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（1803）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
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SDT08S60	-	RFQ	2814	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	过时的		通过洞	TO-220-2	SDT08S	SIC （碳化硅）	PG-TO220-2-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500	没有恢复t> 500mA（IO）		600 v		1.7 V @ 8 A	0 ns	300 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	8a	280pf @ 0v，1MHz
DZ600N14KHQSA2	-	RFQ	4930	Infineon技术	-	托盘	过时的		底盘安装	模块	DZ600N14	标准	BG-PB501-1	下载		不适用	到达不受影响	SP000860148	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1400 v		1.4 V @ 2200 A		40 ma @ 1400 V	150°C （最大）	735a	-
DD1200S33K2CB3NOSA1	-	RFQ	2426	Infineon技术	-	托盘	过时的		底盘安装	模块		标准	A-IHV130-3	下载			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	2独立	3300 v	1200a（DC）	3.5 V @ 1200 A		1700 A @ 1800 V	-40°C〜125°C
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SIDC03D60C8X1SA2	-	RFQ	5547	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	死	SIDC03	标准	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1.95 V @ 10 A		27 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	10a	-
IDDD06G65C6XTMA1	1.7992	RFQ	5899	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	10-powersop模块	IDD06	SIC （碳化硅）	PG-HDSOP-10-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001679786	Ear99	8541.10.0080	1,700	没有恢复t> 500mA（IO）		650 v			0 ns	20 µA @ 420 V	-55°C 〜175°C	18a	302pf @ 1V，1MHz
BAV70SH6727XTSA1	-	RFQ	2702	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BAV70	标准	PG-SOT363-6-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	15,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	2对普通阴极	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	150 na @ 70 V	150°C （最大）
D471N80TXPSA1	-	RFQ	4714	Infineon技术	-	大部分	过时的		底盘安装	DO-200AB，B-PUK	D471N80	标准	-	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		8000 v		3.2 V @ 1200 A		50 ma @ 8000 V	-40°C〜160°C	760a	-
D56S45CXPSA1	-	RFQ	5345	Infineon技术	-	大部分	过时的		螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	D56S45C	标准	-	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		4500 v		4.5 V @ 320 A	3.3 µs	5 ma @ 4500 V	-40°C〜125°C	102a	-
IDWD40G120C5XKSA1	24.3200	RFQ	1	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	积极的		通过洞	TO-247-2	IDWD40	SIC （碳化硅）	pg-to247-2	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	没有恢复t> 500mA（IO）		1200 v		1.65 V @ 40 A	0 ns	332 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	110a	2592pf @ 1V，1MHz
BAT64-04B5003	-	RFQ	7220	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAT64	肖特基	PG-SOT23-3-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对系列连接	40 V	120mA	750 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 30 V	150°C
BAS28WE6327BTSA1	-	RFQ	4369	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-82A，SOT-343	BAS28	标准	PG-SOT343-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	2独立	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	100 na @ 75 V	150°C （最大）
SIDC42D120F6X1SA3	-	RFQ	8529	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产		表面安装	死	sidc42d	标准	锯箔	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1200 v		2.1 V @ 50 A		27 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	50a	-
IDL12G65C5XUMA2	6.4300	RFQ	15	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	4-POWERTSFN	IDL12G65	SIC （碳化硅）	PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	没有恢复t> 500mA（IO）		650 v		1.7 V @ 12 A	0 ns	190 µA @ 650 V	-55°C〜150°C	12a	360pf @ 1V，1MHz
SIDC81D60E6X1SA3	-	RFQ	1454	Infineon技术	-	大部分	过时的		表面安装	死	SIDC78D	标准	锯箔	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1.25 V @ 200 A		27 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	200a	-
BAS4007WH6327XTSA1	0.5500	RFQ	21	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-82A，SOT-343	BAS4007	肖特基	PG-SOT343-4-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	2独立	40 V	120mA（DC）	1 V @ 40 mA	100 ps	1 µA @ 30 V	150°C （最大）
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BB 659C-02V H7902	-	RFQ	8167	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	BB 659C		PG-SC79-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000										2.75pf @ 28V，1MHz	单身的	30 V	15.3	C1/C28	-
BAT54-04E6327	-	RFQ	2834	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAT54	肖特基	PG-SOT23-3-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对系列连接	30 V	200ma（dc）	800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	150°C
BAT54B5003	0.0200	RFQ	90	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAT54		PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	3,000
ND89N16KHPSA2	104.2340	RFQ	2081	Infineon技术	-	托盘	积极的		底盘安装	模块		标准	-	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.30.0080	15	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1600 v		1.5 V @ 300 A		20 mA @ 1.6 kV	150°C	89a	-
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BAS16E6393	0.0300	RFQ	144	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS16	标准		下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		80 V		1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µA @ 75 V	150°C （最大）	250mA	2pf @ 0v，1MHz
IDH12G65C5XKSA1	-	RFQ	4396	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产		通过洞	TO-220-2	IDH12	SIC （碳化硅）	pg-to220-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500	没有恢复t> 500mA（IO）		650 v		1.7 V @ 12 A	0 ns	190 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	12a	360pf @ 1V，1MHz
BAS28E6359HTMA1	-	RFQ	1482	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BAS28	标准	PG-SOT143-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	2独立	80 V	100mA（dc）	1.2 V @ 100 ma	4 ns	100 na @ 75 V	150°C （最大）
DD261N20KHPSA1	-	RFQ	5626	Infineon技术	-	大部分	过时的		底盘安装	模块	DD261N20	标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对系列连接	2000 v	260a	1.42 V @ 800 A		40 mA @ 2000 V	-40°C〜150°C
IRD3CH9DF6	-	RFQ	7396	Infineon技术	-	大部分	过时的				IRD3CH9			下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001544604	Ear99	8541.10.0080	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1803）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²