SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 电流 -最大 ((() 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 电阻 @ if,f
BAS16UE6727HTSA1 Infineon Technologies BAS16UE6727HTSA1 -
RFQ
ECAD 3639 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 上次购买 表面安装 SC-74,SOT-457 BAS16 标准 PG-SC74-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 3独立 80 V 100mA(dc) 1.2 V @ 100 ma 4 ns 1 µA @ 75 V 150°C (最大)
BAS21UE6359HTMA1 Infineon Technologies BAS21UE6359HTMA1 -
RFQ
ECAD 5939 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 上次购买 表面安装 SC-74,SOT-457 BAS21 标准 PG-SC74-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 3独立 200 v 125mA(dc) 1 V @ 100 ma 50 ns 100 na @ 200 V 150°C (最大)
BAS28E6359HTMA1 Infineon Technologies BAS28E6359HTMA1 -
RFQ
ECAD 1482 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 上次购买 表面安装 TO-253-4,TO-253AA BAS28 标准 PG-SOT143-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 2独立 80 V 100mA(dc) 1.2 V @ 100 ma 4 ns 100 na @ 75 V 150°C (最大)
BAV170E6359HTMA1 Infineon Technologies BAV170E6359HTMA1 -
RFQ
ECAD 2104 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 上次购买 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAV170 标准 PG-SOT23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对普通阴极 80 V 100mA(dc) 1.1 V @ 50 mA 1.5 µs 5 na @ 75 V 150°C (最大)
BAV199E6359HTMA1 Infineon Technologies BAV199E6359HTMA1 -
RFQ
ECAD 1788年 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 上次购买 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAV199 标准 PG-SOT23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对系列连接 80 V 200ma(dc) 1.25 V @ 150 mA 1.5 µs 5 na @ 75 V 150°C (最大)
BAW78DH6327XTSA1 Infineon Technologies BAW78DH6327XTSA1 0.2765
RFQ
ECAD 2134 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 上次购买 表面安装 TO-243AA BAW78 标准 PG-SOT89 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) 400 v 1.6 V @ 1 A 1 µs 1 µA @ 400 V 150°C (最大) 1a 10pf @ 0v,1MHz
BAW79DH6327XTSA1 Infineon Technologies BAW79DH6327XTSA1 0.2765
RFQ
ECAD 7579 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 上次购买 表面安装 TO-243AA BAW79 标准 PG-SOT89 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 400 v 500mA 1.6 V @ 1 A 1 µs 1 µA @ 400 V 150°C (最大)
BAR9002ELSE6327XTSA1 Infineon Technologies BAR9002ELSE6327XTSA1 0.4700
RFQ
ECAD 75 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 0201(0603公制) BAR9002 PG-TSSLP-2-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 15,000 100 ma 250兆 0.35pf @ 1V,1MHz PIN-单 80V 800MOHM @ 10mA,100MHz
BAT1502ELE6327XTMA1 Infineon Technologies BAT1502EEL6327XTMA1 0.6700
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 0402((1006公制) BAT1502 PG-TSLP-2-19 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 15,000 110 MA 100兆 0.35pf @ 0v,1MHz 肖特基 -单身 4V -
BAT1502LSE6433XTMA1 Infineon Technologies BAT1502LSE6433XTMA1 0.6000
RFQ
ECAD 69 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 0201(0603公制) BAT1502 PG-TSSLP-2-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 70,000 110 MA 100兆 0.23pf @ 0v,1MHz 肖特基 -单身 4V 10ohm @ 50mA,1MHz
IDH02G65C5XKSA1 Infineon Technologies IDH02G65C5XKSA1 -
RFQ
ECAD 7677 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-2 IDH02G65 SIC (碳化硅) pg-to220-2-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 500 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 2 A 0 ns 35 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 2a 70pf @ 1V,1MHz
IDH05G120C5XKSA1 Infineon Technologies IDH05G120C5XKSA1 5.6000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 IDH05G120 SIC (碳化硅) pg-to220-2-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.8 V @ 5 A 0 ns 33 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 5a 301pf @ 1V,1MHz
IDH10G120C5XKSA1 Infineon Technologies IDH10G120C5XKSA1 7.8000
RFQ
ECAD 4804 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 IDH10G120 SIC (碳化硅) pg-to220-2-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.8 V @ 10 A 0 ns 62 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 10a 525pf @ 1V,1MHz
IDH12G65C5XKSA1 Infineon Technologies IDH12G65C5XKSA1 -
RFQ
ECAD 4396 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-2 IDH12 SIC (碳化硅) pg-to220-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 500 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 12 A 0 ns 190 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 12a 360pf @ 1V,1MHz
IDK09G65C5XTMA1 Infineon Technologies IDK09G65C5XTMA1 -
RFQ
