SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 电流 -最大 ((() 二极管配置 电压-DC 反向((vr)(VR)) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 电阻 @ if,f 电容比 电容比条件 q @ vr,f
DZ600N18KHPSA1 Infineon Technologies DZ600N18KHPSA1 274.4000
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 底盘安装 模块 DZ600N18 标准 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1800 v 40 ma @ 1800 V -40°C〜150°C 600a
IDP2302XUMA1 Infineon Technologies IDP2302XUMA1 -
RFQ
ECAD 4224 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 IDP2302 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 SP001368358 0000.00.0000 2,500
DF160R12W2H3FB11BOMA1 Infineon Technologies DF160R12W2H3FB11BOMA1 -
RFQ
ECAD 5669 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 在sic中停产 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 DF160R12 标准 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 SP000908738 Ear99 8541.10.0080 15 950 MV @ 30 A 100 µA @ 1.2 V 50 a 单相 1.2 v
DF80R12W2H3FB11BOMA1 Infineon Technologies DF80R12W2H3FB11BOMA1 -
RFQ
ECAD 3343 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 在sic中停产 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 DF80R12 标准 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 SP000908732 Ear99 8541.10.0080 15 950 MV @ 30 A 100 µA @ 1.2 V 50 a 单相 1.2 v
F475R07W2H3B51BOMA1 Infineon Technologies F475R07W2H3B51BOMA1 -
RFQ
ECAD 9515 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 在sic中停产 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 F475R07 标准 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 1.7 V @ 37.5 A 37.5 a 单相 650 v
IDC08S120EX1SA3 Infineon Technologies IDC08S120EX1SA3 -
RFQ
ECAD 7356 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 大部分 过时的 表面安装 IDC08S120 SIC (碳化硅) 锯箔 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP000599930 Ear99 8541.10.0080 1 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.8 V @ 7.5 A 0 ns 180 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 7.5a 380pf @ 1V,1MHz
BA885E6327 Infineon Technologies BA885E6327 0.0800
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PG-SOT23-3-11 下载 Ear99 8541.10.0070 1 50 mA 0.6pf @ 10V,1MHz PIN-单 50V -
IDD05SG60C Infineon Technologies IDD05SG60C 1.0000
RFQ
ECAD 9368 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 大部分 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SIC (碳化硅) pg-to252-3 下载 Ear99 8542.39.0001 1 没有恢复t> 500mA(IO) 600 v 2.3 V @ 5 A 0 ns 30 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 5a 110pf @ 1V,1MHz
BAS40-06E6327 Infineon Technologies BAS40-06E6327 0.0900
RFQ
ECAD 39 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAS40 肖特基 PG-SOT23 下载 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对公共阳极 40 V 120mA(DC) 1 V @ 40 mA 1 µA @ 30 V 150°C
BAT64-04E6433 Infineon Technologies BAT64-04E6433 0.0800
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAT64 肖特基 PG-SOT23-3-11 下载 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对系列连接 40 V 120mA 750 mv @ 100 ma 5 ns 2 µA @ 30 V 150°C
BA595E6327 Infineon Technologies BA595E6327 0.0500
RFQ
ECAD 1683年 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 150°C(TJ) SC-76,SOD-323 PG-SOD323-2-1 下载 Ear99 8541.10.0070 4,020 50 mA 0.6pf @ 10V,1MHz PIN-单 50V -
IDH10SG60C Infineon Technologies IDH10SG60C 1.0000
RFQ
ECAD 2192 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 大部分 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC (碳化硅) PG-TO220-2-2 下载 0000.00.0000 1 没有恢复t> 500mA(IO) 600 v 2.1 V @ 10 A 0 ns 90 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 10a 290pf @ 1V,1MHz
BAS70-04E6327 Infineon Technologies BAS70-04E6327 1.0000
RFQ
ECAD 6830 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAS70 肖特基 PG-SOT23 下载 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对系列连接 70 v 70mA(dc) 1 V @ 15 mA 100 ps 100 na @ 50 V 150°C
BAS140WE6327 Infineon Technologies BAS140WE6327 1.0000
RFQ
ECAD 9325 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 表面安装 SC-76,SOD-323 肖特基 PG-SOD323-2 下载 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 40 V 1 V @ 40 mA 100 ps 1 µA @ 30 V -55°C〜150°C 120mA 5pf @ 0v,1MHz
