1 v	7欧姆
1 PMT4121E3/TR7	0.4950	RFQ	9259	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4121		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 25.08 V						33 V	200欧姆
1N6666R	201.0900	RFQ	4696	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-257-3		标准，反极性		TO-257	-			到达不受影响	150-1N6666R	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			200 v	1 V @ 6 A	35 ns	75 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	10a	100pf @ 10V，1MHz
Jan1n2971b	-	RFQ	9535	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		100 µA @ 5.7 V						7.5 v	1.3欧姆
JANTXV1N3022CUR-1/TR	41.0438	RFQ	7117	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3022CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 9.1 V						12 v	9欧姆
JANTX1N4992US/TR	22.2900	RFQ	5288	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANTX1N4992US/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 206 V						270 v	800欧姆
CDLL4740A/TR	3.4048	RFQ	1470	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf				do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4740A/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 7.6 V						10 v	7欧姆
LXP1002-23-2	8.0400	RFQ	5	微芯片技术	-	包	积极的		-55°C〜125°C		TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	LXP1002			SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0060	1		100 ma	250兆							0.32pf @ 50V，1MHz	引脚-1对系列连接	50V			4ohm @ 100mA，100MHz
JANTXV1N2977B	-	RFQ	2398	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 9.9 V						13 V	3欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²