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（1803）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
AIDW40S65C5XKSA1	11.1900	RFQ	293	Infineon技术	汽车，AEC-Q100/101，Coolsic™	管子	上次购买		通过洞	TO-247-3	AIDW40	SIC （碳化硅）	pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	没有恢复t> 500mA（IO）		650 v		1.7 V @ 40 A	0 ns	120 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	40a	1138pf @ 1V，1MHz
D4201N22TXPSA1	1.0000	RFQ	4460	Infineon技术	-	托盘	积极的		底盘安装	do-200ae	D4201N22	标准	-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		2200 v		1 V @ 4000 A		200 ma @ 2200 V	-40°C〜160°C	6010a	-
BAS40-05E6327	1.0000	RFQ	4145	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS40	肖特基	PG-SOT23-3-11	下载					Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对普通阴极	40 V	120mA（DC）	1 V @ 40 mA		1 µA @ 30 V	150°C
SIDC14D60C6	-	RFQ	8888	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产		表面安装	死	SIDC14D60	标准	锯箔	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP000015066	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1.9 V @ 50 A		27 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	50a	-
BAS7007E6327HTSA1	0.5400	RFQ	966	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BAS7007	肖特基	PG-SOT-143-3D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	2独立	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 mA	100 ps	100 na @ 50 V	150°C （最大）
DD1200S12H4	-	RFQ	9762	Infineon技术	-	大部分	积极的		底盘安装	模块	DD1200	标准	AG-IHMB130-2	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	2独立	1200 v	-	2.35 V @ 1200 A		475 A @ 600 V	-40°C〜150°C
D2650N24TVFXPSA1	489.3350	RFQ	5378	Infineon技术	-	托盘	积极的		底盘安装	do-200 ac，k-puk	D2650N24	标准	-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	4	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		2400 v		1.25 V @ 2500 A		200 ma @ 2400 V	-40°C〜180°C	2650a	-
SDP06S60	-	RFQ	4855	Infineon技术	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-3	SDP06S	SIC （碳化硅）	pg-to220-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500	没有恢复t> 500mA（IO）		600 v		1.7 V @ 6 A	0 ns	200 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	6a	300pf @ 0v，1MHz
D251N16BXPSA1	-	RFQ	6082	Infineon技术	-	大部分	过时的		螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	D251N	标准	-	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1600 v				30 ma @ 1600 V	-40°C〜180°C	255a	-
SIDC08D60C8X1SA2	-	RFQ	4818	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	死	SIDC08	标准	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1.95 V @ 30 A		27 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	30a	-
D8320N06TVFXPSA1	862.5600	RFQ	7370	Infineon技术	-	托盘	积极的		底盘安装	do-200AD	D8320N06	标准	-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		795 MV @ 4000 A		100 ma @ 600 V	-25°C〜150°C	8320a	-
BBY53-03WE6327	0.1400	RFQ	2	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C	表面安装	SC-76，SOD-323			PG-SOD323-2	下载					Ear99	8541.10.0070	2,450										3.1pf @ 3V，1MHz	单身的	6 V	2.2	C1/C3	-
62-0209pbf	-	RFQ	8445	Infineon技术	-	大部分	过时的				62-02			下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001562842	Ear99	8541.10.0080	1
SIDC23D120H6X1SA1	-	RFQ	6709	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产		表面安装	死	sidc23d	标准	锯箔	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1200 v		1.6 V @ 35 A		27 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	35a	-
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BAS16SH6727XTSA1	-	RFQ	1425	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BAS16	标准	PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	3独立	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µA @ 75 V	150°C （最大）
IDH08SG60CXKSA1	-	RFQ	9511	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产		通过洞	TO-220-2	IDH08SG60	SIC （碳化硅）	PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500	没有恢复t> 500mA（IO）		600 v		2.1 V @ 8 A	0 ns	70 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	8a	240pf @ 1V，1MHz
IDW10G65C5XKSA1	5.7400	RFQ	1732年	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	IDW10G65	SIC （碳化硅）	pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001633164	Ear99	8541.10.0080	30	没有恢复t> 500mA（IO）		650 v		1.7 V @ 10 A	0 ns	180 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	10a	300pf @ 1V，1MHz
D251N14BXPSA1	-	RFQ	7898	Infineon技术	-	大部分	过时的		螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	D251N	标准	-	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1400 v				30 ma @ 1400 V	-40°C〜180°C	255a	-
BAS1602WH6327XTSA1	-	RFQ	6265	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-80	BAS1602	标准	SCD-80	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度		80 V		1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µA @ 75 V	150°C （最大）	200mA	2pf @ 0v，1MHz
IDW50E60FKSA1	3.0800	RFQ	2845	Infineon技术	-	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	IDW50E60	标准	pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	240	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		2 V @ 50 A	115 ns	40 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	80a	-
BAS4002LE6327XTMA1	0.3700	RFQ	15	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOD-882	BAS4002	肖特基	PG-TSLP-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	15,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度		40 V		1 V @ 40 mA	100 ps	1 µA @ 30 V	-55°C〜150°C	120mA	5pf @ 0v，1MHz
IDH16G65C5XKSA2	7.7800	RFQ	900	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	积极的		通过洞	TO-220-2	IDH16G65	SIC （碳化硅）	pg-to220-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	没有恢复t> 500mA（IO）		650 v		1.7 V @ 16 A	0 ns	200 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	16a	470pf @ 1V，1MHz
BAS 70-04 B5003	-	RFQ	9784	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS 70	肖特基	PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对系列连接	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 mA	100 ps	100 na @ 50 V	150°C （最大）
BAS40-05W	0.0900	RFQ	51	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	BAS40	肖特基	PG-SOT323-3	下载					Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对普通阴极	40 V	120mA（DC）	1 V @ 40 mA		1 µA @ 30 V	150°C
IRD3CH53DB6	-	RFQ	3427	Infineon技术	-	大部分	过时的		表面安装	死	IRD3CH53	标准	死	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001533446	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1200 v		2.7 V @ 100 A	270 ns	2 µA @ 1200 V	-40°C〜150°C	100a	-
D1031SH45TXPSA1	1.0000	RFQ	9019	Infineon技术	-	托盘	积极的		底盘安装	do-200AD	D1031SH45	标准	-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		4500 v		4.2 V @ 2500 A		100 ma @ 4500 V	0°C〜140°C	1450a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1803）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²