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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAS 125-06W E6327 | - | ![]() | 4081 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BAS 125 | 肖特基 | PG-SOT323 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 6,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 25 v | 100mA(dc) | 950 MV @ 35 mA | 150 na @ 25 V | 150°C (最大) | ||||||
![]() | BAS 40-07 B6327 | - | ![]() | 6477 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-253-4,TO-253AA | BAS 40 | 肖特基 | PG-SOT-143-3D | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 30,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 2独立 | 40 V | 120mA(DC) | 1 V @ 40 mA | 100 ps | 1 µA @ 30 V | 150°C (最大) | |||||
![]() | BAT64-04B5003 | - | ![]() | 7220 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAT64 | 肖特基 | PG-SOT23-3-3 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 40 V | 120mA | 750 mv @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 30 V | 150°C | ||||
![]() | SIDC46D170HX1SA2 | - | ![]() | 4014 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | 表面安装 | 死 | SIDC46D | 标准 | 锯箔 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1700 v | 1.8 V @ 75 A | 27 µA @ 1700 V | -55°C〜150°C | 75a | - | |||||
![]() | SIDC14D120F6X1SA3 | - | ![]() | 7612 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | 表面安装 | 死 | SIDC14D120 | 标准 | 锯箔 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1200 v | 2.1 V @ 15 A | 27 µA @ 1200 V | -55°C〜150°C | 15a | - | |||||
![]() | IDWD40G120C5XKSA1 | 24.3200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | IDWD40 | SIC (碳化硅) | pg-to247-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.65 V @ 40 A | 0 ns | 332 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 110a | 2592pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | IDW30E65D1 | - | ![]() | 7942 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | 标准 | PG-TO247-3-1 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 650 v | 1.7 V @ 30 A | 115 ns | 40 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | 60a | - | |||||
![]() | DD600N18KHPSA2 | 377.3500 | ![]() | 4729 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DD600N18 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1800 v | 600a | 1.32 V @ 1800 A | 40 ma @ 1800 V | -40°C〜150°C | |||||
![]() | BAW78C | 0.0800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-243AA | 标准 | PG-SOT89-4-2 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.6 V @ 1 A | 1 µs | 1 µA @ 200 V | 150°C | 1a | 10pf @ 0v,1MHz | |||||
![]() | BAS7004WH6327XTSA1 | 0.4200 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BAS7004 | 肖特基 | PG-SOT323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 70 v | 70mA(dc) | 1 V @ 15 ma | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150°C (最大) | ||||
![]() | D471N80TXPSA1 | - | ![]() | 4714 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | DO-200AB,B-PUK | D471N80 | 标准 | - | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 8000 v | 3.2 V @ 1200 A | 50 ma @ 8000 V | -40°C〜160°C | 760a | - | ||||||
![]() | D255K06BXPSA1 | - | ![]() | 1305 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 螺柱坐骑 | BG-DSW27-1 | D255K | 标准 | BG-DSW27-1 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 180°C (最大) | 255a | - | ||||||||
![]() | IDDD06G65C6XTMA1 | 1.7992 | ![]() | 5899 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 10-powersop模块 | IDD06 | SIC (碳化硅) | PG-HDSOP-10-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001679786 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,700 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 0 ns | 20 µA @ 420 V | -55°C 〜175°C | 18a | 302pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | SIDC30D120H6X1SA4 | - | ![]() | 8048 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | 表面安装 | 死 | sidc30d | 标准 | 锯箔 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1200 v | 1.6 V @ 50 A | 27 µA @ 1200 V | -55°C〜150°C | 50a | - | |||||
![]() | BAV70SH6727XTSA1 | - | ![]() | 2702 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 | BAV70 | 标准 | PG-SOT363-6-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 2对普通阴极 | 80 V | 200ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 150 na @ 70 V | 150°C (最大) | ||||
![]() | IDB10S60CATMA2 | - | ![]() | 1915年 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IDB10 | SIC (碳化硅) | pg-to263-3-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 600 v | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 140 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 10a | 480pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | D56S45CXPSA1 | - | ![]() | 5345 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | D56S45C | 标准 | - | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 4500 v | 4.5 V @ 320 A | 3.3 µs | 5 ma @ 4500 V | -40°C〜125°C | 102a | - | |||||
![]() | ND350N12KHPSA1 | - | ![]() | 9011 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | ND350N12 | 标准 | BG-PB50ND-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1200 v | 30 ma @ 1200 V | -40°C〜135°C | 350a | - | ||||||
![]() | DZ1070N28KHPSA1 | 782.4600 | ![]() | 5082 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DZ1070 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2800 v | 1.52 V @ 3400 A | 150 ma @ 2800 V | -40°C〜150°C | 1070a | - | |||||
![]() | IDH12G65C6XKSA1 | 6.1100 | ![]() | 420 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | IDH12G65 | SIC (碳化硅) | pg-to220-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.35 V @ 12 A | 0 ns | 40 µA @ 420 V | -55°C 〜175°C | 27a | 594pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | IDK05G65C5XTMA2 | 1.5789 | ![]() | 3805 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IDK05G65 | SIC (碳化硅) | pg-to263-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.8 V @ 5 A | 0 ns | 830 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 5a | 160pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | SIDC26D60C6 | - | ![]() | 4788 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | 表面安装 | 死 | SIDC26D | 标准 | 锯箔 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000015059 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.9 V @ 100 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 100a | - | ||||
![]() | DD171N12KHPSA1 | - | ![]() | 8567 | 0.00000000 | Infineon技术 | DD171N | 托盘 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | DD171N12 | 标准 | 模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 1200 v | 171a | 1.26 V @ 500 A | 20 ma @ 1200 V | -40°C〜150°C | ||||||
![]() | IDC75S120C5X7SA1 | 100.6560 | ![]() | 8688 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | - | - | IDC75 | - | - | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||
IDW24G65C5BXKSA2 | 12.2500 | ![]() | 240 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | IDW24G65 | SIC (碳化硅) | pg-to247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 240 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 12 A | 0 ns | 190 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 12a | 360pf @ 1V,1MHz | |||||
![]() | BAS28WE6327BTSA1 | - | ![]() | 4369 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-82A,SOT-343 | BAS28 | 标准 | PG-SOT343-3D | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 2独立 | 80 V | 200ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 100 na @ 75 V | 150°C (最大) | |||||
![]() | ND104N12KHPSA1 | - | ![]() | 2130 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | ND104N12 | 标准 | BG-PB20-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1200 v | 20 ma @ 1200 V | -40°C〜135°C | 104a | - | ||||||
![]() | IDH06SG60CXKSA1 | - | ![]() | 3382 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-2 | IDH06SG60 | SIC (碳化硅) | PG-TO220-2-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 600 v | 2.3 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 6a | 130pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | DD82S04KHPSA1 | - | ![]() | 9933 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | 模块 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 400 v | 96a | 1.55 V @ 300 A | 40 mA @ 400 V | 150°C | |||||||
![]() | HFA15TB60PBF | - | ![]() | 9436 | 0.00000000 | Infineon技术 | hexfred® | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | HFA15 | 标准 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.7 V @ 15 A | 60 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 15a | - |
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