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（1803）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）
IDV15E65D2XKSA1	1.4300	RFQ	490	Infineon技术	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-2	IDV15E65	标准	TO-220-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		650 v		2.2 V @ 15 A	47 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	15a	-
BAS70-02LE6327	1.0000	RFQ	8183	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SOD-882		肖特基	PG-TSLP-2-1	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	15,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度		70 v		1 V @ 15 mA	100 ps	100 na @ 50 V	150°C	70mA	1.5pf @ 0v，1MHz
BAS4004E6327HTSA1	0.4200	RFQ	24	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS4004	肖特基	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对系列连接	40 V	120mA（DC）	1 V @ 40 mA	100 ps	1 µA @ 30 V	150°C （最大）
BAV 70S H6327	-	RFQ	1796年	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BAV 70	标准	PG-SOT363-6	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	2对普通阴极	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	150 na @ 70 V	150°C （最大）
IDW10G120C5BFKSA1	9.5800	RFQ	7118	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	IDW10G120	SIC （碳化硅）	pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	1200 v	17a	1.65 V @ 5 A		40 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C
IDK03G65C5XTMA2	1.0880	RFQ	6794	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IDK03G65	SIC （碳化硅）	pg-to263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	没有恢复t> 500mA（IO）		650 v		1.8 V @ 3 A	0 ns	500 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	3a	100pf @ 1V，1MHz
IRD3CH31DF6	-	RFQ	5804	Infineon技术	-	大部分	过时的				IRD3CH31			下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001535692	Ear99	8541.10.0080	1
D931SH65TXPSA1	1.0000	RFQ	4596	Infineon技术	-	托盘	积极的		底盘安装	do-200AD	D931SH65	标准	-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2	标准恢复> 500ns，> 200ma（io）		6500 v		5.6 V @ 2500 A		100 ma @ 6500 V	0°C〜140°C	1220a	-
BAW78DE6327HTSA1	-	RFQ	7583	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-243AA	BAW78D	标准	PG-SOT89	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io）		400 v		1.6 V @ 1 A	1 µs	1 µA @ 400 V	150°C （最大）	1a	10pf @ 0v，1MHz
BAS2103WE6327HTSA1	0.4700	RFQ	349	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	SC-76，SOD-323	BAS2103W	标准	pg-sod323-3d	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 200 V	150°C （最大）	250mA	5pf @ 0v，1MHz
BAW56SH6327XTSA1	0.1059	RFQ	2612	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BAW56	标准	PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	2对公共阳极	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	150 na @ 70 V	150°C （最大）
IDW10G65C5XKSA1	5.7400	RFQ	1732年	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	IDW10G65	SIC （碳化硅）	pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001633164	Ear99	8541.10.0080	30	没有恢复t> 500mA（IO）		650 v		1.7 V @ 10 A	0 ns	180 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	10a	300pf @ 1V，1MHz
IDW30E65D1FKSA1	2.3100	RFQ	361	Infineon技术	-	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	IDW30E65	标准	PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		650 v		1.7 V @ 30 A	115 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	60a	-
BAV99UE6327HTSA1	0.1337	RFQ	4756	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	SC-74，SOT-457	BAV99	标准	PG-SC74-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	2对系列连接	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	150 na @ 70 V	150°C （最大）
SDT10S30	-	RFQ	1251	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	过时的		通过洞	TO-220-2	SDT10S	SIC （碳化硅）	PG-TO220-2-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500	没有恢复t> 500mA（IO）		300 v		1.7 V @ 10 A	0 ns	200 µA @ 300 V	-55°C 〜175°C	10a	600pf @ 0v，1MHz
D3001N65T	-	RFQ	9070	Infineon技术	-	大部分	积极的		底盘安装	do-200ae	D3001N65	标准	-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	SP000091255	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io）		6500 v		1.7 V @ 4000 A		100 ma @ 6500 V	-40°C〜160°C	3910a	-
BAS3007ARPPE6327HTSA1	0.7200	RFQ	5	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BAS3007	标准	PG-SOT-143-3D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000							350 µA @ 30 V		900 MA		单相	30 V
IDH10G65C5XKSA1	-	RFQ	8252	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产		通过洞	TO-220-2	IDH10G65	SIC （碳化硅）	PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	没有恢复t> 500mA（IO）		650 v		1.7 V @ 10 A	0 ns	340 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	10a	300pf @ 1V，1MHz
IDH08G65C 5XKSA1	-	RFQ	6243	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产		通过洞	TO-220-2	IDH08G65	SIC （碳化硅）	PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500	没有恢复t> 500mA（IO）		650 v		1.7 V @ 8 A	0 ns	280 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	8a	250pf @ 1V，1MHz
IDH20G65C5XKSA1	-	RFQ	3532	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产		通过洞	TO-220-2	IDH20	SIC （碳化硅）	PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	没有恢复t> 500mA（IO）		650 v		1.7 V @ 20 A	0 ns	700 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	20a	590pf @ 1V，1MHz
IDH03G65C5XKSA1	-	RFQ	9974	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产		通过洞	TO-220-2	IDH03G65	SIC （碳化硅）	PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500	没有恢复t> 500mA（IO）		650 v		1.7 V @ 3 A	0 ns	50 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	3a	100pf @ 1V，1MHz
IDH04G65C5XKSA1	-	RFQ	7539	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产		通过洞	TO-220-2	IDH04G65	SIC （碳化硅）	PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500	没有恢复t> 500mA（IO）		650 v		1.7 V @ 4 A	0 ns	140 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	4a	130pf @ 1V，1MHz
IDH09G65C5XKSA1	-	RFQ	9475	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产		通过洞	TO-220-2	IDH09G65	SIC （碳化硅）	PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500	没有恢复t> 500mA（IO）		650 v		1.7 V @ 9 A	0 ns	310 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	9a	270pf @ 1V，1MHz
HFA08TB60PBF	-	RFQ	9438	Infineon技术	hexfred®	管子	过时的		通过洞	TO-220-2	HFA08	标准	TO-220AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		1.7 V @ 8 A	55 ns	5 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	8a	-
HFA15TB60PBF	-	RFQ	9436	Infineon技术	hexfred®	管子	过时的		通过洞	TO-220-2	HFA15	标准	TO-220AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		1.7 V @ 15 A	60 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	15a	-
IDW20G120C5BFKSA1	14.7700	RFQ	2748	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	IDW20G120	SIC （碳化硅）	pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	1200 v	31a	1.65 V @ 10 A		83 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C
IDW80C65D2XKSA1	3.7400	RFQ	55	Infineon技术	快速2	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	IDW80C65	标准	pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	650 v	40a	2.2 V @ 40 A	36 NS	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C
IDP30C65D2XKSA1	1.6349	RFQ	8552	Infineon技术	快速2	管子	积极的		通过洞	TO-220-3	IDP30C65	标准	pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	650 v	15a	2.2 V @ 15 A	31 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C
IDW30C65D1XKSA1	3.2900	RFQ	1425	Infineon技术	快速1	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	IDW30C65	标准	PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	650 v	15a	1.7 V @ 15 A	71 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C
BAS16E6393HTSA1	-	RFQ	6270	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS16	标准	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000010204	Ear99	8541.10.0070	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		80 V		1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µA @ 75 V	150°C （最大）	250mA	2pf @ 0v，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1803）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²