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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | D911SH45T | - | ![]() | 5847 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | do-200AD | D911SH45 | 标准 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | SP000091218 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 4500 v | 6 V @ 2500 A | 100 ma @ 4500 V | 0°C〜140°C | 1140a | - | ||||
![]() | BAS4002LE6327XTMA1 | 0.3700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-882 | BAS4002 | 肖特基 | PG-TSLP-2-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 1 V @ 40 mA | 100 ps | 1 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 120mA | 5pf @ 0v,1MHz | ||||
![]() | SIDC11D60SIC3 | - | ![]() | 2261 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | 表面安装 | 死 | SIDC11 | SIC (碳化硅) | 锯箔 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000013868 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,459 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 600 v | 1.9 V @ 4 A | 0 ns | 200 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 4a | 150pf @ 1V,1MHz | |||
IDW20C65D2XKSA1 | 2.5500 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Infineon技术 | 快速2 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | IDW20C65 | 标准 | pg-to247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001174446 | Ear99 | 8541.10.0080 | 240 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 650 v | 10a | 2.2 V @ 10 A | 30 ns | 40 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | ||||
![]() | IDC40S120C5X7SA1 | 41.4720 | ![]() | 7018 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | - | - | IDC40S120 | - | - | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||
![]() | BAT6406E6327HTSA1 | 0.5200 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101,BAT64 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAT6406 | 肖特基 | PG-SOT23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 40 V | 250mA | 750 mv @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 30 V | 150°C (最大) | ||||
![]() | DD89N08KKHPSA1 | - | ![]() | 7092 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | POW-R-Blok™模块 | 标准 | POW-R-Blok™模块 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 800 v | 89a | 1.5 V @ 300 A | 20 ma @ 800 V | 150°C | |||||||
![]() | BAS 70-04 B5003 | - | ![]() | 9784 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS 70 | 肖特基 | PG-SOT23 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 70 v | 70mA(dc) | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150°C (最大) | |||||
![]() | IDD05SG60CXTMA1 | - | ![]() | 4007 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IDD05SG60 | SIC (碳化硅) | pg-to252-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 600 v | 2.3 V @ 5 A | 0 ns | 30 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 5a | 110pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | IDK02G65C5XTMA1 | - | ![]() | 5793 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IDK02G65 | SIC (碳化硅) | pg-to263-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.8 V @ 2 A | 0 ns | 330 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 2a | 70pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | IDH12SG60CXKSA1 | - | ![]() | 3601 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-2 | IDH12 | SIC (碳化硅) | PG-TO220-2-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 600 v | 2.1 V @ 12 A | 0 ns | 100 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 12a | 310pf @ 1V,1MHz | ||||
IDW40G65C5BXKSA2 | 19.9300 | ![]() | 104 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | IDW40G65 | SIC (碳化硅) | pg-to247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 20 A | 0 ns | 210 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 20a | 590pf @ 1V,1MHz | |||||
![]() | BAS7004SH6327XTSA1 | 0.6200 | ![]() | 4802 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 | BAS7004 | 肖特基 | PG-SOT363-PO | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 2对系列连接 | 70 v | 70mA(dc) | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150°C (最大) | ||||
![]() | DD171N18KHPSA2 | 185.3600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Infineon技术 | DD171N | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DD171N18 | 标准 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1800 v | 171a | 1.26 V @ 500 A | 20 ma @ 1800 V | 150°C | |||||
![]() | BAR74E6327HTSA1 | 0.0462 | ![]() | 2011 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAR74 | 标准 | PG-SOT23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1 V @ 100 ma | 4 ns | 100 na @ 50 V | -65°C〜150°C | 250mA | 2pf @ 0v,1MHz | ||||
![]() | IDW16G65C5FKSA1 | - | ![]() | 3069 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-247-3 | IDW16G65 | SIC (碳化硅) | PG-TO247-3-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 240 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 16 A | 0 ns | 600 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 16a | 470pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | DZ950N44KS02HPSA1 | 1.0000 | ![]() | 9283 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DZ950N44 | 标准 | BG-PB70-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 4400 v | 100 ma @ 4400 V | 160°C (最大) | 950a | - | ||||||
![]() | DD104N12KAHPSA1 | - | ![]() | 7792 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | POW-R-Blok™模块 | 标准 | POW-R-Blok™模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1200 v | 104a | 1.4 V @ 300 A | 20 ma @ 1200 V | 150°C | |||||||
![]() | SIDC50D60C6X1SA1 | - | ![]() | 3098 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | 表面安装 | 死 | SIDC50D | 标准 | 锯箔 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.9 V @ 200 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 200a | - | |||||
DDB6U85N16LHOSA1 | 136.3700 | ![]() | 7651 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DDB6U85 | 标准 | AG-ISOPACK-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 3独立 | 1600 v | 60a | 1.44 V @ 100 A | 5 ma @ 1600 V | 150°C (最大) | ||||||
![]() | D56U45CPRXPSA1 | - | ![]() | 7199 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 螺柱坐骑 | 螺柱 | D56U45C | 标准 | BG-DSW272-1 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 4500 v | 4.5 V @ 320 A | 3.3 µs | 5 ma @ 4500 V | 125°C | 102a | - | |||||
![]() | DD104N16KHPSA1 | 144.8000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DD104N16 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 1600 v | 104a | 1.4 V @ 300 A | 20 ma @ 1600 V | -40°C〜150°C | |||||
![]() | DZ950N44KS01HPSA1 | 1.0000 | ![]() | 2417 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 上次购买 | 底盘安装 | 模块 | DZ950N44 | 标准 | BG-PB70-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 4400 v | 100 ma @ 4400 V | 160°C (最大) | 950a | - | ||||||
![]() | IRD3CH42DD6 | - | ![]() | 2622 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | IRD3CH42 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | SIDC08D60C6Y | - | ![]() | 2864 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | 表面安装 | 死 | SIDC08 | 标准 | 锯箔 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000212225 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.95 V @ 30 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 30a | - | ||||
![]() | BAS16B5000 | 0.0200 | ![]() | 180 | 0.00000000 | Infineon技术 | BAS16 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS16 | 标准 | PG-SOT23-3-11 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 80 V | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µA @ 75 V | 150°C | 250mA | 2pf @ 0v,1MHz | ||||
![]() | IRD3CH53DB6 | - | ![]() | 3427 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 死 | IRD3CH53 | 标准 | 死 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001533446 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1200 v | 2.7 V @ 100 A | 270 ns | 2 µA @ 1200 V | -40°C〜150°C | 100a | - | ||||
![]() | BAT6405WE63 27HTSA1 | - | ![]() | 1104 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101,BAT64 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BAT6405 | 肖特基 | PG-SOT323 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 40 V | 250mA | 750 mv @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 30 V | 150°C (最大) | |||||
![]() | AIDK12S65C5ATMA1 | 6.5400 | ![]() | 980 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101,COOLSIC™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | AIDK12 | SIC (碳化硅) | pg-to263-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 12 A | 0 ns | 70 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | 12a | 363pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | BAS21UE6433HTMA1 | 0.1101 | ![]() | 2784 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | SC-74,SOT-457 | BAS21 | 标准 | PG-SC74-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 3独立 | 200 v | 250ma(dc) | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 na @ 200 V | 150°C (最大) |
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