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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 电流 -最大 | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电阻 @ if,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAR 64-07 E6327 | - | ![]() | 4026 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | TO-253-4,TO-253AA | BAR64 | PG-SOT-143-3D | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 6,000 | 100 ma | 250兆 | 0.35pf @ 20V,1MHz | 引脚-2独立 | 150V | 1.35OHM @ 100mA,100MHz | ||||||||||||||
![]() | BAR6503WE6327HTSA1 | 0.5000 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | SC-76,SOD-323 | BAR6503 | pg-sod323-3d | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 100 ma | 250兆 | 0.8pf @ 3V,1MHz | PIN-单 | 30V | 900MOHM @ 10mA,100MHz | |||||||||||||
![]() | BAR 88-07LRH E6327 | - | ![]() | 5554 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 4-XFDFN | BAR88 | PG-TSLP-4-7 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 100 ma | 250兆 | 0.4pf @ 1V,1MHz | 引脚-2独立 | 80V | 600MOHM @ 10mA,100MHz | ||||||||||||||
![]() | BAT1503WE6327HTSA1 | 0.5200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | SC-76,SOD-323 | BAT1503 | pg-sod323-3d | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 110 MA | 100兆 | 0.35pf @ 0v,1MHz | 肖特基 -单身 | 4V | - | |||||||||||||
![]() | BAT 15-098LRH E6327 | - | ![]() | 4520 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 4-XFDFN | 蝙蝠15 | PG-TSLP-4-7 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 110 MA | 100兆 | 0.35pf @ 0v,1MHz | Schottky -2独立 | 4V | - | ||||||||||||||
![]() | 蝙蝠60BE6433 | - | ![]() | 2705 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 蝙蝠60 | 肖特基 | PG-SOD323-2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 10 v | 600 mV @ 1 A | 25 µA @ 8 V | 150°C (最大) | 3a | 30pf @ 5V,1MHz | ||||||||||||
![]() | BAT 68-08S E6327 | - | ![]() | 1919年 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 | BAT68 | PG-SOT363-PO | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 6,000 | 130 MA | 150兆 | 1pf @ 0v,1MHz | 肖特基-3独立 | 8V | 10ohm @ 5mA,10kHz | ||||||||||||||
![]() | 蝙蝠64-05B5003 | - | ![]() | 8446 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 蝙蝠64 | 肖特基 | PG-SOT23 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 40 V | 120mA | 750 mv @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 30 V | 150°C (最大) | |||||||||||
![]() | BAS4002LE6327 | 0.0800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SOD-882 | BAS40 | 肖特基 | PG-TSLP-2-1 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 1 V @ 40 mA | 1 µA @ 30 V | 150°C | 120mA | 3pf @ 0v,1MHz | |||||||||||
![]() | SDT04S60 | - | ![]() | 7268 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | SDT04S | SIC (碳化硅) | PG-TO220-2-2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 600 v | 1.9 V @ 4 A | 0 ns | 200 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 4a | 150pf @ 0v,1MHz | |||||||||||
![]() | IDP12E120XKSA1 | 2.4400 | ![]() | 193 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | IDP12E220 | 标准 | PG-TO220-2-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1200 v | 2.15 V @ 12 A | 150 ns | 100 µA @ 1200 V | -55°C〜150°C | 28a | - | ||||||||||
![]() | IDH06G65C5XKSA2 | 3.3200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | IDH06G65 | SIC (碳化硅) | pg-to220-2-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 6 A | 0 ns | 110 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 6a | 190pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | IDB30E60ATMA1 | 1.3066 | ![]() | 5350 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IDB30 | 标准 | pg-to263-3-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2 V @ 30 A | 126 ns | 50 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 52.3a | - | ||||||||||
![]() | SDT05S60 | - | ![]() | 5434 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | SDT05S | SIC (碳化硅) | PG-TO220-2-2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 600 v | 1.7 V @ 5 A | 0 ns | 200 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 5a | 170pf @ 1V,1MHz | |||||||||||
![]() | SIDC81D120F6X1SA1 | - | ![]() | 2594 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | 表面安装 | 死 | SIDC78D | 标准 | 锯箔 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1200 v | 2.1 V @ 100 A | 27 µA @ 1200 V | -55°C〜150°C | 100a | - | |||||||||||
![]() | BAT15099RE6327HTSA1 | 1.0200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | TO-253-4,TO-253AA | BAT15099 | PG-SOT-143-3D | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 110 MA | 100兆 | 0.5pf @ 0v,1MHz | 肖特基 -交叉 | 4V | - | |||||||||||||
![]() | BAS16UE6327HTSA1 | 0.1129 | ![]() | 6965 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | SC-74,SOT-457 | BAS16 | 标准 | PG-SC74-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 3独立 | 80 V | 200ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µA @ 75 V | 150°C (最大) | ||||||||||
![]() | BAS40-50B5003 | - | ![]() | 8439 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 大部分 | 积极的 | BAS40 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | DD82S10KHPSA1 | - | ![]() | 5129 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | 模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 100 v | 96a | 1.55 V @ 300 A | 40 mA @ 100 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | DD180N20SHPSA1 | - | ![]() | 2167 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | BG-PB34SB-1 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 2000 v | 226a | 1 mA @ 2000 V | -40°C〜135°C | |||||||||||||
![]() | BAS 70-02W E6327 | - | ![]() | 2761 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-80 | BAS 70 | 肖特基 | SCD-80 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 70 v | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 na @ 50 V | -55°C〜125°C | 70mA | 2pf @ 0v,1MHz | |||||||||||
![]() | IDH09SG60CXKSA2 | 4.0156 | ![]() | 8861 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 上次购买 | 通过洞 | TO-220-2 | IDH09SG60 | SIC (碳化硅) | pg-to220-2-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 600 v | 2.1 V @ 9 A | 0 ns | 80 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 9a | 280pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | SIDC06D120H8X1SA2 | - | ![]() | 7658 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 死 | SIDC06D120 | 标准 | 锯箔 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000527596 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1200 v | 1.97 V @ 7.5 A | 27 µA @ 1200 V | -40°C〜175°C | 7.5a | - | ||||||||||
![]() | ND171N18KHPSA1 | - | ![]() | 8414 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | ND171N18 | 标准 | BG-PB34-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1800 v | 20 ma @ 1800 V | -40°C〜135°C | 171a | - | ||||||||||||
![]() | DD350N14KHPSA1 | - | ![]() | 3986 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | DD350N14 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1400 v | 350a | 1.28 V @ 1000 A | 30 ma @ 1400 V | -40°C〜150°C | |||||||||||
![]() | D1600U45X122XPSA1 | 2.0000 | ![]() | 8058 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | do-200ae | D1600U45 | 标准 | BG-D12026K-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 4500 v | 4.3 V @ 2500 A | 150 ma @ 4500 V | 140°C (最大) | 1560a | - | |||||||||||
![]() | BAV 99W H6327 | - | ![]() | 1765年 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BAV 99 | 标准 | PG-SOT323 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 80 V | 200ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 150 na @ 70 V | 150°C (最大) | |||||||||||
![]() | D471N85TXPSA1 | - | ![]() | 8864 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | DO-200AB,B-PUK | D471N85 | 标准 | - | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 8500 v | 3.2 V @ 1200 A | 50 ma @ 8500 V | -40°C〜160°C | 760a | - | ||||||||||||
![]() | BAS70-5 | 1.0000 | ![]() | 9868 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 大部分 | 积极的 | BAS70 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRD3CH82DD6 | - | ![]() | 3199 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | IRD3CH82 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 |
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