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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	电流 -最大	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f	电容比	电容比条件	q @ vr，f
CDLL3826A	10.1250	RFQ	5632	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3826		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V						5.1 v	7欧姆
JANTX1N4116CUR-1	24.3150	RFQ	4489	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4116		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18.3 V						24 V	150欧姆
1N6030UR	3.5850	RFQ	2691	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6030				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JANTXV1N5619	9.4200	RFQ	9158	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N5619	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			600 v	1.6 V @ 3 A	250 ns	500 NA @ 600 V	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 12V，1MHz
1月1N6774	-	RFQ	3719	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-257-3		标准		TO-257	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			50 V	1.15 V @ 15 A	35 ns	10 µA @ 800 mV	-65°C〜150°C	15a	300pf @ 5V，1MHz
JANTX1N6642U	7.2750	RFQ	6568	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，E	1N6642	标准		D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			75 v	1.2 V @ 100 ma	20 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	5pf @ 0v，1MHz
1月1N4133-1	3.5250	RFQ	3096	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4133			DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 66.2 V						87 v	1000欧姆
JANTX1N6663	358.1400	RFQ	2	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/587	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6663	标准		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			600 v	1 V @ 400 MA		50 NA @ 600 V	-65°C〜175°C	500mA	-
1N5370AE3/TR8	2.6250	RFQ	7417	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5370		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 40.3 V						56 v	35欧姆
SBR6050	148.2150	RFQ	6803	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		肖特基		DO-5（do-203ab）	-			到达不受影响	150-SBR6050	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			50 V	700 mv @ 60 a		2 ma @ 50 V	-55°C〜150°C	60a	-
CDLL3157/tr	62.1000	RFQ	3735	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±4.76％	-55°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL3157/tr	Ear99	8541.10.0050	1							10 µA @ 5.5 V						8.4 v	15欧姆
1N4618UR3	3.6000	RFQ	1454	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载			到达不受影响	150-1N4618URE3	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 1 V						2.7 v	1500欧姆
JANTX1N6326CUS	46.3350	RFQ	8656	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JANTX1N6326CUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		1 µA @ 9 V						12 v	7欧姆
MSASC75W100F	-	RFQ	7617	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™4		肖特基		Thinkey™4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			100 v	920 MV @ 75 A		500 µA @ 100 V	-55°C 〜175°C	75a	-
1N5239B	2.7600	RFQ	7244	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5239		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N5239BMS	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		3 µA @ 7 V						9.1 v	10欧姆
CDLL5918B	3.9300	RFQ	6747	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5918		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V						5.1 v	4欧姆
S504120T	158.8200	RFQ	6647	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	-			到达不受影响	150-S504120T	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）			1200 v	1.25 V @ 1000 A		75 µA @ 1200 V	-65°C 〜200°C	300A	-
KV2111-02	-	RFQ	7888	微芯片技术	-	托盘	积极的		-55°C〜150°C	-	-				-	-			到达不受影响	150-KV2111-02	Ear99	8541.10.0080	1										0.25pf @ 20V，1MHz	单身的	22 v				4	C4/C20	1200 @ 4V，50MHz
1 PMT4106CE3/TR7	0.4950	RFQ	9539	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.12 V						12 v	200欧姆
JANTXV1N990B-1/TR	-	RFQ	6570	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N990B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 122 V						160 v	1.7欧姆
UM7104B	-	RFQ	8645	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C〜175°C		轴向				轴向	-			到达不受影响	150-UM7104BTR	Ear99	8541.10.0060	1			5.5 w							1.2pf @ 100V，1MHz	PIN-单	400V			600MOHM @ 100mA，100MHz
1N5272B	2.7265	RFQ	8552	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5272B	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		100 na @ 84 V						110 v	750欧姆
1N754D	5.5800	RFQ	3057	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响	150-1N754D	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 1 V						6.8 v	5欧姆
BZV55C2V4/TR	2.7664	RFQ	2996	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±8％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）				do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-BZV55C2V4/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 µA @ 1 V						2.4 v
MPP4201-206/tr	4.3800	RFQ	3931	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜150°C		0402（（1005公制）	MPP4201			0402	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MPP4201-206/tr	Ear99	8541.10.0070	1,000										0.2pf @ 10V，1MHz	PIN-单	70V			2.5OHM @ 20mA，100MHz
1月1N6314	9.5100	RFQ	6354	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6314		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		2 µA @ 1 V						3.9 v	23欧姆
1N3012RB	40.3200	RFQ	3238	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3012		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 121.6 V						160 v	200欧姆
LXS201-23-2/tr	5.7900	RFQ	2407	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜125°C		TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	LXS201			SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		1 a	250兆							0.3pf @ 0v，1MHz	肖特基 -1对系列连接	3V			-
JANS1N4571AUR-1/TR	163.8300	RFQ	4113	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4571AUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V						6.4 v	100欧姆
JANTXV1N4371A-1/TR	5.6259	RFQ	4919	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4371A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		60 µA @ 1 V						2.7 v	30欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²