- RFQ
- bom
- 联系我们
电话： +86-0755-83501345
电子邮件：sales@swxic.com
- 中文
- 英语
- 法语
- 德语
- 葡萄牙语
- 西班牙语
- 俄语
- 日本人
- 韩国人
- 阿拉伯
- 爱尔兰人
- 希腊语
- 土耳其
- 意大利人
- 丹麦语
- 罗马尼亚人
- 印度尼西亚
- 捷克
- 南非荷兰语
- 瑞典
- 抛光
- 巴斯克
- 加泰罗尼亚
- 世界语
- 印地语
- 老挝
- 阿尔巴尼亚人
- 阿姆哈拉语
- 亚美尼亚人
- 阿塞拜疆
- 白俄罗斯人
- 孟加拉
- 波斯尼亚
- 保加利亚语
- 宿务
- Chichewa
- 科西嘉
- 克罗地亚人
- 荷兰
- 爱沙尼亚人
- 菲律宾
- 芬兰
- 弗里斯安
- 加利西亚人
- 格鲁吉亚人
- 古吉拉特语
- 海地
- 豪萨
- 夏威夷人
- 希伯来语
- 苗族
- 匈牙利
- 冰岛
- 伊博
- 爪哇人
- 卡纳达语
- 哈萨克
- 高棉
- 库尔德
- 吉尔吉斯
- 拉丁
- 拉脱维亚
- 立陶宛语
- Luxembou ..
- 马其顿
- 马尔加什
- 马来语
- 马拉雅拉姆语
- 马耳他
- 毛利人
- 马拉地语
- 蒙
- 缅甸
- 尼泊尔
- 挪威
- Pashto
- 波斯语
- 旁遮普
- 塞尔维亚
- 塞索托
- 僧伽罗
- 斯洛伐克
- 斯洛文尼亚人
- 索马里
- 萨摩亚
- 苏格兰盖尔语
- 肖纳
- 信德
- 圣丹尼斯
- 斯W希里语
- 塔吉克
- 泰米尔人
- 泰卢固语
- 泰国
- 乌克兰
- 乌尔都语
- 乌兹别克
- 越南人
- 威尔士语
- xhosa
- 意第绪
- 约鲁巴
- 祖鲁
- Kinyarwanda
- 塔塔尔
- 奥里亚
- 土库曼
- Uyghur
（1803）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 电流 -最大 | 二极管配置 | 电压-DC 反向（（vr）（VR）） | 电流 -io（io）（每个二极管） | 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 | trr） | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io（io） | 电容 @ vr，f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向（最大） | 电阻 @ if，f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | D3501N36TXPSA1 | - |  | 3595 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 在sic中停产 | 底盘安装 | do-200ae | D3501N36 | 标准 | BG-D12035K-1 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 100 ma @ 4200 V | -40°C〜160°C | 4870a | - | ||||||||||||
 | BA595E6359HTMA1 | - | | 2971 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C（TJ） | SC-79，SOD-523 | BA595 | PG-SC79-2-1 | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 3,000 | 50 mA | 0.6pf @ 10V，1MHz | PIN-单 | 50V | 7ohm @ 10mA，100MHz | ||||||||||||||
| BA885E7631HTMA1 | - | | 5792 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车，AEC-Q101 | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C（TJ） | SC-79，SOD-523 | BA885E | PG-SC79-2-1 | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 50 mA | 0.6pf @ 10V，1MHz | PIN-单 | 50V | 7ohm @ 10mA，100MHz | ||||||||||||||
 | BAT1502ELSE6327XTSA1 | 0.1874 | | 2236 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | BAT1502 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 15,000 | |||||||||||||||||||||
| D350SH45TXPSA1 | 930.8775 | | 7730 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 夹紧 | do-200 ac，k-puk | D350SH45 | 标准 | BG-D7526K0-1-1 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 4 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 4500 v | - | 700a | - | ||||||||||||
 | DD390N22SHPSA1 | 107.7200 | | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DD390N22 | 标准 | BG-PB50SB-1 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 1对系列连接 | 2200 v | 390a | 1.34 V @ 800 A | 1 MA @ 2200 V | -40°C〜125°C | ||||||||||
| D3501N42TVFXPSA1 | 2.0000 | | 2731 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | do-200ae | D3501N42 | 标准 | BG-D12035K-1 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 4200 v | 100 ma @ 4200 V | 160°C （最大） | 4870a | - | |||||||||||
 | DZ435N40KS01HPSA1 | 539.9633 | | 5337 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DZ435N40 | 标准 | BG-PB501-1 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 4000 v | 50 ma @ 4000 V | 150°C （最大） | 700a | - | |||||||||||
| DZ950N44KS01HPSA1 | 1.0000 | | 2417 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 上次购买 | 底盘安装 | 模块 | DZ950N44 | 标准 | BG-PB70-1 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 4400 v | 100 ma @ 4400 V | 160°C （最大） | 950a | - | |||||||||||
 | gatelead1110008xpsa1 | 29.6100 | | 5470 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | - | - | Gatelead1110008 | - | - | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||
| gateleadwhbk750xxpsa1 | 29.6100 | | 4253 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | - | - | Gateleadwhbk750 | - | - | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||
| gateleadwhbn661xxpsa1 | 29.6100 | | 9608 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | - | - | Gateleadwhbn661 | - | - | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||
| gateleadwhrd394xxpsa1 | 29.6100 | | 3781 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | - | - | Gateleadwhrd394 | - | - | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||
| glhuelse1626xpsa1 | 2.1400 | | 6845 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | - | - | Glhuelse1626 | - | - | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||