BAT64-06E6327 Infineon Technologies BAT64-06E6327 1.0000
RFQ
ECAD 6025 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAT64 肖特基 PG-SOT23 下载 Ear99 8541.10.0070 1 1对公共阳极
BAR65-03WE6327 Infineon Technologies BAR65-03WE6327 0.0800
RFQ
ECAD 54 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 150°C(TJ) SC-76,SOD-323 PG-SOD323-2-1 下载 Ear99 8541.10.0070 1 100 ma 250兆 0.8pf @ 3V,1MHz PIN-单 30V 900MOHM @ 10mA,100MHz
IDW40E65D2 Infineon Technologies IDW40E65D2 -
RFQ
ECAD 9751 0.00000000 Infineon技术 IDW 大部分 积极的 通过洞 TO-247-3 标准 pg-to247-3 下载 Ear99 8542.39.0001 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 650 v 2.3 V @ 40 A 75 ns 40 µA @ 650 V -40°C〜175°C 80a -
IDP15E65D1 Infineon Technologies IDP15E65D1 -
RFQ
ECAD 9156 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 通过洞 TO-220-2 标准 pg-to220-2-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 650 v 1.7 V @ 15 A 114 ns 40 µA @ 650 V -40°C〜175°C 30a -
BBY53-03WE6327 Infineon Technologies BBY53-03WE6327 0.1400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 SC-76,SOD-323 PG-SOD323-2 下载 Ear99 8541.10.0070 2,450 3.1pf @ 3V,1MHz 单身的 6 V 2.2 C1/C3 -
BAS40-05W Infineon Technologies BAS40-05W 0.0900
RFQ
ECAD 51 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 表面安装 SC-70,SOT-323 BAS40 肖特基 PG-SOT323-3 下载 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对普通阴极 40 V 120mA(DC) 1 V @ 40 mA 1 µA @ 30 V 150°C
BAT240AE6327 Infineon Technologies BAT240AE6327 1.0000
RFQ
ECAD 8380 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAT240A 肖特基 PG-SOT23 下载 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对系列连接 240 v 400mA(DC) 900 mv @ 400 mA 5 µA @ 200 V 150°C
BAS40-05E6327 Infineon Technologies BAS40-05E6327 1.0000
RFQ
ECAD 4145 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAS40 肖特基 PG-SOT23-3-11 下载 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对普通阴极 40 V 120mA(DC) 1 V @ 40 mA 1 µA @ 30 V 150°C
IDP30E60 Infineon Technologies IDP30E60 -
RFQ
ECAD 1798年 0.00000000 Infineon技术 IDP 大部分 积极的 通过洞 TO-220-2 标准 pg-to220-2 下载 Ear99 8542.39.0001 323 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2 V @ 30 A 126 ns 50 µA @ 600 V -40°C〜175°C 52.3a -
BBY5305WH6327XTSA1554 Infineon Technologies BBY5305WH6327XTSA1554 1.0000
RFQ
ECAD 4257 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 SC-70,SOT-323 PG-SOT323-3 下载 Ear99 8541.10.0070 1 3.1pf @ 3V,1MHz 1对普通阴极 6 V 2.2 C1/C3 -
BAS70-07E6433 Infineon Technologies BAS70-07E6433 0.1200
RFQ
ECAD 137 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 表面安装 TO-253-4,TO-253AA BAS70 肖特基 PG-SOT143-4 下载 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 2独立 70 v 70mA(dc) 1 V @ 15 mA 100 ps 100 na @ 50 V 150°C
BAS70-06E6433 Infineon Technologies BAS70-06E6433 0.0900
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAS70 肖特基 PG-SOT23 下载 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对公共阳极 70 v 70mA(dc) 1 V @ 15 mA 100 ps 100 na @ 50 V 150°C
BB555H7902 Infineon Technologies BB555H7902 1.0000
RFQ
ECAD 4949 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 -55°C〜150°C 表面安装 SC-80 PG-SCD80-2 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0070 1 2.3pf @ 28V,1MHz 单身的 30 V 8.9 C1/C28 -
BB 804 SF2 E6327 Infineon Technologies BB 804 SF2 E6327 0.0400
RFQ
ECAD 3543 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 -55°C〜125°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PG-SOT23 下载 不适用 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 6,000 47.5pf @ 2V,1MHz 1对普通阴极 18 V 1.71 C2/C8 200 @ 2V,100MHz
56DN06B02ELEMXPSA1 Infineon Technologies 56DN06B02ELEMXPSA1 383.9800
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 夹紧 DO-200AB,B-PUK 56DN06 标准 E-EUPEC-0 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 940 MV @ 8000 A 60 ma @ 600 V 180°C (最大) 11140a -
65DN06B02ELEMXPSA1 Infineon Technologies 65DN06B02ELEMXPSA1 616.8400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 夹紧 do-200 ac,k-puk 65DN06 标准 BG-D-Elem-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 890 mv @ 8000 A 100 ma @ 600 V 180°C (最大) 15130a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库