ECAD 6678 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IDK09G65 SIC (碳化硅) pg-to263-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.8 V @ 9 A 0 ns 1.6 ma @ 650 V -55°C 〜175°C 9a 270pf @ 1V,1MHz
IDK10G65C5XTMA1 Infineon Technologies IDK10G65C5XTMA1 -
RFQ
ECAD 3919 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IDK10G65 SIC (碳化硅) pg-to263-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.8 V @ 10 A 0 ns 1.7 mA @ 650 V -55°C 〜175°C 10a 300pf @ 1V,1MHz
IDK12G65C5XTMA1 Infineon Technologies IDK12G65C5XTMA1 -
RFQ
ECAD 2464 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IDK12G65 SIC (碳化硅) pg-to263-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.8 V @ 12 A 0 ns 2.1 ma @ 650 V -55°C 〜175°C 12a 360pf @ 1V,1MHz
IDL04G65C5XUMA1 Infineon Technologies IDL04G65C5XUMA1 -
RFQ
ECAD 9637 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 4-POWERTSFN IDL04G65 SIC (碳化硅) PG-VSON-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 4 A 0 ns 70 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 4a 130pf @ 1V,1MHz
IDW15G120C5BFKSA1 Infineon Technologies IDW15G120C5BFKSA1 11.2700
RFQ
ECAD 190 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 IDW15G120 SIC (碳化硅) pg-to247-3-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 1200 v 24A(DC) 1.6 V @ 7.5 A 62 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
IDW30G120C5BFKSA1 Infineon Technologies IDW30G120C5BFKSA1 20.2600
RFQ
ECAD 43 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 IDW30G120 SIC (碳化硅) pg-to247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 1200 v 44A(DC) 1.65 V @ 15 A 124 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
62-0254PBF Infineon Technologies 62-0254pbf -
RFQ
ECAD 6269 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 62-02 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001574078 Ear99 8541.10.0080 1
D251N18BB01XPSA1 Infineon Technologies D251N18BB01XPSA1 -
RFQ
ECAD 3837 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 螺柱坐骑 BG-DSW27-1 D251N 标准 BG-DSW27-1 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 SP000090534 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) 1800 v 30 ma @ 1800 V -40°C〜180°C 255a -
DD171N16KKHOSA1 Infineon Technologies DD171N16KKHOSA1 -
RFQ
ECAD 8911 0.00000000 Infineon技术 DD171N 托盘 过时的 - - DD171N16 - - - (1 (无限) 到达不受影响 SP000096916 过时的 0000.00.0000 1 - - - -
GATELEADWHBU445XXPSA1 Infineon Technologies gateleadwhbu445xxpsa1 29.6100
RFQ
ECAD 4691 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 - - Gateleadwhbu445 - - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 0000.00.0000 1 - - - -
IDDD06G65C6XTMA1 Infineon Technologies IDDD06G65C6XTMA1 1.7992
RFQ
ECAD 5899 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 10-powersop模块 IDD06 SIC (碳化硅) PG-HDSOP-10-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 SP001679786 Ear99 8541.10.0080 1,700 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 0 ns 20 µA @ 420 V -55°C 〜175°C 18a 302pf @ 1V,1MHz
IDDD10G65C6XTMA1 Infineon Technologies IDDD10G65C6XTMA1 5.1200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 10-powersop模块 IDDD10 SIC (碳化硅) PG-HDSOP-10-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,700 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 0 ns 33 µA @ 420 V -55°C 〜175°C 29a 495pf @ 1V,1MHz
IDDD16G65C6XTMA1 Infineon Technologies IDD16G65C6XTMA1 7.2400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 10-powersop模块 IDD16 SIC (碳化硅) PG-HDSOP-10-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,700 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 0 ns 53 µA @ 420 V -55°C 〜175°C 43a 783pf @ 1V,1MHz
IDDD20G65C6XTMA1 Infineon Technologies IDDD20G65C6XTMA1 9.0500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 10-powersop模块 IDDD20 SIC (碳化硅) PG-HDSOP-10-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,700 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 0 ns 67 µA @ 420 V -55°C 〜175°C 51a 970pf @ 1V,1MHz
AIDW30E60 Infineon Technologies AIDW30E60 -
RFQ
ECAD 5295 0.00000000 Infineon技术 * 管子 积极的 AIDW30 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 240
IDY10S120XKSA1 Infineon Technologies IDY10S120XKSA1 -
RFQ
ECAD 1301 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 管子 过时的 通过洞 TO-247-3变体 IDY10S120 SIC (碳化硅) PG-TO247HC-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 280 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.8 V @ 10 A 0 ns 120 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 5a 250pf @ 1V,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库