| GLPB3460G1K1457XPSA1 | 20.8400 | | 7737 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | - | - | GLPB3460 | - | - | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||
 | IDDD12G65C6XTMA1 | 6.0800 | | 1 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 10-powersop模块 | IDD12 | SIC （碳化硅） | PG-HDSOP-10-1 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,700 | 没有恢复t> 500mA（IO） | 650 v | 0 ns | 40 µA @ 420 V | -55°C 〜175°C | 34a | 594pf @ 1V，1MHz | ||||||||||
 | AIDW40S65C5XKSA1 | 11.1900 | | 293 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车，AEC-Q100/101，Coolsic™ | 管子 | 上次购买 | 通过洞 | TO-247-3 | AIDW40 | SIC （碳化硅） | pg-to247-3-41 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA（IO） | 650 v | 1.7 V @ 40 A | 0 ns | 120 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | 40a | 1138pf @ 1V，1MHz | |||||||||
| AIDW30S65C5XKSA1 | 8.9000 | | 24 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车，AEC-Q100/101，Coolsic™ | 管子 | 上次购买 | 通过洞 | TO-247-3 | AIDW30 | SIC （碳化硅） | pg-to247-3-41 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA（IO） | 650 v | 1.7 V @ 30 A | 0 ns | 120 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | 30a | 860pf @ 1V，1MHz | |||||||||
 | D56S45CS02PRXPSA1 | - | | 9347 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 螺柱坐骑 | 螺柱 | D56S45C | 标准 | BG-DSW272-1 | - | 不适用 | 到达不受影响 | SP000440848 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 4500 v | 4.5 V @ 320 A | 3.3 µs | 5 ma @ 4500 V | 125°c （最大） | 102a | - | |||||||||
| D4201N18TS01VFXPSA1 | - | | 6915 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | do-200ae | D4201N18 | 标准 | BG-D12035K-1 | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | SP000541760 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 2200 v | 1 V @ 4000 A | 200 ma @ 2200 V | -40°C〜160°C | 6010a | - | ||||||||||
| D6001N50TS05XPSA1 | - | | 9528 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | do-200ae | D6001N50 | 标准 | BG-D15026K-1 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | SP000541776 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 5000 v | 1.3 V @ 6000 A | 400 MA @ 5000 V | -40°C〜160°C | 8010a | - | ||||||||||
 | IDWD20G120C5XKSA1 | 13.9200 | | 786 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | IDWD20 | SIC （碳化硅） | pg-to247-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA（IO） | 1200 v | 1.65 V @ 20 A | 0 ns | 166 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 62a | 1368pf @ 1V，1MHz | |||||||||
| DD400S33K2CB3NDNDNDSA1 | - | | 3285 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | A-IHV130-3 | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 2独立 | 3300 v | 400A（DC） | 3.5 V @ 400 A | 550 A @ 1800 V | -40°C〜125°C | |||||||||||||
| SIDC14D60C8X7SA1 | - | | 7634 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 死 | SIDC14D60 | 标准 | 死 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 600 v | 1.9 V @ 50 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 50a | - | ||||||||||
| SIDC06D65C8X1SA1 | - | | 9496 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 死 | SIDC06D65 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 650 v | 1.87 V @ 20 A | 240 NA @ 650 V | -40°C〜175°C | 20a | - | ||||||||||
| SIDC08D60C8X1SA2 | - | | 4818 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 死 | SIDC08 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 600 v | 1.95 V @ 30 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 30a | - | ||||||||||
| SIDC14D60E6X1SA3 | - | | 6243 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 死 | SIDC14D60 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 600 v | 1.25 V @ 30 A | 27 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 30a | - | ||||||||||
| SIDC14D60C8X1SA3 | - | | 6634 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 死 | SIDC14D60 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 600 v | 1.9 V @ 50 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 50a | - | ||||||||||
| SIDC05D60C8X1SA1 | - | | 8948 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 死 | SIDC05 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 600 v | 1.95 V @ 15 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 15a | - | ||||||||||
| SIDC23D60E6X1SA1 | - | | 5990 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 死 | sidc23d | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 600 v | 1.25 V @ 50 A | 27 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 50a | - |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
智能仓库
愿望清单（0个项目）