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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | gateleadwhbk750xxpsa1 | 29.6100 | ![]() | 4253 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | - | - | Gateleadwhbk750 | - | - | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | |||||||||
![]() | BAS5202VE6127XT | - | ![]() | 5084 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | BAS5202 | 肖特基 | PG-SC79-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 40,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 600 mv @ 200 ma | 10 µA @ 45 V | 150°C (最大) | 750mA | 10pf @ 10V,1MHz | |||||
![]() | BAV99E6327 | - | ![]() | 1889年 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAV99 | 标准 | PG-SOT23 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 80 V | 200ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 150 na @ 70 V | 150°C (最大) | |||||
![]() | AIDW30S65C5XKSA1 | 8.9000 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100/101,Coolsic™ | 管子 | 上次购买 | 通过洞 | TO-247-3 | AIDW30 | SIC (碳化硅) | pg-to247-3-41 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 30 A | 0 ns | 120 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | 30a | 860pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | IRD3CH53DF6 | - | ![]() | 1924年 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | IRD3CH53 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001544384 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | 62-0216pbf | - | ![]() | 8471 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 62-02 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001574878 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | DD230S22KHPSA1 | - | ![]() | 8295 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | 模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 2200 v | 261a | 1.74 V @ 800 A | 160 ma @ 2200 V | 150°C | |||||||
![]() | DD46S10KHPSA1 | - | ![]() | 8028 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | 模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1000 v | 64a | 1.6 V @ 150 A | 20 ma @ 1000 V | 125°C | |||||||
![]() | DD171N16KAHPSA1 | 160.0375 | ![]() | 7467 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | DD171N16 | - | rohs3符合条件 | 8 | ||||||||||||||||||||
![]() | SDT10S30 | - | ![]() | 1251 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | SDT10S | SIC (碳化硅) | PG-TO220-2-2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 300 v | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 200 µA @ 300 V | -55°C 〜175°C | 10a | 600pf @ 0v,1MHz | |||||
![]() | IDW30E65D1FKSA1 | 2.3100 | ![]() | 361 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | IDW30E65 | 标准 | PG-TO247-3-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 650 v | 1.7 V @ 30 A | 115 ns | 40 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | 60a | - | ||||
![]() | SIDC81D60E6YX1SA1 | - | ![]() | 5482 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | sidc81d | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | IDH04G65C5XKSA2 | 2.5600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | IDH04G65 | SIC (碳化硅) | pg-to220-2-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 4 A | 0 ns | 70 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 4a | 130pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | D3501N36TXPSA1 | - | ![]() | 3595 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 在sic中停产 | 底盘安装 | do-200ae | D3501N36 | 标准 | BG-D12035K-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 ma @ 4200 V | -40°C〜160°C | 4870a | - | |||||||
![]() | DD81S12KHPSA1 | - | ![]() | 5507 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | 模块 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1200 v | 96a | 1.55 V @ 300 A | 40 ma @ 1200 V | 150°C | |||||||
![]() | IDB15E60 | - | ![]() | 4785 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IDB15 | 标准 | pg-to263-3-2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000278565 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2 V @ 15 A | 87 ns | 50 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 29.2a | - | ||||
![]() | IDK04G65C5XTMA2 | 2.5800 | ![]() | 885 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IDK04G65 | SIC (碳化硅) | pg-to263-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.8 V @ 4 A | 0 ns | 670 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 4a | 130pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | BAS7002LE6327XTMA1 | 0.4100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-882 | BAS7002 | 肖特基 | PG-TSLP-2-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 70 v | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 na @ 50 V | -55°C〜125°C | 70mA | 2pf @ 0v,1MHz | ||||
![]() | D3001N65T | - | ![]() | 9070 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | do-200ae | D3001N65 | 标准 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | SP000091255 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 6500 v | 1.7 V @ 4000 A | 100 ma @ 6500 V | -40°C〜160°C | 3910a | - | ||||
![]() | DD260N18KKHPSA1 | - | ![]() | 2067 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | 模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1800 v | 260a | 1.32 V @ 800 A | 30 ma @ 1800 V | 150°C | |||||||
![]() | DD104N14KAHPSA1 | - | ![]() | 2896 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | POW-R-Blok™模块 | 标准 | POW-R-Blok™模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1400 v | 104a | 1.4 V @ 300 A | 20 ma @ 1400 V | 150°C | |||||||
![]() | BAS4005WE63 27BTSA1 | - | ![]() | 8146 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BAS4005 | 肖特基 | PG-SOT323 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 40 V | 120mA(DC) | 1 V @ 40 mA | 100 ps | 1 µA @ 30 V | 150°C (最大) | |||||
DD180N16SHPSA1 | 56.9600 | ![]() | 6317 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DD180N16 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1600 v | 192a | 1.39 V @ 500 A | 1 ma @ 1600 V | -40°C〜125°C | ||||||
![]() | BAS16E6327HTSA1 | 0.2900 | ![]() | 54 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS16 | 标准 | PG-SOT23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 80 V | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µA @ 75 V | 150°C (最大) | 250mA | 2pf @ 0v,1MHz | ||||
![]() | IDV06S60C | 2.2300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | IDV20E65D1XKSA1 | 1.4600 | ![]() | 478 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | IDV20E65 | 标准 | pg-to220-2完整包 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 650 v | 1.7 V @ 20 A | 42 ns | 40 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | 28a | - | ||||
![]() | BAS3005A02VH6327XTSA1 | 0.4500 | ![]() | 1085 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | BAS3005 | 肖特基 | PG-SC79-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 500 mv @ 500 mA | 300 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 500mA | 15pf @ 5V,1MHz | |||||
![]() | SIDC14D60C8X7SA1 | - | ![]() | 7634 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 死 | SIDC14D60 | 标准 | 死 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.9 V @ 50 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 50a | - | |||||
![]() | IRD3CH53DD6 | - | ![]() | 6686 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | IRD3CH53 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | DD540N22KXPSA1 | 299.5200 | ![]() | 6768 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | BG-PB60E2A-1 | - | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.30.0080 | 2 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 2200 v | 540a | 1.48 V @ 1.7 ka | 40 mA @ 2.2 kV | 150°C |
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