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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N3331B	49.3800	RFQ	6436	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3331		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 38.8 V				50 V	5欧姆
1N5342B/TR12	2.6850	RFQ	5023	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5342		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		10 µA @ 4.9 V				6.8 v	1欧姆
Jan1n4577a-1/tr	8.1300	RFQ	1105	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4577A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	50欧姆
Jan1n4553b	-	RFQ	8190	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		20 µA @ 1 V				5.6 v	0.12欧姆
JANS1N4615CUR-1	385.3050	RFQ	8899	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2.5 µA @ 1 V				2 v	1250欧姆
1N4738P/TR12	1.8600	RFQ	5500	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4738		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 6 V				8.2 v	4.5欧姆
JANS1N4118C-1	67.5450	RFQ	5687	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 20.5 V				27 V	150欧姆
Jan1n4485dus/tr	34.7550	RFQ	6403	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JAN1N444485DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		250 NA @ 54.4 V				68 v	100欧姆
CDLL4755	3.4650	RFQ	4004	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4755			do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		100 na @ 32.7 V				43 V	70欧姆
JANTX1N944BUR-1/TR	-	RFQ	9530	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/157	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N944BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1							15 µA @ 8 V				11.7 v	30欧姆
SMBJ5358CE3/TR13	1.0800	RFQ	3189	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5358		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 15.8 V				22 v	3.5欧姆
1N5832	57.4200	RFQ	7912	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N5832	肖特基		do-5	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N5832MS	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		20 v		520 mv @ 40 a		20 ma @ 20 V	-65°C〜125°C	40a	-
ST3010AE3	63.3000	RFQ	5461	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3	ST3010	标准		TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-ST3010AE3	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对公共阳极	100 v	15a	1.2 V @ 15 A		10 µA @ 100 V	-65°C 〜200°C
JANTXV1N6627U/TR	24.9600	RFQ	4217	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，E		标准		D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N6627U/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		400 v		1.35 V @ 2 A	30 ns	2 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	1.75a	-
UFS570G/TR13	4.1400	RFQ	2851	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-215ab，SMC Gull机翼	UFS570	标准		do-215ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		700 v		1.35 V @ 5 A	60 ns	10 µA @ 700 V	-55°C 〜175°C	5a	-
1月1N965C-1	4.8600	RFQ	1523年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N965		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 11 V				15 v	16欧姆
JANTX1N5520CUR-1	37.7850	RFQ	9632	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5520		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V				3.9 v	22欧姆
JANS1N5620U	57.3900	RFQ	7086	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/427	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		800 v		1.3 V @ 3 A	2 µs		-65°C 〜200°C	1a	-
CDLL3016B/TR	14.4571	RFQ	2693	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			1 w	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL3016B/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 5.2 V				6.8 v	3.5欧姆
1N7054-1	7.1700	RFQ	9096	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N7054		250兆	do-7	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											4.8 v	35欧姆
JANS1N3156UR-1	-	RFQ	4693	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/158	大部分	积极的	-	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							10 µA @ 5.5 V				8.4 v	15欧姆
1N2837B	94.8900	RFQ	4183	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2837		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 69.2 V				91 v	15欧姆
CDLL4569A	82.8750	RFQ	7123	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-55°C〜100°C	表面安装	do-213aa	CDLL4569		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V					200欧姆
JANTXV1N4124UR-1	11.2500	RFQ	3708	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4124		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 32.7 V				43 V	250欧姆
1N4737P/TR8	1.8600	RFQ	8693	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4737		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 5 V				7.5 v	4欧姆
1N5923P/TR12	1.8600	RFQ	3561	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5923		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 6.5 V				8.2 v	3.5欧姆
JANTXV1N1186R	120.7200	RFQ	8721	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/297	大部分	积极的			底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N1186	标准，反极性		do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v		1.4 V @ 110 A		10 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	35a	-
JANTXV1N4118DUR-1	36.0000	RFQ	2768	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4118		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 20.5 V				27 V	150欧姆
1月1N5520C-1	14.1300	RFQ	7352	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5520		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V				3.9 v	22欧姆
CDLL5245D/TR	8.4150	RFQ	7983	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5245D/tr	Ear99	8541.10.0050	113					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 11 V				15 v	16欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²