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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
CDLL4579/tr	29.8800	RFQ	9469	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	0°C〜75°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4579/tr	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V					50欧姆
CDLL5242B	3.2100	RFQ	112	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5242		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V				12 v	30欧姆
CDLL5238B/TR	2.7132	RFQ	4067	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5238B/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 6.5 V				8.7 v	8欧姆
Jan1n5529d-1	17.6700	RFQ	3120	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5529		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 8.2 V				9.1 v	45欧姆
JANTXV1N4956DUS	33.0450	RFQ	6049	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4956DUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		50 µA @ 6.2 V				8.2 v	1.5欧姆
1N5364/TR8	2.6250	RFQ	5504	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5364		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 23.8 V				33 V	10欧姆
JANS1N4132C-1/TR	63.1902	RFQ	9541	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4132C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 62.4 V				82 v	800欧姆
Jan1n3044bur-1	12.7350	RFQ	7272	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3044		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 76 V				100 v	350欧姆
JAN1N6349CUS/TR	63.8550	RFQ	8445	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JAN1N6349CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 84 V				110 v	500欧姆
CD4740	2.0700	RFQ	3915	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	死			1 w	死	-			到达不受影响	150-CD4740	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		3 µA @ 7.6 V				10 v	7欧姆
JANTXV1N6304	-	RFQ	6829	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		1.18 V @ 150 A	60 ns	25 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	70a
30HFU-300	93.8250	RFQ	8131	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-203AB（DO-5）	-			到达不受影响	150-30HFU-300			1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		300 v					-65°C〜175°C	-	-
APT2X101D60J	28.9900	RFQ	391	微芯片技术	-	管子	积极的			底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT2X101	标准		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	2独立	600 v	100a	1.8 V @ 100 A	180 ns	250 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C
JANTX1N5534BUR -1/tr	13.2202	RFQ	1746年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5534BUR -1/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 12.6 V				14 V	100欧姆
JANTX1N5543BUR-1	14.7600	RFQ	9223	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5543		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.4 V				25 v	100欧姆
1N821UR-1/tr	4.4100	RFQ	6948	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N821UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.2 v	15欧姆
UZ5138	32.2650	RFQ	3779	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-			到达不受影响	150-UZ5138	Ear99	8541.10.0050	1							5 µA @ 289 V				380 v	1500欧姆
1N6079US	36.6150	RFQ	3302	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，G	1N6079	标准		G-MELF（D-5C）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		1.5 V @ 37.7 A	30 ns	10 µA @ 50 V	-65°C〜155°C	2a	-
JANTX1N4131-1	-	RFQ	9462	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 57 V				75 v	700欧姆
1N5369AE3/TR12	2.6250	RFQ	8139	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5369		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 36.7 V				51 v	27欧姆
JANTX1N4105DUR-1	30.9000	RFQ	9814	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4105		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 8.5 V				11 V	200欧姆
JANTXV1N6317D	45.0600	RFQ	3449	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6317		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		5 µA @ 2 V				5.1 v	14欧姆
JANTXV1N4618C-1/TR	13.2335	RFQ	3729	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4618C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 1 V				2.7 v	1500欧姆
1N935AE3/tr	5.9250	RFQ	8844	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	-			到达不受影响	150-1N935AE3/tr	Ear99	8541.10.0050	160											9 V	20欧姆
CDLL4918	121.1400	RFQ	4815	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4918		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							15 µA @ 12 V				19.2 v	600欧姆
1N992B/tr	9.2967	RFQ	8718	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N992B/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 152 V				200 v	2500欧姆
JANTX1N4106D-1	15.3300	RFQ	2580	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4106		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.2 V				12 v	200欧姆
1N5968D	162.3000	RFQ	4400	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-1N5968D	Ear99	8541.10.0050	1
JANTX1N4572A-1	8.5500	RFQ	9713	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4572		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				3 V	100欧姆
JANTX1N4463D	28.7550	RFQ	1193	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4463		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		500 NA @ 4.92 V				8.2 v	3欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²