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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 电流 -最大 | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电阻 @ if,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IDW40E65D1FKSA1 | 3.1200 | ![]() | 190 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | IDW40E65 | 标准 | PG-TO247-3-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 650 v | 1.7 V @ 40 A | 129 ns | 40 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | 80a | - | ||||||||||
![]() | IDP40E65D2XKSA1 | 2.5600 | ![]() | 298 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | IDP40E65 | 标准 | TO-220-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 650 v | 2.3 V @ 40 A | 75 ns | 40 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | 40a | - | ||||||||||
![]() | IDW40E65D2FKSA1 | 3.2100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | IDW40E65 | 标准 | PG-TO247-3-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 650 v | 2.3 V @ 40 A | 75 ns | 40 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | 80a | - | ||||||||||
![]() | BAR6402EEL6327XTMA1 | 0.4100 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 0402((1006公制) | BAR6402 | PG-TSLP-2-19 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 100 ma | 250兆 | 0.35pf @ 20V,1MHz | PIN-单 | 150V | 1.35OHM @ 100mA,100MHz | |||||||||||||
![]() | IDP20C65D2XKSA1 | 1.7700 | ![]() | 584 | 0.00000000 | Infineon技术 | 快速2 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | IDP20C65 | 标准 | pg-to220-3-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 650 v | 10a | 2.2 V @ 10 A | 28 ns | 40 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | ||||||||||
IDW60C65D1XKSA1 | 2.8100 | ![]() | 626 | 0.00000000 | Infineon技术 | 快速1 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | IDW60C65 | 标准 | pg-to247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 650 v | 30a | 1.7 V @ 30 A | 66 ns | 40 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | |||||||||||
![]() | IDY15S120XKSA1 | - | ![]() | 9932 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-247-3变体 | IDY15S120 | SIC (碳化硅) | PG-TO247HC-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 280 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.8 V @ 10 A | 0 ns | 180 µA @ 1200 V | -55°C〜150°C | 7.5a | 375pf @ 1V,1MHz | |||||||||||
![]() | IDM10G120C5XTMA1 | 6.7900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IDM10G120 | SIC (碳化硅) | pg-to252-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.8 V @ 10 A | 0 ns | 62 µA @ 12 V | -55°C〜150°C | 38a | 29pf @ 800V,1MHz | ||||||||||
![]() | IDP2301XUMA1 | - | ![]() | 6514 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | IDP2301 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001368356 | 过时的 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BAV99UE6359HTMA1 | - | ![]() | 5639 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | SC-74,SOT-457 | BAV99 | 标准 | PG-SC74-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000012614 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 2对系列连接 | 80 V | 100mA(dc) | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 150 na @ 70 V | 150°C (最大) | |||||||||
![]() | 62-0253pbf | - | ![]() | 4770 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 62-02 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001569294 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | IDH20G120C5XKSA1 | 12.9500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | IDH20G120 | SIC (碳化硅) | pg-to220-2-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.8 V @ 20 A | 0 ns | 123 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 56a | 1050pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | IDK05G65C5XTMA1 | - | ![]() | 5259 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IDK05G65 | SIC (碳化硅) | pg-to263-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.8 V @ 5 A | 0 ns | 830 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 5a | 160pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | IDK06G65C5XTMA1 | - | ![]() | 5484 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IDK06G65 | SIC (碳化硅) | pg-to263-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000930848 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.8 V @ 6 A | 0 ns | 1.1 ma @ 650 V | -55°C 〜175°C | 6a | 190pf @ 1V,1MHz | |||||||||
![]() | IDK08G65C 5XTMA1 | - | ![]() | 6574 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IDK08G65 | SIC (碳化硅) | pg-to263-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.8 V @ 8 A | 0 ns | 1.4 ma @ 650 V | -55°C 〜175°C | 8a | 250pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | IDL02G65C5XUMA1 | - | ![]() | 5590 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | 4-POWERTSFN | IDL02G65 | SIC (碳化硅) | PG-VSON-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 2 A | 0 ns | 35 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 2a | 70pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | IDL06G65C5XUMA1 | - | ![]() | 9276 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | 4-POWERTSFN | IDL06G65 | SIC (碳化硅) | PG-VSON-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000941310 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 6 A | 0 ns | 110 µA @ 650 V | -55°C〜150°C | 6a | 190pf @ 1V,1MHz | |||||||||
![]() | IDL08G65C 5XUMA1 | - | ![]() | 5916 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | 4-POWERTSFN | IDL08G65 | SIC (碳化硅) | PG-VSON-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000941312 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 140 µA @ 650 V | -55°C〜150°C | 8a | 250pf @ 1V,1MHz | |||||||||
![]() | IDL10G65C5XUMA1 | - | ![]() | 8903 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | 4-POWERTSFN | IDL10G65 | SIC (碳化硅) | PG-VSON-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000941314 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 180 µA @ 650 V | -55°C〜150°C | 10a | 300pf @ 1V,1MHz | |||||||||
![]() | IDM02G120C5XTMA1 | 3.0900 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IDM02G120 | SIC (碳化硅) | pg-to252-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.65 V @ 2 A | 0 ns | 18 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 2a | 182pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | IDP1301GXUMA1 | - | ![]() | 7720 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | IDP1301 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000951208 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | IDP30E65D1XKSA1 | 2.7900 | ![]() | 893 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | IDP30E65 | 标准 | pg-to220-2-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 650 v | 1.7 V @ 30 A | 64 ns | 40 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | 60a | - | ||||||||||
![]() | IDP30E65D2XKSA1 | 2.1100 | ![]() | 433 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | IDP30E65 | 标准 | pg-to220-2-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 650 v | 2.2 V @ 30 A | 42 ns | 40 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | 60a | - | ||||||||||
IDW20G65C5BXKSA1 | - | ![]() | 5554 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | pg-to247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001224934 | Ear99 | 8541.10.0080 | 240 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 650 v | 10A(DC) | 1.7 V @ 10 A | 180 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | ||||||||||||
IDW24G65C5BXKSA1 | - | ![]() | 8859 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | pg-to247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001224944 | Ear99 | 8541.10.0080 | 240 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 650 v | 12A(DC) | 1.7 V @ 12 A | 190 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | ||||||||||||
IDW40G120C5BFKSA1 | 24.3200 | ![]() | 863 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | IDW40G120 | SIC (碳化硅) | pg-to247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 1200 v | 55A(DC) | 1.65 V @ 20 A | 166 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | ||||||||||||
IDW40G65C5BXKSA1 | - | ![]() | 4144 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | pg-to247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001224952 | Ear99 | 8541.10.0080 | 240 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 650 v | 20A(DC) | 1.7 V @ 20 A | 210 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | ||||||||||||
IDW75D65D1XKSA1 | 4.3000 | ![]() | 773 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | IDW75D65 | 标准 | pg-to247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 650 v | 1.7 V @ 75 A | 108 ns | 40 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | 150a | - | |||||||||||
![]() | BAS7002VH6327XTSA1 | 0.4800 | ![]() | 70 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | BAS7002 | 肖特基 | PG-SC79-2-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 70 v | 1 V @ 15 ma | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150°C (最大) | 70mA | 2pf @ 0v,1MHz | ||||||||||
![]() | BAT6402VH6327XTSA1 | 0.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101,BAT64 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | BAT6402 | 肖特基 | PG-SC79-2-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 750 mv @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 30 V | 150°C (最大) | 250mA | 6pf @ 0v,1MHz |
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