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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DD380N16KHPSA1 | - | ![]() | 8048 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | DD380N16 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1600 v | 380a | 1.4 V @ 1600 A | 25 ma @ 1600 V | -40°C〜150°C | |||||
![]() | D740N42TXPSA1 | - | ![]() | 5913 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | DO-200AB,B-PUK | D740N42 | 标准 | - | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 4200 v | 1.45 V @ 700 A | 70 mA @ 4200 V | -40°C〜160°C | 750a | - | ||||||
![]() | SIDC30D120H6X1SA4 | - | ![]() | 8048 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | 表面安装 | 死 | sidc30d | 标准 | 锯箔 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1200 v | 1.6 V @ 50 A | 27 µA @ 1200 V | -55°C〜150°C | 50a | - | |||||
![]() | IDH10S60CAKSA1 | - | ![]() | 2049 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-2 | IDH10S60 | SIC (碳化硅) | PG-TO220-2-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 600 v | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 140 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 10a | 480pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | DD171N12KKHPSA2 | 191.5900 | ![]() | 7045 | 0.00000000 | Infineon技术 | DD171N | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DD171N12 | 标准 | - | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1200 v | 171a | 1.26 V @ 500 A | 20 ma @ 1200 V | 150°C | ||||||
![]() | IRD3CH42DB6 | - | ![]() | 3101 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 死 | IRD3CH42 | 标准 | 死 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001547488 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1200 v | 2.7 V @ 75 A | 285 ns | 1.5 µA @ 1200 V | -40°C〜150°C | 75a | - | ||||
![]() | D770N14TXPSA1 | - | ![]() | 5128 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | DO-200AA,A-PUK | D770N | 标准 | - | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1400 v | 1.08 V @ 400 A | 30 ma @ 1400 V | -40°C〜180°C | 770a | - | ||||||
![]() | DD98N24KHPSA1 | - | ![]() | 9851 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | 模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 2400 v | 98a | 1.53 V @ 300 A | 25 ma @ 2400 V | -40°C〜150°C | |||||||
![]() | IDY10S120XKSA1 | - | ![]() | 1301 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-247-3变体 | IDY10S120 | SIC (碳化硅) | PG-TO247HC-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 280 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.8 V @ 10 A | 0 ns | 120 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 5a | 250pf @ 1V,1MHz | |||||
![]() | IDD09E60BUMA1 | - | ![]() | 7944 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IDD09E60 | 标准 | pg-to252-3 | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2 V @ 9 A | 75 ns | 50 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 19.3a | - | |||||
![]() | BAV 99T E6327 | - | ![]() | 8939 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | BAV 99 | 标准 | PG-SC75-3D | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 80 V | 200ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 150 na @ 70 V | 150°C (最大) | ||||
![]() | PX3847DDQG004XUMA1 | - | ![]() | 5211 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | PX3847DD | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | BAS4004E6433HTMA1 | 0.4200 | ![]() | 38 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS4004 | 肖特基 | PG-SOT23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 40 V | 120mA(DC) | 1 V @ 40 mA | 100 ps | 1 µA @ 30 V | 150°C (最大) | ||||
![]() | DD104N12KKHPSA1 | - | ![]() | 5563 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | POW-R-Blok™模块 | 标准 | POW-R-Blok™模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1200 v | 104a | 1.4 V @ 300 A | 20 ma @ 1200 V | 150°C | |||||||
![]() | IDC75S120C5X7SA1 | 100.6560 | ![]() | 8688 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | - | - | IDC75 | - | - | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||
IDW20G120C5BFKSA1 | 14.7700 | ![]() | 2748 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | IDW20G120 | SIC (碳化硅) | pg-to247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 1200 v | 31a | 1.65 V @ 10 A | 83 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | ||||||
![]() | IDD04SG60CXTMA1 | - | ![]() | 3636 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IDD04SG60 | SIC (碳化硅) | PG-TO252-3-11 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 600 v | 2.3 V @ 4 A | 0 ns | 25 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 5.6a | 80pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | IDH09G65C5XKSA1 | - | ![]() | 9475 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-2 | IDH09G65 | SIC (碳化硅) | PG-TO220-2-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 9 A | 0 ns | 310 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 9a | 270pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | DD89N12KHPSA1 | 114.8300 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DD89N12 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 1200 v | 89a | 1.5 V @ 300 A | 20 ma @ 1200 V | -40°C〜150°C | |||||
![]() | BAS4005WH6327XTSA1 | 0.4200 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BAS4005 | 肖特基 | PG-SOT323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 40 V | 120mA(DC) | 1 V @ 40 mA | 100 ps | 1 µA @ 30 V | 150°C (最大) | ||||
![]() | BAT64E6327HTSA1 | 0.4500 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101,BAT64 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAT64 | 肖特基 | PG-SOT23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 750 mv @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 30 V | 150°C (最大) | 120mA | 6pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | gateleadwhbu445xxpsa1 | 29.6100 | ![]() | 4691 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | - | - | Gateleadwhbu445 | - | - | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | |||||||||
![]() | DD390N16SHPSA1 | 113.1500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DD390N16 | 标准 | BG-PB50SB-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1600 v | 390a | 1.34 V @ 800 A | 1 ma @ 1600 V | -40°C〜125°C | |||||
![]() | DD340N22SHPSA1 | 108.9300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DD340N22 | 标准 | BG-PB50SB-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 2200 v | 330a | 1 MA @ 2200 V | -40°C〜135°C | ||||||
![]() | BAL99 | - | ![]() | 3268 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 标准 | SOT23-3(TO-236) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,959 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 80 V | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µA @ 70 V | 150°C (最大) | 250mA | 1.5pf @ 0v,1MHz | |||||
IDW30G120C5BFKSA1 | 20.2600 | ![]() | 43 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | IDW30G120 | SIC (碳化硅) | pg-to247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 1200 v | 44A(DC) | 1.65 V @ 15 A | 124 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | ||||||
![]() | IDD12SG60CXTMA1 | - | ![]() | 9536 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IDD12SG60 | SIC (碳化硅) | pg-to252-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 600 v | 2.1 V @ 12 A | 0 ns | 100 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 12a | 310pf @ 1V,1MHz | |||||
![]() | SIDC46D170HX1SA2 | - | ![]() | 4014 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | 表面安装 | 死 | SIDC46D | 标准 | 锯箔 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1700 v | 1.8 V @ 75 A | 27 µA @ 1700 V | -55°C〜150°C | 75a | - | |||||
IDW30E60AFKSA1 | - | ![]() | 4097 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-247-3 | IDW30E60 | 标准 | pg-to247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000547582 | Ear99 | 8541.10.0080 | 240 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2 V @ 30 A | 143 ns | 40 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 60a | - | ||||
![]() | D56S45CXPSA1 | - | ![]() | 5345 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | D56S45C | 标准 | - | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 4500 v | 4.5 V @ 320 A | 3.3 µs | 5 ma @ 4500 V | -40°C〜125°C | 102a | - |
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