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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N6346US	14.6400	RFQ	9363	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b	1N6346		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 62 V				82 v	220欧姆
1N3308RB	49.3800	RFQ	1973	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3308		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		25 µA @ 6.1 V				9.1 v	0.5欧姆
1月1N4977	-	RFQ	1645年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向			5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 47.1 V				62 v	42欧姆
JANTXV1N4493D	41.2350	RFQ	2853	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4493D	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 NA @ 120 V				150 v	700欧姆
1N3176	216.8850	RFQ	1598年	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	1N3176	标准		DO-205AB（DO-9）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3176MS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1400 v	1.25 V @ 240 A		75 µA @ 1400 V	-65°C 〜200°C	240a	-
JANTXV1N4977D	23.4600	RFQ	4662	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4977D	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 47.1 V				62 v	42欧姆
CD5712V	1.8900	RFQ	4710	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	死		肖特基		死	-			到达不受影响	150-CD5712V	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	16 V	1 V @ 35 MA		150 na @ 16 V	-55°C〜125°C	35mA	1.2pf @ 0v，1MHz
JANS1N936B-1	443.9400	RFQ	8507	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/156	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANS1N936B-1	Ear99	8541.10.0050	1									9 V	20欧姆
CDS759A-1	-	RFQ	3210	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS759A-1	Ear99	8541.10.0050	50
CDLL5224B	2.8650	RFQ	6135	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5224		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		75 µA @ 1 V				2.8 v	30欧姆
CDLL4901A	58.8600	RFQ	8299	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4901		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 8 V				12.8 v	200欧姆
1N3338RB	49.3800	RFQ	6940	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3338		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 62.2 V				82 v	11欧姆
JANTXV1N4991	19.9650	RFQ	1862年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4991		5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 25.1 V				240 v	650欧姆
1N3825AR-1/TR	8.9400	RFQ	9695	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1.5 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-					Ear99	8541.10.0050	108			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V				4.7 v	8欧姆
JANS1N4475D	258.8850	RFQ	4493	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 21.6 V				27 V	18欧姆
1N5934E3/TR13	0.9900	RFQ	5141	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5934		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 18.2 V				24 V	19欧姆
1N5519CUR-1	12.9600	RFQ	2755	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-1N5519CUR-1	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				3.6 v	24欧姆
JANTXV1N6311CUS	54.8400	RFQ	8150	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6311		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		30 µA @ 1 V				3 V	29欧姆
1N6627U	15.0450	RFQ	6597	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，E		标准		D-5B	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.5 V @ 4 A	30 ns	2 µA @ 400 V	-	4a	-
JANTX1N6345C	29.2350	RFQ	5704	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANTX1N6345C	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 56 V				75 v	180欧姆
CDLL5247B/TR	2.7132	RFQ	5266	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf				do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5247B/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 13 V				17 V	19欧姆
1N4050	158.8200	RFQ	6652	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	下载			到达不受影响	150-1N4050	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 400 V	-65°C 〜190°C	275a	-
1 PMT4133/TR13	-	RFQ	7955	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4133		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 66.12 V				87 v	250欧姆
cdll963be3/tr	4.1100	RFQ	9567	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL963BE3/tr	Ear99	8541.10.0050	231			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V				12 v	11.5欧姆
JAN1N5529C-1	14.1300	RFQ	4713	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5529		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 8.2 V				9.1 v	45欧姆
1N6328DUS	36.5850	RFQ	9584	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-1N6328DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 11 V				15 v	10欧姆
SMBJ5940C/TR13	2.0850	RFQ	1056	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5940		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 32.7 V				43 V	53欧姆
JANTXV1N6344CUS	57.1050	RFQ	1439	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JANTXV1N6344CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 52 V				68 v	155欧姆
1N6030UR	3.5850	RFQ	2691	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6030				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JANTX1N7050UR-1	10.8150	RFQ	6704	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²