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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电容比	电容比条件	q @ vr，f
CDS5535CUR-1	471.0150	RFQ	3818	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS5535CUR-1	Ear99	8541.10.0050	1
Jan1n4495	9.5100	RFQ	1445	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4495		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		250 NA @ 144 V						180 v	1300欧姆
JANTXV1N4099UR-1	15.9750	RFQ	2649	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.17 V						6.8 v	200欧姆
JANTX1N5529DUR-1/TR	42.0014	RFQ	3896	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5529DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 8.2 V						9.1 v	45欧姆
CDLL4958	11.1450	RFQ	5452	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDLL4958	Ear99	8541.10.0050	1
GCX1209-23-0	3.3150	RFQ	4745	微芯片技术	GCX1209	大部分	积极的		-55°C〜125°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				SOT-23-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-GCX1209-23-0	Ear99	8541.10.0060	1								4.7pf @ 4V，1MHz	单身的	30 V			3.9	C0/C30	2000 @ 4V，50MHz
1N458333AUR-1	19.9350	RFQ	8383	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	1N4583		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V							25欧姆
1N5357A/TR8	2.6250	RFQ	8367	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5357		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 14.4 V						20 v	3欧姆
1N4704/tr	3.6575	RFQ	9521	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4704/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 na @ 12.9 V						17 V
1N4738AR	3.4650	RFQ	3728	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N4738		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 6 V						8.2 v	4.5欧姆
JANS1N4105DUR-1	147.2700	RFQ	1833年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 8.5 V						11 V	200欧姆
CDLL5248A/TR	2.7132	RFQ	1692年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5248A/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 14 V						18 V	21欧姆
1 PMT5951AE3/TR7	0.7350	RFQ	1306	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 91.2 V						120 v	380欧姆
1N5952A	3.4050	RFQ	7374	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5952		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 98.8 V						130 v	450欧姆
JANTX1N3827D-1/TR	24.4986	RFQ	7936	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3827D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 2 V						5.6 v	5欧姆
1N5104	23.4000	RFQ	8749	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	轴向			3 W	轴向	-			到达不受影响	150-1N5104	Ear99	8541.10.0050	1					1 µA @ 152 V						200 v	950欧姆
JANTXV1N4121CUR-1/TR	25.6690	RFQ	9250	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4121CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 25.1 V						33 V	200欧姆
SMBJ5351AE3/TR13	0.8100	RFQ	9990	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5351		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		1 µA @ 10.1 V						14 V	2.5欧姆
JANTXV1N6341DUS	68.5500	RFQ	9204	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JANTXV1N6341DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 39 V						51 v	85欧姆
1N5919CPE3/TR12	1.2000	RFQ	4299	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5919		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V						5.6 v	2欧姆
DSB5822/tr	-	RFQ	5384	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	轴向		肖特基		B，D-5D	-			到达不受影响	150-DSB5822/tr	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	40 V	500 mv @ 3 a		100 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	3a	-
JANTX1N3828C-1	21.9600	RFQ	5133	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3828		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 3 V						6.2 v	2欧姆
APTDF400U120G	105.9800	RFQ	801	微芯片技术	-	大部分	积极的			底盘安装	LP4	APTDF400	标准		LP4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1200 v	2.5 V @ 500 A	110 ns	2.5 ma @ 1200 V		450a	-
CDLL5539/tr	5.9052	RFQ	4963	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5539/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 16 V						19 v	100欧姆
1月1N4496	9.6150	RFQ	1757年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4496		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		250 NA @ 160 V						200 v	1500欧姆
1N4987US/TR	13.1100	RFQ	7645	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-					Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 121.6 V						160 v	350欧姆
UFS520G/TR13	4.1400	RFQ	7082	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-215ab，SMC Gull机翼	UFS520	标准		do-215ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	950 mv @ 5 a	30 ns	10 µA @ 200 V	-55°C 〜175°C	5a	-
JANS1N5809US	42.7650	RFQ	1370	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/477	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	875 mv @ 4 A	30 ns		-65°C〜175°C	3a	-
JANS1N4486DUS	330.2550	RFQ	5304	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANS1N4486DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 na @ 60 V						75 v	130欧姆
JANTXV1N5711UBD	120.5850	RFQ	3875	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	大部分	积极的			表面安装	4-SMD，没有铅		肖特基		UB	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	50 V	1 V @ 15 mA		200 na @ 50 V	-65°C〜150°C		2pf @ 0v，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²