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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f
CDS5244BUR-1	-	RFQ	3952	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS5244BUR-1	Ear99	8541.10.0050	50
JANTX1N7052UR-1/TR	10.9650	RFQ	3105	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N7052UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1
MMP4403-GM2/TR	5.4750	RFQ	1335	微芯片技术	MMP4400	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜150°C		0805（2012年）	MMP4403			0805	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0060	1,000		5 w									1pf @ 50V，1MHz	PIN-单	500V			300MOHM @ 100mA，100MHz
1N5340E3/TR8	2.6250	RFQ	1778年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5340		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000						1.2 V @ 1 A		1 µA @ 3 V						6 V	1欧姆
GC4702-149	-	RFQ	6702	微芯片技术	-	包	积极的		-55°C〜150°C		-				-	-			到达不受影响	150-GC4702-149	Ear99	8541.10.0060	1		3 W									0.3pf @ 6V，1MHz	PIN-单	20V			1.2OHM @ 10mA，100MHz
Jan1n5538d-1/tr	12.3823	RFQ	7702	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N555538D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 ma		10 na @ 16.2 V						18 V	100欧姆
GC4601-172	-	RFQ	9728	微芯片技术	-	包	积极的		-55°C〜125°C		螺柱				-	-			到达不受影响	150-GC4601-172	Ear99	8541.10.0060	1											1.5pf @ 50V，1MHz	PIN-单	1500V			250MOHM @ 500mA，100MHz
1N55330BUR-1/TR	5.7722	RFQ	8428	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-1N55330BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.1 V						10 v	60欧姆
1N4099DUR-1/TR	9.6750	RFQ	4431	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载			到达不受影响	150-1N4099DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	237						1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.2 V						6.8 v	200欧姆
JANTXV1N3029DUR-1/TR	50.5932	RFQ	8761	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3029DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 18.2 V						24 V	25欧姆
UFS380J/TR13	2.6100	RFQ	7198	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC	UFS380	标准		do-214ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			800 v		1.2 V @ 3 A	60 ns	10 µA @ 800 V	-55°C 〜175°C	3a	-
1 PMT5926C/TR7	-	RFQ	4842	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000						1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V						11 V	5.5欧姆
CDLL4746D	9.1500	RFQ	9570	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-			到达不受影响	150-CDLL4746D	Ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 ma		100 na @ 13.7 V						18 V	20欧姆
JANTX1N982C-1	11.3850	RFQ	7940	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N982		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 56 V						75 v	270欧姆
JANTXV1N4614-1	6.9450	RFQ	3359	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4614		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 ma		3.5 µA @ 1 V						1.8 v	1200欧姆
CDLL5264B/TR	3.3516	RFQ	2584	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5264B/TR	Ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 46 V						60 V	170欧姆
1月1N3893AR	333.0150	RFQ	5386	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/304	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			400 v		1.5 V @ 38 A	150 ns		-65°C〜175°C	20a	115pf @ 10V，1MHz
JANTX1N6488DUS	-	RFQ	5194	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 A		5 µA @ 1 V						4.3 v	9欧姆
1N2836A	94.8900	RFQ	8267	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2836		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 10 A		10 µA @ 62.2 V						82 v	11欧姆
CDS5527B-1	-	RFQ	2618	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS5527B-1	Ear99	8541.10.0050	50
CDLL4927A/TR	100.6200	RFQ	9871	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4927A/TR	Ear99	8541.10.0050	1								15 µA @ 12 V						19.2 v	75欧姆
SBT3050A	62.1000	RFQ	1311	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3	SBT3050	肖特基		TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-SBT3050A	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1对公共阳极	50 V	30a	700 mv @ 30 a		1.5 ma @ 50 V	-65°C〜175°C
JANTX1N6940UTK3	-	RFQ	9395	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™3		肖特基		Thinkey™3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			15 v		500 mv @ 150 A		5 ma @ 15 V	-65°C〜150°C	150a
JANTX1N4955US	10.2150	RFQ	4749	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4955		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 A		100 µA @ 5.7 V						7.5 v	1.5欧姆
R417-1	102.2400	RFQ	9783	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R417-1			1
Jan1n5525bur-1	14.4600	RFQ	4717	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5525		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5 V						6.2 v	30欧姆
1N3339RB	49.3800	RFQ	6643	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3339		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 10 A		10 µA @ 69.2 V						91 v	15欧姆
MML4402-GM2	5.2500	RFQ	197	微芯片技术	MML4400	大部分	积极的		-55°C〜150°C		2-SMD，没有铅	MML4402			2-SMD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0060	1											2pf @ 0v，1MHz	PIN-单	75V			1.5OHM @ 100mA，100MHz
1N6941UTK3AS/TR	267.4800	RFQ	7190	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	Thinkey™3		肖特基，反极性		Thinkey™3	-			到达不受影响	150-1N6941UTK3AS/TR	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			30 V		500 mv @ 50 a		5 ma @ 30 V	-65°C〜150°C	150a	7500pf @ 5V，1MHz
SMBG5384BE3/TR13	1.1400	RFQ	3873	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5384		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000						1.2 V @ 1 A		500 NA @ 115 V						160 v	350欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²