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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 电流 -最大 | ((() | 二极管配置 | 电压-DC 反向((vr)(VR)) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电阻 @ if,f | 电容比 | 电容比条件 | q @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DZ600N18KHPSA1 | 274.4000 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DZ600N18 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1800 v | 40 ma @ 1800 V | -40°C〜150°C | 600a | ||||||||||||||||
![]() | IDP2302XUMA1 | - | ![]() | 4224 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | IDP2302 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001368358 | 0000.00.0000 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DF160R12W2H3FB11BOMA1 | - | ![]() | 5669 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | DF160R12 | 标准 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000908738 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 950 MV @ 30 A | 100 µA @ 1.2 V | 50 a | 单相 | 1.2 v | |||||||||||||||
![]() | DF80R12W2H3FB11BOMA1 | - | ![]() | 3343 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | DF80R12 | 标准 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000908732 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 950 MV @ 30 A | 100 µA @ 1.2 V | 50 a | 单相 | 1.2 v | |||||||||||||||
![]() | F475R07W2H3B51BOMA1 | - | ![]() | 9515 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | F475R07 | 标准 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.7 V @ 37.5 A | 37.5 a | 单相 | 650 v | |||||||||||||||||
![]() | IDC08S120EX1SA3 | - | ![]() | 7356 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 死 | IDC08S120 | SIC (碳化硅) | 锯箔 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000599930 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.8 V @ 7.5 A | 0 ns | 180 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 7.5a | 380pf @ 1V,1MHz | |||||||||||||
![]() | BA885E6327 | 0.0800 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | PG-SOT23-3-11 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 50 mA | 0.6pf @ 10V,1MHz | PIN-单 | 50V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | IDD05SG60C | 1.0000 | ![]() | 9368 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SIC (碳化硅) | pg-to252-3 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 600 v | 2.3 V @ 5 A | 0 ns | 30 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 5a | 110pf @ 1V,1MHz | |||||||||||||||||
![]() | BAS40-06E6327 | 0.0900 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS40 | 肖特基 | PG-SOT23 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 40 V | 120mA(DC) | 1 V @ 40 mA | 1 µA @ 30 V | 150°C | |||||||||||||||||
![]() | BAT64-04E6433 | 0.0800 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAT64 | 肖特基 | PG-SOT23-3-11 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 40 V | 120mA | 750 mv @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 30 V | 150°C | ||||||||||||||||
![]() | BA595E6327 | 0.0500 | ![]() | 1683年 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | SC-76,SOD-323 | PG-SOD323-2-1 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 4,020 | 50 mA | 0.6pf @ 10V,1MHz | PIN-单 | 50V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | IDH10SG60C | 1.0000 | ![]() | 2192 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | PG-TO220-2-2 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 600 v | 2.1 V @ 10 A | 0 ns | 90 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 10a | 290pf @ 1V,1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BAS70-04E6327 | 1.0000 | ![]() | 6830 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS70 | 肖特基 | PG-SOT23 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 70 v | 70mA(dc) | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150°C | ||||||||||||||||
![]() | BAS140WE6327 | 1.0000 | ![]() | 9325 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 肖特基 | PG-SOD323-2 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 1 V @ 40 mA | 100 ps | 1 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 120mA | 5pf @ 0v,1MHz | |||||||||||||||||
![]() | BAT64-06E6327 | 1.0000 | ![]() | 6025 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAT64 | 肖特基 | PG-SOT23 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 1对公共阳极 | |||||||||||||||||||||||
![]() | BAR65-03WE6327 | 0.0800 | ![]() | 54 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | SC-76,SOD-323 | PG-SOD323-2-1 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 ma | 250兆 | 0.8pf @ 3V,1MHz | PIN-单 | 30V | 900MOHM @ 10mA,100MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | IDW40E65D2 | - | ![]() | 9751 | 0.00000000 | Infineon技术 | IDW | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | 标准 | pg-to247-3 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 650 v | 2.3 V @ 40 A | 75 ns | 40 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | 80a | - | |||||||||||||||||
![]() | IDP15E65D1 | - | ![]() | 9156 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | 标准 | pg-to220-2-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 650 v | 1.7 V @ 15 A | 114 ns | 40 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | 30a | - | ||||||||||||||
![]() | BBY53-03WE6327 | 0.1400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | PG-SOD323-2 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 2,450 | 3.1pf @ 3V,1MHz | 单身的 | 6 V | 2.2 | C1/C3 | - | |||||||||||||||||||
![]() | BAS40-05W | 0.0900 | ![]() | 51 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BAS40 | 肖特基 | PG-SOT323-3 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 40 V | 120mA(DC) | 1 V @ 40 mA | 1 µA @ 30 V | 150°C | |||||||||||||||||
![]() | BAT240AE6327 | 1.0000 | ![]() | 8380 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAT240A | 肖特基 | PG-SOT23 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对系列连接 | 240 v | 400mA(DC) | 900 mv @ 400 mA | 5 µA @ 200 V | 150°C | |||||||||||||||||
![]() | BAS40-05E6327 | 1.0000 | ![]() | 4145 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS40 | 肖特基 | PG-SOT23-3-11 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 40 V | 120mA(DC) | 1 V @ 40 mA | 1 µA @ 30 V | 150°C | |||||||||||||||||
![]() | IDP30E60 | - | ![]() | 1798年 | 0.00000000 | Infineon技术 | IDP | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | 标准 | pg-to220-2 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 323 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2 V @ 30 A | 126 ns | 50 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 52.3a | - | |||||||||||||||||
![]() | BBY5305WH6327XTSA1554 | 1.0000 | ![]() | 4257 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | PG-SOT323-3 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 3.1pf @ 3V,1MHz | 1对普通阴极 | 6 V | 2.2 | C1/C3 | - | |||||||||||||||||||
![]() | BAS70-07E6433 | 0.1200 | ![]() | 137 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-253-4,TO-253AA | BAS70 | 肖特基 | PG-SOT143-4 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 2独立 | 70 v | 70mA(dc) | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150°C | ||||||||||||||||
![]() | BAS70-06E6433 | 0.0900 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS70 | 肖特基 | PG-SOT23 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 70 v | 70mA(dc) | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150°C | ||||||||||||||||
![]() | BB555H7902 | 1.0000 | ![]() | 4949 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-80 | PG-SCD80-2 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 2.3pf @ 28V,1MHz | 单身的 | 30 V | 8.9 | C1/C28 | - | ||||||||||||||||
![]() | BB 804 SF2 E6327 | 0.0400 | ![]() | 3543 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | PG-SOT23 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 6,000 | 47.5pf @ 2V,1MHz | 1对普通阴极 | 18 V | 1.71 | C2/C8 | 200 @ 2V,100MHz | ||||||||||||||||
![]() | 56DN06B02ELEMXPSA1 | 383.9800 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 夹紧 | DO-200AB,B-PUK | 56DN06 | 标准 | E-EUPEC-0 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 940 MV @ 8000 A | 60 ma @ 600 V | 180°C (最大) | 11140a | - | ||||||||||||||
![]() | 65DN06B02ELEMXPSA1 | 616.8400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 夹紧 | do-200 ac,k-puk | 65DN06 | 标准 | BG-D-Elem-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 890 mv @ 8000 A | 100 ma @ 600 V | 180°C (最大) | 15130a | - |
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