RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f
CD4104	1.3699	RFQ	6876	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4104	Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 7.6 V						10 v	200欧姆
JANTX1N3308B	-	RFQ	5420	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 10 A		25 µA @ 6.1 V						9.1 v	0.5欧姆
R34150	49.0050	RFQ	9506	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R34150			1
Jan1n6320us/tr	15.4500	RFQ	5408	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6320		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	100				1.4 V @ 1 A		2 µA @ 4 V						6.8 v	3欧姆
1N4577	8.4300	RFQ	4833	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	下载			到达不受影响	150-1N4577	Ear99	8541.10.0050	1						2 µA @ 3 V						6.4 v	50欧姆
CDLL5259A	2.8650	RFQ	2670	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5259		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		100 na @ 30 V						39 v	80欧姆
JANTX1N2835B	-	RFQ	8534	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2835		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 2 A		10 µA @ 56 V						75 v	9欧姆
JANTXV1N6490DUS	-	RFQ	3794	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		1 µA @ 1 V						5.1 v	7欧姆
JANTX1N4099-1/TR	4.5486	RFQ	3206	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4099-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.2 V						6.8 v	200欧姆
SMBJ5371AE3/TR13	0.8100	RFQ	2140	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5371		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000				1.2 V @ 1 A		500 NA @ 43 V						60 V	40欧姆
JANTX1N754DUR-1	17.8950	RFQ	7945	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N754		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 4 V						6.8 v	5欧姆
JANTXV1N4471	15.1200	RFQ	1888年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4471		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1 V @ 200 MA		50 NA @ 14.4 V						18 V	11欧姆
1N5353AE3/TR13	0.9900	RFQ	9278	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5353		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,250				1.2 V @ 1 A		1 µA @ 11.5 V						16 V	2.5欧姆
JANTX1N2804B	-	RFQ	4262	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2804		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 10 A		150 µA @ 4.5 V						6.8 v	0.2欧姆
1N914	0.9800	RFQ	4	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N914	标准		DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1N914MS	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		75 v	1.2 V @ 50 mA	20 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
JANTX1N3033D-1/TR	47.4145	RFQ	6340	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3033D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 27.4 V						36 V	50欧姆
UM2102SM	-	RFQ	6924	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C〜175°C		SQ-MELF				-	-			到达不受影响	150-UM2102SMTR	Ear99	8541.10.0060	1		15 W							2.5pf @ 100V，1MHz	PIN-单	200V			2ohm @ 100mA，2MHz
KVX3201-23-0	5.1150	RFQ	5710	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-KVX3201-23-0	Ear99	8541.10.0070	1
CDLL829/TR	26.4750	RFQ	3004	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±4.84％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL829/tr	Ear99	8541.10.0050	1						2 µA @ 3 V						6.2 v	15欧姆
1N5248B/TR	2.0083	RFQ	5715	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5248B/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 200 ma		100 na @ 14 V						18 V	21欧姆
1N4583A-1/tr	9.1200	RFQ	4163	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4583A-1/tr	Ear99	8541.10.0050	1						2 µA @ 3 V						6.4 v	25欧姆
JANTX1N6348	12.4350	RFQ	9915	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6348		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.4 V @ 1 A		50 NA @ 76 V						100 v	340欧姆
CDLL5227D	8.4150	RFQ	7791	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5227D	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		15 µA @ 1 V						3.6 v	24欧姆
BZV55C4V7	2.9400	RFQ	2031	微芯片技术	-	大部分	积极的	±6％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	BZV55C4V7			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 2 V						4.7 v
1N6017UR-1	3.5850	RFQ	3465	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N6017		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma								51 v
CDS5244BUR-1	-	RFQ	3952	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS5244BUR-1	Ear99	8541.10.0050	50
JANTX1N7052UR-1/TR	10.9650	RFQ	3105	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N7052UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1
MMP4403-GM2/TR	5.4750	RFQ	1335	微芯片技术	MMP4400	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜150°C		0805（2012年）	MMP4403			0805	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0060	1,000		5 w							1pf @ 50V，1MHz	PIN-单	500V			300MOHM @ 100mA，100MHz
1N5340E3/TR8	2.6250	RFQ	1778年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5340		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000				1.2 V @ 1 A		1 µA @ 3 V						6 V	1欧姆
GC4702-149	-	RFQ	6702	微芯片技术	-	包	积极的		-55°C〜150°C		-				-	-			到达不受影响	150-GC4702-149	Ear99	8541.10.0060	1		3 W							0.3pf @ 6V，1MHz	PIN-单	20V			1.2OHM @ 10mA，100MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²