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（1803）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	速度	电流 -最大	（（（）	二极管配置	电压-DC 反向（（vr）（VR））	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电阻 @ if，f	电容比	电容比条件	q @ vr，f
BAR6302VE6327	0.0400	RFQ	4841	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-79，SOD-523			PG-SC79-2	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	1,000		100 ma	250兆									0.3pf @ 5V，1MHz	PIN-单	50V	-
BAS16-03WE6327	1.0000	RFQ	9038	Infineon技术	BAS16	大部分	积极的		表面安装	SC-76，SOD-323	BAS16	标准	PG-SOD323-2-1	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）				80 V		1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µA @ 75 V	150°C	250mA	2pf @ 0v，1MHz
BB644E7904	-	RFQ	3744	Infineon技术	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	3,000
BBY53-05WE63 27	-	RFQ	2238	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C	表面安装	SC-70，SOT-323			PG-SOT323-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	1,000												3.1pf @ 3V，1MHz	1对普通阴极	6 V		2.2	C1/C3	-
IDV06S60C	2.2300	RFQ	1	Infineon技术	-	大部分	积极的							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1
BB66402VE7902	-	RFQ	3540	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523			PG-SC79-2-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	1												2.75pf @ 28V，1MHz	单身的	30 V		16.4	C1/C28	-
BB664H7902	0.0500	RFQ	7818	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C〜150°C	表面安装	SC-80			SCD-80	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	4,750												2.75pf @ 28V，1MHz	单身的	30 V		16.4	C1/C28	-
BBY53-05WH6327	0.1500	RFQ	4292	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C	表面安装	SC-70，SOT-323			PG-SOT323-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1,750												3.1pf @ 3V，1MHz	1对普通阴极	6 V		2.2	C1/C3	-
BBY6605WE63 27	0.1700	RFQ	14	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323			SOT-323	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	3,000												13.5pf @ 4.5V，1MHz	1对普通阴极	12 v		5.41	C1/C4.5	-
BBY5806WE6327	0.1200	RFQ	9	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323			SOT-323	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	3,000												5.5pf @ 6V，1MHz	1对公共阳极	10 v		3.5	C1/C4	-
IDH06S60C	-	RFQ	5029	Infineon技术	COOLSIC™+	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2		SIC （碳化硅）	PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）				600 v		1.7 V @ 6 A	0 ns	80 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	6a	280pf @ 1V，1MHz
IDH05S120	4.5200	RFQ	9	Infineon技术	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2			PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1
IDH08S120	-	RFQ	3753	Infineon技术	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2		SIC （碳化硅）	pg-to220-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）				1200 v		1.8 V @ 7.5 A	0 ns	180 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	7.5a	380pf @ 1V，1MHz
BAW56B5000	0.0200	RFQ	364	Infineon技术	*	大部分	积极的				BAW56			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	10,000
IDT02S60C	0.7700	RFQ	59	Infineon技术	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2		SIC （碳化硅）	pg-to220-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）				600 v		2.4 V @ 3 A	0 ns	15 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	3a	60pf @ 1V，1MHz
IDB45E60	-	RFQ	9037	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1,000
BAS16B5000	0.0200	RFQ	180	Infineon技术	BAS16	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS16	标准	PG-SOT23-3-11	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	10,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）				80 V		1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µA @ 75 V	150°C	250mA	2pf @ 0v，1MHz
IDB18E120	1.1400	RFQ	21	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	14-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度）		标准	14-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）				1200 v		2.15 V @ 18 A	195 ns	100 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	31a	-
BBY53-03WE6327	0.1400	RFQ	2	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C	表面安装	SC-76，SOD-323			PG-SOD323-2	下载				Ear99	8541.10.0070	2,450												3.1pf @ 3V，1MHz	单身的	6 V		2.2	C1/C3	-
BAS40-05W	0.0900	RFQ	51	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	BAS40	肖特基	PG-SOT323-3	下载				Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度			1对普通阴极	40 V	120mA（DC）	1 V @ 40 mA		1 µA @ 30 V	150°C
IDD05SG60C	1.0000	RFQ	9368	Infineon技术	COOLSIC™+	大部分	积极的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		SIC （碳化硅）	pg-to252-3	下载				Ear99	8542.39.0001	1	没有恢复t> 500mA（IO）				600 v		2.3 V @ 5 A	0 ns	30 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	5a	110pf @ 1V，1MHz
BAS40-06E6327	0.0900	RFQ	39	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS40	肖特基	PG-SOT23	下载				Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度			1对公共阳极	40 V	120mA（DC）	1 V @ 40 mA		1 µA @ 30 V	150°C
IDH10SG60C	1.0000	RFQ	2192	Infineon技术	COOLSIC™+	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2		SIC （碳化硅）	PG-TO220-2-2	下载					0000.00.0000	1	没有恢复t> 500mA（IO）				600 v		2.1 V @ 10 A	0 ns	90 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	10a	290pf @ 1V，1MHz
IDW40E65D2	-	RFQ	9751	Infineon技术	IDW	大部分	积极的		通过洞	TO-247-3		标准	pg-to247-3	下载				Ear99	8542.39.0001	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）				650 v		2.3 V @ 40 A	75 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	80a	-
BA595E6327	0.0500	RFQ	1683年	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-76，SOD-323			PG-SOD323-2-1	下载				Ear99	8541.10.0070	4,020		50 mA										0.6pf @ 10V，1MHz	PIN-单	50V	-
BAT64-04E6433	0.0800	RFQ	24	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAT64	肖特基	PG-SOT23-3-11	下载				Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度			1对系列连接	40 V	120mA	750 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 30 V	150°C
BAS70-04E6327	1.0000	RFQ	6830	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS70	肖特基	PG-SOT23	下载				Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度			1对系列连接	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 mA	100 ps	100 na @ 50 V	150°C
IDP15E65D1	-	RFQ	9156	Infineon技术	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2		标准	pg-to220-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）				650 v		1.7 V @ 15 A	114 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	30a	-
BBY5305WH6327XTSA1554	1.0000	RFQ	4257	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C	表面安装	SC-70，SOT-323			PG-SOT323-3	下载				Ear99	8541.10.0070	1												3.1pf @ 3V，1MHz	1对普通阴极	6 V		2.2	C1/C3	-
BAS70-07E6433	0.1200	RFQ	137	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BAS70	肖特基	PG-SOT143-4	下载				Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度			2独立	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 mA	100 ps	100 na @ 50 V	150°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1803）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²