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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 电流 -最大 | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电阻 @ if,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAS16UE6727HTSA1 | - | ![]() | 3639 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | SC-74,SOT-457 | BAS16 | 标准 | PG-SC74-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 3独立 | 80 V | 100mA(dc) | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 1 µA @ 75 V | 150°C (最大) | ||||||||||
![]() | BAS21UE6359HTMA1 | - | ![]() | 5939 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | SC-74,SOT-457 | BAS21 | 标准 | PG-SC74-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 3独立 | 200 v | 125mA(dc) | 1 V @ 100 ma | 50 ns | 100 na @ 200 V | 150°C (最大) | ||||||||||
![]() | BAS28E6359HTMA1 | - | ![]() | 1482 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | TO-253-4,TO-253AA | BAS28 | 标准 | PG-SOT143-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 2独立 | 80 V | 100mA(dc) | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 100 na @ 75 V | 150°C (最大) | ||||||||||
![]() | BAV170E6359HTMA1 | - | ![]() | 2104 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAV170 | 标准 | PG-SOT23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 80 V | 100mA(dc) | 1.1 V @ 50 mA | 1.5 µs | 5 na @ 75 V | 150°C (最大) | ||||||||||
![]() | BAV199E6359HTMA1 | - | ![]() | 1788年 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAV199 | 标准 | PG-SOT23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 80 V | 200ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 1.5 µs | 5 na @ 75 V | 150°C (最大) | ||||||||||
![]() | BAW78DH6327XTSA1 | 0.2765 | ![]() | 2134 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | TO-243AA | BAW78 | 标准 | PG-SOT89 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.6 V @ 1 A | 1 µs | 1 µA @ 400 V | 150°C (最大) | 1a | 10pf @ 0v,1MHz | ||||||||||
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![]() | BAR9002ELSE6327XTSA1 | 0.4700 | ![]() | 75 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 0201(0603公制) | BAR9002 | PG-TSSLP-2-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 100 ma | 250兆 | 0.35pf @ 1V,1MHz | PIN-单 | 80V | 800MOHM @ 10mA,100MHz | |||||||||||||
![]() | BAT1502EEL6327XTMA1 | 0.6700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 0402((1006公制) | BAT1502 | PG-TSLP-2-19 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 110 MA | 100兆 | 0.35pf @ 0v,1MHz | 肖特基 -单身 | 4V | - | |||||||||||||
![]() | BAT1502LSE6433XTMA1 | 0.6000 | ![]() | 69 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 0201(0603公制) | BAT1502 | PG-TSSLP-2-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 70,000 | 110 MA | 100兆 | 0.23pf @ 0v,1MHz | 肖特基 -单身 | 4V | 10ohm @ 50mA,1MHz | |||||||||||||
![]() | IDH02G65C5XKSA1 | - | ![]() | 7677 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-2 | IDH02G65 | SIC (碳化硅) | pg-to220-2-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 2 A | 0 ns | 35 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 2a | 70pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | IDH05G120C5XKSA1 | 5.6000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | IDH05G120 | SIC (碳化硅) | pg-to220-2-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.8 V @ 5 A | 0 ns | 33 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 5a | 301pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | IDH10G120C5XKSA1 | 7.8000 | ![]() | 4804 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | IDH10G120 | SIC (碳化硅) | pg-to220-2-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.8 V @ 10 A | 0 ns | 62 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 10a | 525pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | IDH12G65C5XKSA1 | - | ![]() | 4396 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-2 | IDH12 | SIC (碳化硅) | pg-to220-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 12 A | 0 ns | 190 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 12a | 360pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | IDK09G65C5XTMA1 | - | ![]() | 6678 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IDK09G65 | SIC (碳化硅) | pg-to263-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.8 V @ 9 A | 0 ns | 1.6 ma @ 650 V | -55°C 〜175°C | 9a | 270pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | IDK10G65C5XTMA1 | - | ![]() | 3919 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IDK10G65 | SIC (碳化硅) | pg-to263-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.8 V @ 10 A | 0 ns | 1.7 mA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 10a | 300pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | IDK12G65C5XTMA1 | - | ![]() | 2464 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IDK12G65 | SIC (碳化硅) | pg-to263-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.8 V @ 12 A | 0 ns | 2.1 ma @ 650 V | -55°C 〜175°C | 12a | 360pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | IDL04G65C5XUMA1 | - | ![]() | 9637 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | 4-POWERTSFN | IDL04G65 | SIC (碳化硅) | PG-VSON-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 4 A | 0 ns | 70 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 4a | 130pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | IDW15G120C5BFKSA1 | 11.2700 | ![]() | 190 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | IDW15G120 | SIC (碳化硅) | pg-to247-3-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 1200 v | 24A(DC) | 1.6 V @ 7.5 A | 62 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | |||||||||||
IDW30G120C5BFKSA1 | 20.2600 | ![]() | 43 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | IDW30G120 | SIC (碳化硅) | pg-to247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 1200 v | 44A(DC) | 1.65 V @ 15 A | 124 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | ||||||||||||
![]() | 62-0254pbf | - | ![]() | 6269 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 62-02 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001574078 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | D251N18BB01XPSA1 | - | ![]() | 3837 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 螺柱坐骑 | BG-DSW27-1 | D251N | 标准 | BG-DSW27-1 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000090534 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 1800 v | 30 ma @ 1800 V | -40°C〜180°C | 255a | - | |||||||||||
![]() | DD171N16KKHOSA1 | - | ![]() | 8911 | 0.00000000 | Infineon技术 | DD171N | 托盘 | 过时的 | - | - | DD171N16 | - | - | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000096916 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||
![]() | gateleadwhbu445xxpsa1 | 29.6100 | ![]() | 4691 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | - | - | Gateleadwhbu445 | - | - | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | |||||||||||||||
![]() | IDDD06G65C6XTMA1 | 1.7992 | ![]() | 5899 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 10-powersop模块 | IDD06 | SIC (碳化硅) | PG-HDSOP-10-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001679786 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,700 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 0 ns | 20 µA @ 420 V | -55°C 〜175°C | 18a | 302pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | IDDD10G65C6XTMA1 | 5.1200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 10-powersop模块 | IDDD10 | SIC (碳化硅) | PG-HDSOP-10-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,700 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 0 ns | 33 µA @ 420 V | -55°C 〜175°C | 29a | 495pf @ 1V,1MHz | |||||||||||
![]() | IDD16G65C6XTMA1 | 7.2400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 10-powersop模块 | IDD16 | SIC (碳化硅) | PG-HDSOP-10-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,700 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 0 ns | 53 µA @ 420 V | -55°C 〜175°C | 43a | 783pf @ 1V,1MHz | |||||||||||
![]() | IDDD20G65C6XTMA1 | 9.0500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 10-powersop模块 | IDDD20 | SIC (碳化硅) | PG-HDSOP-10-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,700 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 0 ns | 67 µA @ 420 V | -55°C 〜175°C | 51a | 970pf @ 1V,1MHz | |||||||||||
![]() | AIDW30E60 | - | ![]() | 5295 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 管子 | 积极的 | AIDW30 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 240 | ||||||||||||||||||||||
![]() | IDY10S120XKSA1 | - | ![]() | 1301 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-247-3变体 | IDY10S120 | SIC (碳化硅) | PG-TO247HC-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 280 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.8 V @ 10 A | 0 ns | 120 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 5a | 250pf @ 1V,1MHz |
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