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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备软件包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 电流 -最大 | ((() | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 电阻 @ if,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GC4215-00 | - | ![]() | 9298 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 积极的 | -55°C〜150°C | 死 | 芯片 | - | 到达不受影响 | 150-GC4215-00 | 1 | 10 MA | 0.5pf @ 10V,1MHz | PIN-单 | 100V | 350MOHM @ 20mA,1GHz | ||||||||||||||||||||
![]() | CDLL943A/TR | 69.1800 | ![]() | 1326 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜100°C | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL943A/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 11.7 v | 30欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | 1N4753PE3/TR8 | 0.9150 | ![]() | 1982 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -65°C〜150°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4753 | 1 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 27.4 V | 36 V | 50欧姆 | ||||||||||||||
![]() | jankca1n4623 | - | ![]() | 4900 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500兆 | DO-7(do-204AA) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANKCA1N4623 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 4 µA @ 2 V | 4.3 v | 1600欧姆 | |||||||||||||||
![]() | JANTXV1N5969US/TR | - | ![]() | 8836 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N5969 | 5 w | E-Melf | 下载 | 150-JANTXV1N5969US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 1 mA @ 4.74 V | 6.2 v | 1欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | JANTXV1N4991D | 63.9000 | ![]() | 1314 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | E,轴向 | 5 w | E,轴向 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 25.1 V | 240 v | 650欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | 1N2136R | 74.5200 | ![]() | 8731 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准,反极性 | DO-5(do-203ab) | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N2136R | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 450 v | 1.25 V @ 200 A | 25 µA @ 450 V | -65°C 〜200°C | 70a | - | |||||||||||||||
![]() | CD4104 | 1.3699 | ![]() | 6876 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | 死 | 500兆 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD4104 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 1 µA @ 7.6 V | 10 v | 200欧姆 | |||||||||||||||
![]() | JANTX1N3308B | - | ![]() | 5420 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/358 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 50 W | do-5 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 25 µA @ 6.1 V | 9.1 v | 0.5欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | R34150 | 49.0050 | ![]() | 9506 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-R34150 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
Jan1n6320us/tr | 15.4500 | ![]() | 5408 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 1N6320 | 500兆 | B,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 3欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | 1N4577 | 8.4300 | ![]() | 4833 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500兆 | do-7 | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N4577 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 50欧姆 | |||||||||||||||||
CDLL5259A | 2.8650 | ![]() | 2670 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL5259 | 10兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 100 na @ 30 V | 39 v | 80欧姆 | |||||||||||||||
![]() | JANTX1N2835B | - | ![]() | 8534 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | to-204ad | 1N2835 | 10 W | TO-204AD(TO-3) | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 A | 10 µA @ 56 V | 75 v | 9欧姆 | |||||||||||||||
JANTXV1N6490DUS | - | ![]() | 3794 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1.5 w | a,平方米 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 1 µA @ 1 V | 5.1 v | 7欧姆 | |||||||||||||||||
![]() | JANTX1N4099-1/TR | 4.5486 | ![]() | 3206 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N4099-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 5.2 V | 6.8 v | 200欧姆 | |||||||||||||||
![]() | SMBJ5371AE3/TR13 | 0.8100 | ![]() | 2140 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SMBJ5371 | 5 w | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 43 V | 60 V | 40欧姆 | ||||||||||||||
![]() | JANTX1N754DUR-1 | 17.8950 | ![]() | 7945 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N754 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 5欧姆 | ||||||||||||||
![]() | JANTXV1N4471 | 15.1200 | ![]() | 1888年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4471 | 1.5 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 MA | 50 NA @ 14.4 V | 18 V | 11欧姆 | ||||||||||||||
![]() | 1N5353AE3/TR13 | 0.9900 | ![]() | 9278 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -65°C〜150°C | 通过洞 | T-18,轴向 | 1N5353 | 5 w | T-18 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,250 | 1.2 V @ 1 A | 1 µA @ 11.5 V | 16 V | 2.5欧姆 | ||||||||||||||
![]() | JANTX1N2804B | - | ![]() | 4262 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/114 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | to-204ad | 1N2804 | 50 W | TO-204AD(TO-3) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 150 µA @ 4.5 V | 6.8 v | 0.2欧姆 | ||||||||||||||
1N914 | 0.9800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N914 | 标准 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1N914MS | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 75 v | 1.2 V @ 50 mA | 20 ns | 500 NA @ 75 V | -65°C〜175°C | 200mA | 4pf @ 0v,1MHz | ||||||||||||
![]() | JANTX1N3033D-1/TR | 47.4145 | ![]() | 6340 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N3033D-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 27.4 V | 36 V | 50欧姆 | |||||||||||||||
![]() | UM2102SM | - | ![]() | 6924 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | SQ-MELF | - | - | 到达不受影响 | 150-UM2102SMTR | Ear99 | 8541.10.0060 | 1 | 15 W | 2.5pf @ 100V,1MHz | PIN-单 | 200V | 2ohm @ 100mA,2MHz | ||||||||||||||||||
![]() | KVX3201-23-0 | 5.1150 | ![]() | 5710 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-KVX3201-23-0 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL829/TR | 26.4750 | ![]() | 3004 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±4.84% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL829/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 15欧姆 | ||||||||||||||||
1N5248B/TR | 2.0083 | ![]() | 5715 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5248B/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 100 na @ 14 V | 18 V | 21欧姆 | ||||||||||||||||
1N4583A-1/tr | 9.1200 | ![]() | 4163 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TA) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N4583A-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 25欧姆 | |||||||||||||||||
JANTX1N6348 | 12.4350 | ![]() | 9915 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N6348 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 76 V | 100 v | 340欧姆 | |||||||||||||||
![]() | CDLL5227D | 8.4150 | ![]() | 7791 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 10兆 | do-213aa | - | 到达不受影响 | 150-CDLL5227D | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 15 µA @ 1 V | 3.6 v | 24欧姆 |
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