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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANS1N6320U	211.0400	RFQ	46	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b	1N6320		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		2 µA @ 4 V				6.8 v	3欧姆
LSM540J/TR13	1.1700	RFQ	6820	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC	LSM540	肖特基		do-214ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	40 V	520 mv @ 5 a		2 ma @ 40 V	-55°C〜150°C	5a	-
JANTXV1N4964DUS	27.0600	RFQ	1841年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4964DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5 µA @ 13.7 V				18 V	4欧姆
1N5359/TR8	2.6250	RFQ	3407	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5359		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 17.3 V				24 V	3.5欧姆
1N4574A/TR	29.5200	RFQ	8506	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响	150-1N4574A/tr	Ear99	8541.10.0050	100					2 µA @ 3 V				6.4 v	100欧姆
JANTXV1N1615	-	RFQ	5575	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/162	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-4（do-203AA）	-			到达不受影响	150-JANTXV1N1615	Ear99	8541.10.0080	50	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	16a	-
1N5535D	14.2050	RFQ	6459	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5535D	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 13.5 V				15 v	100欧姆
JANS1N4967DUS	460.2000	RFQ	8637	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 18.2 V				24 V	5欧姆
BZV55C2V7	2.9400	RFQ	4260	微芯片技术	-	大部分	积极的	±7％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	BZV55C2V7			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		20 µA @ 1 V				2.7 v
Jan1n4471dus/tr	34.7550	RFQ	3771	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JAN1N4471DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 14.4 V				18 V	11欧姆
JANS1N4963	80.9550	RFQ	7916	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5 µA @ 12.2 V				16 V	3.5欧姆
JANTX1N4557RB	-	RFQ	6625	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad			50 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		150 µA @ 500 mV				3.9 v	0.16欧姆
1 PMT4627CE3/TR7	0.3750	RFQ	4296	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4627		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 5 V				6.2 v	1200欧姆
CDLL3030A	15.3000	RFQ	6836	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3030		1 w	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 20.6 V				27 V	35欧姆
1月1N4977	-	RFQ	1645年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向			5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 47.1 V				62 v	42欧姆
CDLL4746/tr	3.2319	RFQ	1887年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf				do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4746/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		100 na @ 13.7 V				18 V	20欧姆
S2230	33.4500	RFQ	5880	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-S2230			1
1N6627U	15.0450	RFQ	6597	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，E		标准		D-5B	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.5 V @ 4 A	30 ns	2 µA @ 400 V	-	4a	-
JANTXV1N4475D	39.5250	RFQ	7187	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4475		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		50 NA @ 21.6 V				27 V	18欧姆
1N5943BUR-1	4.5300	RFQ	5371	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N5943		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 42.6 V				56 v	86欧姆
CD6485	3.5112	RFQ	8499	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-	表面安装	死				死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD6485	Ear99	8541.10.0050	1
JANTX1N943B-1/TR	-	RFQ	8794	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/157	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N943B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 8 V				11.7 v	30欧姆
JANS1N4622CUR-1	229.0350	RFQ	5669	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2.5 µA @ 2 V				3.9 v	1650年
CD5529B	2.0482	RFQ	4528	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5529B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 8.2 V				9.1 v	45欧姆
JANS1N936B-1	443.9400	RFQ	8507	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/156	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANS1N936B-1	Ear99	8541.10.0050	1									9 V	20欧姆
1N4106-1	2.4750	RFQ	9526	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4106		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.2 V				12 v	200欧姆
JANTXV1N6311CUS	54.8400	RFQ	8150	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6311		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		30 µA @ 1 V				3 V	29欧姆
CD4761A	1.8354	RFQ	6564	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			1 w	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4761A	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 56 V				75 v	175欧姆
1N6316US	16.5300	RFQ	8358	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b	1N6316		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		5 µA @ 3.5 V				4.7 v	1500欧姆
1N758D/tr	5.7750	RFQ	7841	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响	150-1N758D/tr	Ear99	8541.10.0050	164			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 1 V				10 v	17欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²