RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N4754AP/TR8	1.8900	RFQ	3499	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4754		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 29.7 V				39 v	60欧姆
1N3306RB	49.3800	RFQ	1705年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3306		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		125 µA @ 5 V				7.5 v	0.3欧姆
CD5349B	5.0274	RFQ	3128	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	死			5 w	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5349B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 9.1 V				12 v	2.5欧姆
1N5998D	5.1900	RFQ	7979	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5998		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.5 V				8.2 v	7欧姆
1n6023ur	3.5850	RFQ	2379	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6023				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
Janhca1n4108	13.2734	RFQ	7271	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n4108	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 10.65 V				14 V	200欧姆
Jan1n6331dus	38.2200	RFQ	8168	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JAN1N6331DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 15 V				20 v	18欧姆
CDLL5545	6.4800	RFQ	4721	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5545		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 24 V				30 V	100欧姆
1N4618UR-1	3.4950	RFQ	3081	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	下载			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 1 V				2.7 v	1500欧姆
JANTX1N4099C-1/TR	11.4380	RFQ	1361	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4099C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.2 V				6.8 v	200欧姆
Janhca1n4105d	-	RFQ	1551年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-Janhca1n4105d	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 8.44 V				11 V	200欧姆
CDLL4717/TR	3.0989	RFQ	3359	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4717/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 32.6 V				43 V
1 PMT4117CE3/TR7	0.4950	RFQ	3069	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 19 V				25 v	150欧姆
JANTXV1N3039C-1	38.0400	RFQ	8399	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3039		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 47.1 V				62 v	125欧姆
CDLL4914/tr	61.3050	RFQ	7633	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4914/tr	Ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 8 V				12.8 v	25欧姆
JANTX1N4614DUR-1/TR	-	RFQ	6486	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-JANTX1N4614DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		3.5 µA @ 1 V				1.8 v	1200欧姆
CDLL5532C	12.1950	RFQ	3717	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5532C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 10.8 V				12 v	90欧姆
Jan1n6637d	-	RFQ	8924	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5 µA @ 1 V				5.1 v	1.5欧姆
JANS1N4473US/TR	77.0102	RFQ	9841	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4473US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 17.6 V				22 v	14欧姆
MSASC25W60K/TR	-	RFQ	5386	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-MSASC25W60K/TR			100
JANTXV1N6774	-	RFQ	5959	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-257-3		标准		TO-257	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.15 V @ 15 A	35 ns	10 µA @ 800 mV	-65°C〜150°C	15a	300pf @ 5V，1MHz
JANTX1N555520BUR-1/TR	13.2202	RFQ	2570	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N555520BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V				3.9 v	22欧姆
1 PMT4626/TR13	0.4950	RFQ	8861	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 4 V				5.6 v	1400欧姆
JANTX1N44466US/TR	14.5050	RFQ	7983	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANTX1N4466US/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		300 NA @ 8.8 V				11 V	6欧姆
CDLL6858/tr	13.8900	RFQ	9428	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-213aa		肖特基		do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL6858/tr	Ear99	8541.10.0070	100	小信号= <200ma（io（io），任何速度	50 V	650 mv @ 15 ma		200 na @ 50 V	-65°C〜150°C	75mA	4.5pf @ 0v，1MHz
JANTXV1N6623US	18.1050	RFQ	4862	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/585	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N6623	标准		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	880 v	1.55 V @ 1 A	50 ns	500 NA @ 880 V	-65°C〜150°C	1a	-
CD5344B	5.0274	RFQ	1191	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	死			5 w	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5344B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		10 µA @ 6.2 V				8.2 v	1.5欧姆
Jan1n4483dus/tr	34.7550	RFQ	3158	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JAN1N444483DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		250 na @ 44.8 V				56 v	70欧姆
1N945B-1	36.9600	RFQ	3151	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N945		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 8 V				11.7 v	30欧姆
1N5254BUR-1/TR	3.0900	RFQ	3930	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	323			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 21 V				27 V	41欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²