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（1803）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	电压-DC 反向（（vr）（VR））	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f
DD81S12KHPSA1	-	RFQ	5507	Infineon技术	-	大部分	过时的	底盘安装	模块		标准	模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	15	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对系列连接	1200 v	96a	1.55 V @ 300 A		40 ma @ 1200 V	150°C
DD89N14KHPSA2	112.9860	RFQ	4384	Infineon技术	-	托盘	积极的	底盘安装	模块		标准	模块	-	rohs3符合条件			448-DD89N14KHPSA2	Ear99	8541.30.0080	15	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对系列连接	1400 v	89a	1.5 V @ 300 A		20 mA @ 1.4 kV	150°C
DD89N16KHPSA2	109.0080	RFQ	9011	Infineon技术	-	托盘	积极的	底盘安装	模块		标准	模块	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.30.0080	15	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对系列连接	1600 v	89a	1.5 V @ 300 A		20 mA @ 1.6 kV	150°C
DD700N22KXPSA1	342.0400	RFQ	2387	Infineon技术	-	托盘	积极的	底盘安装	模块		-	BG-PB60E2A-1	下载	rohs3符合条件			448-DD700N22KXPSA1	Ear99	8541.30.0080	2	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对系列连接	2200 v	700a	1.36 V @ 2200 A		40 mA @ 2.2 kV	150°C
DZ435N40KHPSA1	388.6200	RFQ	2	Infineon技术	-	托盘	积极的	底盘安装	模块	DZ435N40	标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		4000 v		1.71 V @ 1200 A		50 ma @ 4000 V	-40°C〜150°C	700a	-
PX3244HDMG008XTMA1	-	RFQ	3640	Infineon技术	-	托盘	过时的			PX3244HD			-	rohs3符合条件		到达不受影响		过时的		1
BAV99UE6327HTSA1	0.1337	RFQ	4756	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	表面安装	SC-74，SOT-457	BAV99	标准	PG-SC74-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	2对系列连接	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	150 na @ 70 V	150°C （最大）
SIDC14D60E6X1SA1	-	RFQ	1150	Infineon技术	-	大部分	过时的	表面安装	死	SIDC14D60	标准	锯箔	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1.25 V @ 30 A		27 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	30a	-
SIDC56D120E6X1SA1	-	RFQ	3837	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产	表面安装	死	SIDC56D	标准	锯箔	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1200 v		1.9 V @ 75 A		27 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	75a	-
IDH16G65C6XKSA1	6.4900	RFQ	1	Infineon技术	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-2	IDH16G65	SIC （碳化硅）	pg-to220-2	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	没有恢复t> 500mA（IO）		650 v		1.35 V @ 16 A	0 ns	53 µA @ 420 V	-55°C 〜175°C	34a	783pf @ 1V，1MHz
BAS16WH6327	0.0400	RFQ	69	Infineon技术	-	大部分	积极的	表面安装	SC-70，SOT-323	BAS16	标准	SOT-323	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	8,013	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		80 V		1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µA @ 75 V	150°C （最大）	250mA	2pf @ 0v，1MHz
IDT10S60CHKSA1	-	RFQ	7190	Infineon技术	-	管子	过时的			IDT10S60			下载		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	500
BAW79DE6327HTSA1	-	RFQ	1109	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	表面安装	TO-243AA	BAW79	标准	PG-SOT89	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对普通阴极	400 v	1A（DC）	1.6 V @ 1 A	1 µs	1 µA @ 400 V	150°C （最大）
DDB6U144N16RBOSA1	108.9600	RFQ	3	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产	底盘安装	模块	DDB6U144	标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10	-	3独立	1600 v	-	1.65 V @ 150 A		5 ma @ 1600 V	-40°C〜150°C
BAS16SE6327BTSA1	-	RFQ	8216	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BAS16	标准	PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	3独立	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µA @ 75 V	150°C （最大）
D911SH45T	-	RFQ	5847	Infineon技术	-	大部分	积极的	底盘安装	do-200AD	D911SH45	标准	-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	SP000091218	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		4500 v		6 V @ 2500 A		100 ma @ 4500 V	0°C〜140°C	1140a	-
IRD3CH24DD6	-	RFQ	8979	Infineon技术	-	大部分	过时的			IRD3CH24			下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1
SIDC03D120F6X1SA1	-	RFQ	9824	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产	表面安装	死	SIDC03	标准	锯箔	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1200 v		2.1 V @ 2 A		27 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	2a	-
D850N36TXPSA1	-	RFQ	9333	Infineon技术	-	大部分	过时的	夹紧	DO-200AB，B-PUK	D850N	标准	-	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		3600 v		1.28 V @ 850 A		50 ma @ 3600 V	-40°C〜160°C	850a	-
D970N08TXPSA1	-	RFQ	9178	Infineon技术	-	大部分	过时的	底盘安装	DO-200AA，A-PUK	D970N0	标准	-	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		800 v		970 MV @ 750 A		20 ma @ 800 V	-40°C〜180°C	970a	-
IDC08D120T6MX1SA2	-	RFQ	4632	Infineon技术	-	大部分	过时的	表面安装	死	IDC08D120	标准	锯箔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000301857	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1200 v		2.05 V @ 10 A		2.7 µA @ 1200 V	-40°C〜175°C	10a	-
IDC40S120C5X7SA1	41.4720	RFQ	7018	Infineon技术	-	大部分	积极的	-	-	IDC40S120	-	-	-	rohs3符合条件		到达不受影响			0000.00.0000	1	-							-	-	-
DD540N22KXPSA1	299.5200	RFQ	6768	Infineon技术	-	托盘	积极的	底盘安装	模块		标准	BG-PB60E2A-1	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.30.0080	2	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对系列连接	2200 v	540a	1.48 V @ 1.7 ka		40 mA @ 2.2 kV	150°C
IDT04S60CHKSA1	-	RFQ	4759	Infineon技术	-	管子	过时的			IDT04S60			下载		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	500
PX3746HDNSM1386XTMA1	-	RFQ	9972	Infineon技术	-	托盘	过时的			PX3746HD			-	rohs3符合条件		到达不受影响		过时的		1
SIDC08D60C6	-	RFQ	6306	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产	表面安装	死	SIDC08	标准	锯箔	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP000015029	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1.95 V @ 30 A		27 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	30a	-
IDH06G65C5XKSA1	-	RFQ	1193	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产	通过洞	TO-220-2	IDH06G65	SIC （碳化硅）	PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500	没有恢复t> 500mA（IO）		650 v		1.7 V @ 6 A	0 ns	210 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	6a	190pf @ 1V，1MHz
IDP12E120XKSA1390	-	RFQ	6583	Infineon技术	IDP	大部分	积极的	通过洞	TO-220-2		标准	pg-to220-2	下载					Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1200 v		2.15 V @ 12 A	150 ns	100 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	28a	-
IDP45E60XKSA2	-	RFQ	2304	Infineon技术	-	管子	过时的			IPD45			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		50
D251K20BXPSA1	-	RFQ	1971年	Infineon技术	-	大部分	过时的	螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	D251K	标准	-	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		2000 v				30 ma @ 2000 V	-40°C〜180°C	255a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1803）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²