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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	电流 -最大	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f	电容比	电容比条件	q @ vr，f
JANTXV1N3051DUR-1	-	RFQ	1849年	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
Jan1n4129c-1	10.5000	RFQ	1388	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4129			DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 47.1 V						62 v	500欧姆
JANTX1N4372D-1	28.0200	RFQ	7652	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4372		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		30 µA @ 1 V						3 V	29欧姆
S3120	49.0050	RFQ	7217	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-S3120			1
JANTX1N5822/TR	85.9500	RFQ	6603	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/620	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	B，轴向		肖特基		B，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5822/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		40 V	500 mv @ 3 a		100 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	3a	-
1N763	1.9500	RFQ	9123	微芯片技术	-	大部分	积极的			-	-	1N763			-	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
UM9441	-	RFQ	2503	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜175°C		轴向				轴向	-			到达不受影响	150-UM9441TR	Ear99	8541.10.0060	1									10pf @ 50V，1MHz	PIN-单	100V			-
Janhca1n4102c	-	RFQ	6022	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-Janhca1n4102c	Ear99	8541.10.0050	100				1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.61 V						8.7 v	200欧姆
CDLL6018	2.7150	RFQ	5452	微芯片技术	*	大部分	积极的					CDLL6018				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JANTX1N759D-1	7.5450	RFQ	4165	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N759		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9 V						12 v	30欧姆
1月1N5814	-	RFQ	8187	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产			底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v	950 mv @ 20 a	35 ns	10 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	20a	300pf @ 10V，1MHz
JANS1N4627D-1/TR	71.0904	RFQ	6373	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4627D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 5 V						6.2 v	1.2欧姆
JANTXV1N6489CUS	-	RFQ	3641	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		4 µA @ 1 V						4.7 v	8欧姆
KV2161-00	-	RFQ	5095	微芯片技术	-	托盘	积极的		-55°C〜150°C	表面安装	死				芯片	-			到达不受影响	150-KV2161-00	Ear99	8541.10.0040	1									2.3pf @ 20V，1MHz	单身的	22 v				5.1	C4/C20	400 @ 4V，50MHz
Jan1n4131ur-1	8.7150	RFQ	5160	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4131			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		10 na @ 57 V						75 v	700欧姆
CDLL5241	2.8650	RFQ	5563	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5241		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 8.4 V						11 V	22欧姆
GC4215-00	-	RFQ	9298	微芯片技术	-	托盘	积极的		-55°C〜150°C		死				芯片	-			到达不受影响	150-GC4215-00			1		10 MA							0.5pf @ 10V，1MHz	PIN-单	100V			350MOHM @ 20mA，1GHz
CDLL943A/TR	69.1800	RFQ	1326	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL943A/TR	Ear99	8541.10.0050	1						15 µA @ 8 V						11.7 v	30欧姆
1N4753PE3/TR8	0.9150	RFQ	1982	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4753		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500				1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 27.4 V						36 V	50欧姆
jankca1n4623	-	RFQ	4900	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANKCA1N4623	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		4 µA @ 2 V						4.3 v	1600欧姆
JANTXV1N5969US/TR	-	RFQ	8836	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E	1N5969		5 w	E-Melf	下载				150-JANTXV1N5969US/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		1 mA @ 4.74 V						6.2 v	1欧姆
JANTXV1N4991D	63.9000	RFQ	1314	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		2 µA @ 25.1 V						240 v	650欧姆
1N2136R	74.5200	RFQ	8731	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准，反极性		DO-5（do-203ab）	下载			到达不受影响	150-1N2136R	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		450 v	1.25 V @ 200 A		25 µA @ 450 V	-65°C 〜200°C	70a	-
CD4104	1.3699	RFQ	6876	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4104	Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 7.6 V						10 v	200欧姆
JANTX1N3308B	-	RFQ	5420	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 10 A		25 µA @ 6.1 V						9.1 v	0.5欧姆
R34150	49.0050	RFQ	9506	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R34150			1
Jan1n6320us/tr	15.4500	RFQ	5408	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6320		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	100				1.4 V @ 1 A		2 µA @ 4 V						6.8 v	3欧姆
1N4577	8.4300	RFQ	4833	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	下载			到达不受影响	150-1N4577	Ear99	8541.10.0050	1						2 µA @ 3 V						6.4 v	50欧姆
CDLL5259A	2.8650	RFQ	2670	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5259		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		100 na @ 30 V						39 v	80欧姆
JANTX1N2835B	-	RFQ	8534	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2835		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 2 A		10 µA @ 56 V						75 v	9欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²