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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTX1N5532DUR-1	54.0750	RFQ	4779	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5532		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 10.8 V						12 v	90欧姆
JAN1N555533C-1	14.1300	RFQ	4386	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5533		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 11.7 V						13 V	90欧姆
JANTX1N5533C-1	19.5300	RFQ	7178	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5533		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 11.7 V						13 V	90欧姆
JANTXV1N5533CUR-1	49.5150	RFQ	8605	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5533		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 11.7 V						13 V	90欧姆
JAN1N5533D-1	17.6700	RFQ	1210	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5533		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 11.7 V						13 V	90欧姆
JANTXV1N5533D-1	29.2200	RFQ	3183	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5533		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 11.7 V						13 V	90欧姆
JANTXV1N5533DUR-1	61.9050	RFQ	4519	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5533		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 11.7 V						13 V	90欧姆
JANTX1N5534B-1	7.4400	RFQ	6317	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5534		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 12.6 V						14 V	100欧姆
Jan1n5534bur-1	14.4600	RFQ	1356	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5534		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 12.6 V						14 V	100欧姆
JANTX1N5534BUR -1	14.7600	RFQ	2125	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5534		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 12.6 V						14 V	100欧姆
JANTXV1N5535BUR-1	19.5300	RFQ	3643	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5535		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 13.5 V						15 v	100欧姆
JANTXV1N5535CUR-1	49.5150	RFQ	8409	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5535		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 13.5 V						15 v	100欧姆
Jan1n5536b-1	5.5200	RFQ	1132	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5536		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 14.4 V						16 V	100欧姆
JANTX1N5536BUR-1	14.7600	RFQ	6326	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5536		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 14.4 V						16 V	100欧姆
JANTXV1N5536BUR-1	19.3500	RFQ	7609	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5536		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 14.4 V						16 V	100欧姆
JAN1N555536CUR-1	37.0200	RFQ	7938	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5536		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 14.4 V						16 V	100欧姆
JANTXV1N5536D-1	29.2200	RFQ	1007	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5536		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 14.4 V						16 V	100欧姆
678-1	-	RFQ	8477	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	NC，模块		标准		NC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1			1.2 V @ 10 A		10 µA @ 100 V				三期	100 v
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JANTX1N3318B	-	RFQ	7517	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3318		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 13.7 V						19 v	2.2欧姆
1N6761	79.0500	RFQ	1402	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N6761	肖特基		do-41	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	690 mv @ 1 a		100 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	1a	70pf @ 5V，1MHz
1N6761-1	82.6950	RFQ	8422	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N6761	肖特基		do-41	下载			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	690 mv @ 1 a		100 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	1a	70pf @ 5V，1MHz
1N4148UR-1E3	1.5150	RFQ	2046	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	do-213aa	1N4148	标准		do-213aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	75 v	1.2 V @ 100 ma	20 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
1N3595-1E3	3.0900	RFQ	5852	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N3595	标准		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	125 v	1 V @ 200 MA	3 µs	1 NA @ 125 V	-65°C〜175°C	150mA	-
1N4565A-1E3	3.4050	RFQ	5763	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4565		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											6.4 v	200欧姆
1N4114UR3	3.9750	RFQ	2826	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	do-213aa	1N4114		500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 15.2 V						20 v	150欧姆
1N4577A-1E3	8.2350	RFQ	6016	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4577		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 50 V						6.4 v
1N2982RBE3	40.7700	RFQ	4094	微芯片技术	-	托盘	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2982		10 W	DO-203AA（DO-4）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 13.7 V						18 V	4欧姆
JANTXV1N6320CUS	57.1050	RFQ	6210	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6320		500兆	B，平方米	下载			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		2 µA @ 4 V						6.8 v	3欧姆
1N4098	20.2200	RFQ	5312	微芯片技术	-	包	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	a，轴向	1N4098			a，轴向	-			到达不受影响	1N4098MS	Ear99	8541.10.0050	1					1 µA @ 114 V						150 v	650欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²