电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 电流 -最大 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电阻 @ if,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 蝙蝠64B5003 | - | ![]() | 5508 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 蝙蝠64 | 肖特基 | PG-SOT23 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 750 mv @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 30 V | 150°C (最大) | 120mA | 6pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | IRD3CH16DF6 | - | ![]() | 7260 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | IRD3CH16 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001540428 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | BA895E6327 | 0.0400 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | SC-80 | SCD-80 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 50 mA | 0.6pf @ 10V,1MHz | PIN-单 | 50V | 7ohm @ 10mA,100MHz | ||||||||||||||
![]() | BAV70E6767 | 0.0200 | ![]() | 96 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAV70 | 标准 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 80 V | 200ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 150 na @ 70 V | 150°C | |||||||||||||
![]() | SIDC56D120F6X1SA1 | - | ![]() | 5635 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | 表面安装 | 死 | SIDC56D | 标准 | 锯箔 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1200 v | 2.1 V @ 75 A | 27 µA @ 1200 V | -55°C〜150°C | 75a | - | ||||||||||
![]() | ND261N26KHPSA1 | - | ![]() | 1395年 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | ND261N | 标准 | BG-PB50ND-1 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2600 v | 40 ma @ 2600 V | -40°C〜135°C | 260a | - | |||||||||||
![]() | BAS40E6327HTSA1 | 0.4600 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS40 | 肖特基 | PG-SOT23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 1 V @ 40 mA | 100 ps | 1 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 120mA | 5pf @ 0v,1MHz | |||||||||
![]() | DD89N18KHPSA1 | - | ![]() | 7769 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | DD89N18 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 1800 v | 89a | 1.5 V @ 300 A | 20 ma @ 1800 V | -40°C〜150°C | ||||||||||
![]() | SDT08S60 | - | ![]() | 2814 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | SDT08S | SIC (碳化硅) | PG-TO220-2-2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 600 v | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 300 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 8a | 280pf @ 0v,1MHz | ||||||||||
![]() | 蝙蝠54B5003 | - | ![]() | 9227 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 蝙蝠54 | 肖特基 | PG-SOT23 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 30 V | 800 mv @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 150°C (最大) | 200mA | 10pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
IDW30S120FKSA1 | - | ![]() | 6351 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | pg-to247-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 240 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 1200 v | 15A(DC) | 1.8 V @ 30 A | 305 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | |||||||||||||
IDW80C65D1XKSA1 | 3.9300 | ![]() | 6095 | 0.00000000 | Infineon技术 | 快速1 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | IDW80C65 | 标准 | pg-to247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 650 v | 40a | 1.7 V @ 40 A | 77 ns | 40 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | ||||||||||
![]() | IRD3CH9DF6 | - | ![]() | 7396 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | IRD3CH9 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001544604 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | IDL04G65C5XUMA1 | - | ![]() | 9637 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | 4-POWERTSFN | IDL04G65 | SIC (碳化硅) | PG-VSON-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 4 A | 0 ns | 70 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 4a | 130pf @ 1V,1MHz | |||||||||
![]() | MMBD914LT1HTSA1 | 0.3900 | ![]() | 57 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MMBD914 | 标准 | PG-SOT23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 100 na @ 75 V | 150°C (最大) | 250mA | 2pf @ 0v,1MHz | |||||||||
![]() | DZ600N14KHQSA2 | - | ![]() | 4930 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | DZ600N14 | 标准 | BG-PB501-1 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | SP000860148 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1400 v | 1.4 V @ 2200 A | 40 ma @ 1400 V | 150°C (最大) | 735a | - | ||||||||||
![]() | SIDC81D120H6X1SA2 | - | ![]() | 1856年 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | 表面安装 | 死 | SIDC78D | 标准 | 锯箔 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1200 v | 1.6 V @ 150 A | 27 µA @ 1200 V | -55°C〜150°C | 150a | - | ||||||||||
![]() | IDH03G65C5XKSA1 | - | ![]() | 9974 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-2 | IDH03G65 | SIC (碳化硅) | PG-TO220-2-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 3 A | 0 ns | 50 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 3a | 100pf @ 1V,1MHz | |||||||||
![]() | SDB06S60 | - | ![]() | 3891 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SDB06S | SIC (碳化硅) | pg-to220-3-45 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 600 v | 1.7 V @ 6 A | 0 ns | 200 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 6a | 300pf @ 0v,1MHz | |||||||||
![]() | IDH12G65C6XKSA1 | 6.1100 | ![]() | 420 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | IDH12G65 | SIC (碳化硅) | pg-to220-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.35 V @ 12 A | 0 ns | 40 µA @ 420 V | -55°C 〜175°C | 27a | 594pf @ 1V,1MHz | |||||||||
![]() | BAT6404WE6327HTSA1 | - | ![]() | 3772 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101,BAT64 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BAT6404 | 肖特基 | PG-SOT323 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 40 V | 250mA | 750 mv @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 30 V | 150°C (最大) | ||||||||||
![]() | DD1200S33K2CB3NOSA1 | - | ![]() | 2426 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | A-IHV130-3 | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2独立 | 3300 v | 1200a(DC) | 3.5 V @ 1200 A | 1700 A @ 1800 V | -40°C〜125°C | |||||||||||||
![]() | IDH05SG60CXKSA1 | - | ![]() | 8217 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-2 | IDH05SG60 | SIC (碳化硅) | PG-TO220-2-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 600 v | 2.3 V @ 5 A | 0 ns | 30 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 5a | 110pf @ 1V,1MHz | |||||||||
![]() | DD241S14KAHPSA1 | - | ![]() | 4773 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | 模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1400 v | 261a | 1.55 V @ 800 A | 200 ma @ 1400 V | 150°C | ||||||||||||
![]() | D1030N26TXPSA1 | 192.2900 | ![]() | 8296 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 夹紧 | DO-200AB,B-PUK | D1030N26 | 标准 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2600 v | 1.11 V @ 10000 A | 40 ma @ 2600 V | -40°C〜160°C | 1030a | - | ||||||||||
![]() | DZ1070N28KHPSA1 | 782.4600 | ![]() | 5082 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DZ1070 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2800 v | 1.52 V @ 3400 A | 150 ma @ 2800 V | -40°C〜150°C | 1070a | - | ||||||||||
![]() | D690S20TXPSA1 | - | ![]() | 3572 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | DO-200AB,B-PUK | D690S20 | 标准 | - | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2000 v | 2.7 V @ 3000 A | 9 µs | 25 ma @ 2000 V | -40°C〜150°C | 690a | - | ||||||||||
![]() | IRD3CH5DB6 | - | ![]() | 8509 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 死 | IRD3CH5 | 标准 | 死 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001538760 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1200 v | 2.7 V @ 5 A | 96 ns | 100 NA @ 1200 V | -40°C〜150°C | 5a | - | |||||||||
![]() | D690S26TS01XPSA1 | - | ![]() | 8959 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | DO-200AB,B-PUK | D690S26 | 标准 | BG-D5726K-1 | - | 不适用 | 到达不受影响 | SP001046358 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2600 v | 2.7 V @ 3000 A | 9 µs | 25 ma @ 2600 V | 150°C (最大) | 690a | - | |||||||||
![]() | BAS12504WE6327HTSA1 | - | ![]() | 1077 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BAS125 | 肖特基 | PG-SOT323 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 25 v | 100mA(dc) | 950 MV @ 35 mA | 150 na @ 25 V | 150°C (最大) |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库