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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N5228BE3	2.0400	RFQ	3127	微芯片技术	-	包	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5228		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V				3.9 v	23欧姆
1N5231BUR-1E3	3.0600	RFQ	6546	微芯片技术	-	包	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N5231		500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1N5231BUR-1E3MS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V				5.1 v	17欧姆
1N5276BE3	3.3450	RFQ	5334	微芯片技术	-	包	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5276		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1N5276BE3MS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 114 V				150 v	1500欧姆
1N825E3	5.4750	RFQ	5114	微芯片技术	-	包	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N825		500兆	do-7	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1N825E3MS	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				5.9 v	15欧姆
1N827A-1	7.4250	RFQ	9091	微芯片技术	-	包	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N827		500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响	1N827A-1M	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				5.89 v	10欧姆
1N938B-1	8.7900	RFQ	3992	微芯片技术	-	包	积极的	-	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N938		500兆	DO-35（do-204AH）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	1N938B-1M	Ear99	8541.10.0050	1									8.55 v	20欧姆
CDLL4109D	8.6100	RFQ	2851	微芯片技术	-	包	积极的	-	-	-	-	CDLL4109			-	-			到达不受影响	CDLL4109DMS	Ear99	8541.10.0050	1
CDLL4624D	8.5050	RFQ	5761	微芯片技术	-	包	积极的	-	-	-	-	CDLL4624			-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	CDLL4624DMS	Ear99	8541.10.0050	1
CDS5524CUR-1	471.0150	RFQ	6409	微芯片技术	-	包	积极的	-	-	-	-	CDS5524			-	-			到达不受影响	CDS5524CUR-1MS	Ear99	8541.10.0050	1
JANTXV1N5819UR-1	23.8400	RFQ	23	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/586	包	积极的			表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N5819	肖特基		DO-213AB（梅尔，LL41）	下载		不适用	到达不受影响	JANTXV1N5819UR-1MS	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	45 v	490 mv @ 1 A		50 µA @ 45 V	-65°C〜125°C	1a	70pf @ 5V，1MHz
MSC030SDA120S	11.6300	RFQ	1185	微芯片技术	-	管子	积极的			表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	MSC030	SIC （碳化硅）		d3pa k	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	90	没有恢复t> 500mA（IO）	1200 v		0 ns		-	30a	-
MSC050SDA120S	17.8500	RFQ	3691	微芯片技术	-	管子	积极的			表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	MSC050	SIC （碳化硅）		d3pa k	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）	1200 v		0 ns		-	50a	-
1N3903	48.5400	RFQ	8741	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3903	标准		do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.4 V @ 63 A	200 ns	50 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	20a	150pf @ 10V，1MHz
CDLL4567A	10.1400	RFQ	5683	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-55°C〜100°C	表面安装	DO-213AA（）	CDLL4567		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	200欧姆
MSC050SDA070B	11.1700	RFQ	6835	微芯片技术	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-2	MSC050	SIC （碳化硅）		TO-247	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	没有恢复t> 500mA（IO）	700 v	1.5 V @ 50 A	0 ns		-	50a	-
MSC020SDA120B	11.0500	RFQ	95	微芯片技术	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-2		SIC （碳化硅）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	45	没有恢复t> 500mA（IO）	1200 v	1.8 V @ 20 A	0 ns	200 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	49a	1130pf @ 1V，1MHz
MSC030SDA120B	10.7000	RFQ	1	微芯片技术	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-2	MSC030	SIC （碳化硅）		TO-247	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	没有恢复t> 500mA（IO）	1200 v	1.5 V @ 30 A	0 ns		-	30a	-
CDLL936B	6.9900	RFQ	5779	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL936		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1									9 V	20欧姆
CDLL937	8.7300	RFQ	2465	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL937		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 6 V				9 V	20欧姆
CDLL938A	22.1100	RFQ	9833	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL938		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 6 V				9 V	20欧姆
CDLL938B	16.6050	RFQ	4473	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL938		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 6 V				9.45 v	20欧姆
CDLL941	4.6350	RFQ	1804年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	CDLL941		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 8 V				11.7 v	30欧姆
CDLL942	13.0200	RFQ	2341	微芯片技术	*	大部分	积极的					CDLL942				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
CDLL942B	13.0200	RFQ	7176	微芯片技术	*	大部分	积极的					CDLL942				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
CDLL943A	69.0000	RFQ	8386	微芯片技术	*	大部分	积极的					CDLL943				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
CDLL944A	27.6600	RFQ	1582	微芯片技术	*	大部分	积极的					CDLL944				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
CDLL945A	40.8150	RFQ	6958	微芯片技术	*	大部分	积极的					CDLL945				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JAN1N3022B-1	9.3600	RFQ	9015	微芯片技术	MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N3022		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 9.1 V				12 v	9欧姆
JAN1N3042B-1	9.2700	RFQ	1837年	微芯片技术	MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N3042		1 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 62.2 V				82 v	200欧姆
Jan1n4116ur-1	5.7000	RFQ	2493	微芯片技术	MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N4116		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2266-JAN1N4116UR-1	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18.3 V				24 V	150欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²