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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 电流 -最大 | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电阻 @ if,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DD1200S33K2CB3S2NDSA1 | - | ![]() | 8477 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | A-IHV130-3 | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 3300 v | 1200a(DC) | 3.5 V @ 1200 A | 1700 A @ 1800 V | -40°C〜125°C | |||||||||||||
![]() | DD800S33K2CB3S2NDSA1 | - | ![]() | 5768 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | DD800S33 | 标准 | A-IHV130-3 | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 3300 v | 800A(DC) | 3.5 V @ 800 A | 1100 A @ 1800 V | -40°C〜125°C | ||||||||||||
![]() | DD1200S33K2CB3NOSA1 | - | ![]() | 2426 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | A-IHV130-3 | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 3300 v | 1200a(DC) | 3.5 V @ 1200 A | 1700 A @ 1800 V | -40°C〜125°C | |||||||||||||
![]() | SIDC04D60F6X7SA1 | - | ![]() | 4081 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 死 | SIDC04D60 | 标准 | 死 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.6 V @ 9 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 9a | - | ||||||||||
![]() | SIDC06D60E6X7SA1 | - | ![]() | 2990 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 死 | SIDC06D60 | 标准 | 死 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.25 V @ 10 A | 27 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 10a | - | ||||||||||
![]() | SIDC14D60F6X1SA4 | - | ![]() | 1255 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 死 | SIDC14D60 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.6 V @ 45 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 45a | - | ||||||||||
![]() | SIDC03D60C8X7SA2 | - | ![]() | 2064 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 死 | SIDC03 | 标准 | 死 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.95 V @ 10 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 10a | - | ||||||||||
![]() | SIDC08D60C8X7SA1 | - | ![]() | 5224 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 死 | SIDC08 | 标准 | 死 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.95 V @ 30 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 30a | - | ||||||||||
![]() | SIDC07D60E6X1SA3 | - | ![]() | 6662 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 死 | SIDC07D60 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.25 V @ 15 A | 27 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 15a | - | ||||||||||
![]() | SIDC06D60F6X7SA1 | - | ![]() | 9034 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 死 | SIDC06D60 | 标准 | 死 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.6 V @ 15 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 15a | - | ||||||||||
![]() | SIDC03D60F6X7SA1 | - | ![]() | 6036 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 死 | SIDC03 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.6 V @ 6 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 6a | - | ||||||||||
![]() | SIDC06D60F6X1SA2 | - | ![]() | 3377 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 死 | SIDC06D60 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.6 V @ 15 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 15a | - | ||||||||||
![]() | SIDC06D60E6X1SA1 | - | ![]() | 8408 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 死 | SIDC06D60 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.25 V @ 10 A | 27 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 10a | - | ||||||||||
![]() | SIDC14D60E6X1SA4 | - | ![]() | 9281 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 死 | SIDC14D60 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.25 V @ 30 A | 27 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 30a | - | ||||||||||
![]() | SIDC09D60E6X1SA3 | - | ![]() | 4016 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 死 | SIDC09D60 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.7 V @ 20 A | 150 ns | 27 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 20a | - | |||||||||
![]() | SIDC06D60E6X1SA4 | - | ![]() | 6100 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 死 | SIDC06D60 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.25 V @ 10 A | 27 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 10a | - | ||||||||||
![]() | SIDC04D60F6X1SA2 | - | ![]() | 7851 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 死 | SIDC04 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.6 V @ 9 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 9a | - | ||||||||||
![]() | SIDC26D60C8X1SA1 | - | ![]() | 2069 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 死 | SIDC26D | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.9 V @ 100 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 100a | - | ||||||||||
![]() | SIDC04D60F6X1SA4 | - | ![]() | 1378 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 死 | SIDC04 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.6 V @ 9 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 9a | - | ||||||||||
![]() | SIDC07D60F6X1SA1 | - | ![]() | 5717 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 死 | SIDC07D60 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.6 V @ 22.5 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 22.5a | - | ||||||||||
![]() | SIDC03D60C8X1SA2 | - | ![]() | 5547 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 死 | SIDC03 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.95 V @ 10 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 10a | - | ||||||||||
![]() | IDK05G120C5XTMA1 | 5.4100 | ![]() | 603 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IDK05G120 | SIC (碳化硅) | pg-to263-2-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.8 V @ 5 A | 33 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 19.1a | 301pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | IDK08G120C5XTMA1 | 6.2300 | ![]() | 955 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IDK08G120 | SIC (碳化硅) | pg-to263-2-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.95 V @ 8 A | 40 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 22.8a | 365pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | IDK10G120C5XTMA1 | 7.1600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IDK10G120 | SIC (碳化硅) | pg-to263-2-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.8 V @ 10 A | 18 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 31.9a | 525pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | AIDK10S65C5ATMA1 | 5.4200 | ![]() | 7703 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101,COOLSIC™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | AIDK10 | SIC (碳化硅) | pg-to263-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 60 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | 10a | 303pf @ 1V,1MHz | |||||||||
![]() | DD261N22KTIMHPSA1 | 238.3867 | ![]() | 2270 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DD261N22 | 标准 | BG-PB50-1 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 1对系列连接 | 2200 v | 260a | 1.42 V @ 800 A | 40 mA @ 2200 V | 150°C (最大) | |||||||||||
![]() | DD540N22KTIMHPSA1 | 385.0000 | ![]() | 4506 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DD540N22 | 标准 | BG-PB60AT-1 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 1对系列连接 | 2200 v | 540a | 1.48 V @ 1.7 ka | 40 mA @ 2200 V | 150°C (最大) | |||||||||||
![]() | BAV74 | 0.0400 | ![]() | 58 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAV74 | 标准 | SOT-23-3 | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 50 V | 200mA | 1 V @ 100 ma | 4 ns | 100 na @ 50 V | 150°C (最大) | |||||||||||
![]() | DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 | 72.0300 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 标准 | Ag-Easy1b-1 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 1.85 V @ 20 A | 58 µA @ 1200 V | 20 a | 单相 | 1.2 kV | ||||||||||||
![]() | BAR6502WE6327 | 0.0300 | ![]() | 5069 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | SC-76,SOD-323 | PG-SOD323-2-1 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1,500 | 100 ma | 250兆 | 0.8pf @ 3V,1MHz | PIN-单 | 30V | 900MOHM @ 10mA,100MHz |
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