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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IDH06G65C5XKSA1 | - | ![]() | 1193 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-2 | IDH06G65 | SIC (碳化硅) | PG-TO220-2-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 6 A | 0 ns | 210 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 6a | 190pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | gateleadwhrd394xxpsa1 | 29.6100 | ![]() | 3781 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | - | - | Gateleadwhrd394 | - | - | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | |||||||||
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![]() | DD241S12KAHPSA1 | - | ![]() | 2748 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | 模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1200 v | 261a | 1.55 V @ 800 A | 200 ma @ 1200 V | 150°C | |||||||
![]() | D56S45CS02PRXPSA1 | - | ![]() | 9347 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 螺柱坐骑 | 螺柱 | D56S45C | 标准 | BG-DSW272-1 | - | 不适用 | 到达不受影响 | SP000440848 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 4500 v | 4.5 V @ 320 A | 3.3 µs | 5 ma @ 4500 V | 125°c (最大) | 102a | - | ||||
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![]() | BAS21UE6327HTSA1 | 0.4900 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | SC-74,SOT-457 | BAS21 | 标准 | PG-SC74-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 3独立 | 200 v | 250ma(dc) | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 na @ 200 V | 150°C (最大) | ||||
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![]() | BAS4006WH6327XTSA1 | 0.4200 | ![]() | 91 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BAS4006 | 肖特基 | PG-SOT323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 40 V | 120mA(DC) | 1 V @ 40 mA | 100 ps | 1 µA @ 30 V | 150°C (最大) | ||||
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![]() | IDH12S60CAKSA1 | - | ![]() | 7200 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-2 | IDH12 | SIC (碳化硅) | PG-TO220-2-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 600 v | 1.7 V @ 12 A | 0 ns | 160 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 12a | 530pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | PX3746DDQG004XUMA1 | - | ![]() | 8643 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | PX3746DD | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | SIDC56D120E6X1SA1 | - | ![]() | 3837 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | 表面安装 | 死 | SIDC56D | 标准 | 锯箔 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1200 v | 1.9 V @ 75 A | 27 µA @ 1200 V | -55°C〜150°C | 75a | - | |||||
![]() | D970N06TXPSA1 | 79.9800 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | DO-200AA,A-PUK | D970N0 | 标准 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 970 MV @ 750 A | 20 ma @ 600 V | -40°C〜180°C | 970a | - | |||||
![]() | PX3746DDQSM1383XUMA1 | - | ![]() | 2936 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | PX3746DD | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | BAW78DE6327HTSA1 | - | ![]() | 7583 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-243AA | BAW78D | 标准 | PG-SOT89 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.6 V @ 1 A | 1 µs | 1 µA @ 400 V | 150°C (最大) | 1a | 10pf @ 0v,1MHz | |||||
![]() | IDV02S60CXKSA1 | - | ![]() | 2313 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | IDV02S60 | SIC (碳化硅) | pg-to220-2完整包 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 600 v | 1.9 V @ 2 A | 0 ns | 15 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 2a | 60pf @ 1V,1MHz | |||||
![]() | BAT64-04E6433 | 0.0800 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAT64 | 肖特基 | PG-SOT23-3-11 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 40 V | 120mA | 750 mv @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 30 V | 150°C | |||||||
![]() | BAT6404E6327 | 1.0000 | ![]() | 2392 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAT6404 | 肖特基 | PG-SOT23 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 40 V | 120mA | 750 mv @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 30 V | 150°C (最大) | ||||
![]() | IDK08G65C 5XTMA2 | 4.3500 | ![]() | 7505 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IDK08G65 | SIC (碳化硅) | pg-to263-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.8 V @ 8 A | 0 ns | -55°C 〜175°C | 8a | 250pf @ 1V,1MHz | |||||
![]() | IDT12S60C | - | ![]() | 5785 | 0.00000000 | Infineon技术 | ThinQ!™ | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | PG-TO220-2-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 600 v | 1.7 V @ 12 A | 0 ns | 160 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 12a | 530pf @ 1V,1MHz | |||||
![]() | IDH16G120C5XKSA1 | 11.1500 | ![]() | 369 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | IDH16G120 | SIC (碳化硅) | pg-to220-2-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.95 V @ 16 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 16a | 730pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | D170S25CXPSA1 | - | ![]() | 2049 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | D170S25 | 标准 | - | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2500 v | 2.3 V @ 800 A | 5 ma @ 2500 V | -40°C〜140°C | 255a | - | ||||||
![]() | DD200S33K2CNOSA1 | - | ![]() | 3371 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | A-IHV73-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 4 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 3300 v | - | 3.5 V @ 200 A | 270 A @ 1800 V | -40°C〜125°C | |||||||
![]() | BAS116E6433HTMA1 | 0.0495 | ![]() | 4310 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS116 | 标准 | PG-SOT23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 80 V | 1.25 V @ 150 mA | 1.5 µs | 5 na @ 75 V | 150°C (最大) | 250mA | 2pf @ 0v,1MHz | ||||
![]() | D3041N68TS04XPSA1 | - | ![]() | 5416 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | do-200ae | 标准 | BG-D12026K-1 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 6800 v | 1.7 V @ 4000 A | 100 ma @ 6800 V | 160°C | 4090a | - | ||||||||
![]() | D251N18BXPSA1 | - | ![]() | 7826 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | D251N | 标准 | - | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1800 v | 30 ma @ 1800 V | -40°C〜180°C | 255a | - | |||||||
![]() | IDH06G65C6XKSA1 | 3.1500 | ![]() | 373 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | IDH06G65 | SIC (碳化硅) | pg-to220-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.35 V @ 6 A | 0 ns | 20 µA @ 420 V | -55°C 〜175°C | 16a | 302pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | DZ600N18KHPSA1 | 274.4000 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DZ600N18 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1800 v | 40 ma @ 1800 V | -40°C〜150°C | 600a | |||||||
![]() | BAS140WE6327 | 1.0000 | ![]() | 9325 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 肖特基 | PG-SOD323-2 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 1 V @ 40 mA | 100 ps | 1 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 120mA | 5pf @ 0v,1MHz |
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