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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N1202	34.7100	RFQ	8180	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1202	标准		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.2 V @ 30 A	10 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	12a	-
1N4101D-1	6.1500	RFQ	7209	微芯片技术	-	包	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4101		500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响	1N4101D-1MS	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	500 NA @ 6.3 V				8.2 v	200欧姆
Jan1n4481d	25.4550	RFQ	8151	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4481		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA	50 NA @ 37.6 V				47 V	50欧姆
1N2986A	36.9900	RFQ	1996	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2986		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A	10 µA @ 18.2 V				24 V	5欧姆
JANS1N4485CUS	283.8300	RFQ	9501	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANS1N4485CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	250 NA @ 54.4 V				68 v	100欧姆
CDLL4615	3.3000	RFQ	3878	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4615		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	2.5 µA @ 1 V				2 v	1250欧姆
1N5260BUR-1	2.8650	RFQ	6507	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N5260		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	100 na @ 33 V				43 V	93欧姆
CD4128	1.3699	RFQ	7703	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4128	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma	10 na @ 45.6 V				60 V	400欧姆
JAN1N6331CUS	63.7050	RFQ	6680	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JAN1N6331CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A	50 na @ 15 V				20 v	18欧姆
CDLL5281A	3.5850	RFQ	7776	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜200°C	表面安装	do-213aa				do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5281A	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	100 NA @ 144 V				200 v	2500欧姆
CD4488	7.3549	RFQ	4280	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-	表面安装	死				死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4488	Ear99	8541.10.0050	1
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JANTX1N4966DUS/TR	32.4000	RFQ	3809	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANTX1N4966DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A	2 µA @ 16.7 V				22 v	5欧姆
JANTXV1N3043CUR-1	46.1250	RFQ	3219	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3043		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 69.2 V				91 v	250欧姆
CDLL4920/TR	34.5900	RFQ	7718	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4920/tr	Ear99	8541.10.0050	1				15 µA @ 12 V				19.2 v	300欧姆
UZ7710V	468.9900	RFQ	6217	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	螺柱			10 W	轴向	-			到达不受影响	150-UZ7710V	Ear99	8541.10.0050	1				100 µA @ 7.6 V				10 v	1欧姆
Janhca1n963d	-	RFQ	4300	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-Janhca1n963d	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 9.1 V				12 v	11.5欧姆
JANTXV1N3823AUR-1	19.3950	RFQ	1801年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3823		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	25 µA @ 1 V				3.9 v	9欧姆
JANTXV1N3046CUR-1	-	RFQ	4833	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
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JANTX1N4372C-1	22.3950	RFQ	8490	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4372		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	30 µA @ 1 V				3 V	29欧姆
JANTXV1N4570AUR-1/TR	9.0600	RFQ	6533	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4570AUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				2 µA @ 3 V				6.4 v	100欧姆
1N3020B-1/tr	7.4214	RFQ	4005	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3020		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N3020B-1/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	25 µA @ 7.6 V				10 v	7欧姆
JANTXV1N4989US/TR	21.3600	RFQ	1508	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANTXV1N4989US/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A	2 µA @ 152 V				200 v	500欧姆
JANTXV1N3023DUR-1	56.9100	RFQ	7126	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3023		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 9.9 V				13 V	10欧姆
1N3291	93.8550	RFQ	9251	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	1N3291	标准		DO-205AA（DO-8）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3291MS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.55 V @ 310 A	10 ma @ 400 V	-65°C 〜200°C	100a	-
1 PMT5947B/TR7	2.2200	RFQ	5996	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 62.2 V				82 v	160欧姆
CD750	1.6950	RFQ	9975	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-CD750	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma	5 µA @ 1.5 V				4.7 v	19欧姆
JANTX1N4121DUR-1	30.4050	RFQ	1892年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4121		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 25.1 V				33 V	200欧姆
1N3650	31.3350	RFQ	6448	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/260	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	2.2 V @ 10 A	5 µA @ 1000 V	-	3.3a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²