SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
IDH06G65C5XKSA1 Infineon Technologies IDH06G65C5XKSA1 -
RFQ
ECAD 1193 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-2 IDH06G65 SIC (碳化硅) PG-TO220-2-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 500 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 6 A 0 ns 210 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 6a 190pf @ 1V,1MHz
GATELEADWHRD394XXPSA1 Infineon Technologies gateleadwhrd394xxpsa1 29.6100
RFQ
ECAD 3781 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 - - Gateleadwhrd394 - - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 0000.00.0000 1 - - - -
IRD3CH24DD6 Infineon Technologies IRD3CH24DD6 -
RFQ
ECAD 8979 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 IRD3CH24 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1
DD241S12KAHPSA1 Infineon Technologies DD241S12KAHPSA1 -
RFQ
ECAD 2748 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 底盘安装 模块 标准 模块 下载 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 1200 v 261a 1.55 V @ 800 A 200 ma @ 1200 V 150°C
D56S45CS02PRXPSA1 Infineon Technologies D56S45CS02PRXPSA1 -
RFQ
ECAD 9347 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 螺柱坐骑 螺柱 D56S45C 标准 BG-DSW272-1 - 不适用 到达不受影响 SP000440848 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 4500 v 4.5 V @ 320 A 3.3 µs 5 ma @ 4500 V 125°c (最大) 102a -
BAT 64-04 B5003 Infineon Technologies 蝙蝠64-04B5003 -
RFQ
ECAD 6385 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 蝙蝠64 肖特基 PG-SOT23 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对系列连接 40 V 120mA 750 mv @ 100 ma 5 ns 2 µA @ 30 V 150°C (最大)
BAS21UE6327HTSA1 Infineon Technologies BAS21UE6327HTSA1 0.4900
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 表面安装 SC-74,SOT-457 BAS21 标准 PG-SC74-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 3独立 200 v 250ma(dc) 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 200 V 150°C (最大)
PX3244DDQG004XUMA1 Infineon Technologies PX3244DDQG004XUMA1 -
RFQ
ECAD 4098 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 PX3244DD 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 过时的 1
BAS4006WH6327XTSA1 Infineon Technologies BAS4006WH6327XTSA1 0.4200
RFQ
ECAD 91 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-70,SOT-323 BAS4006 肖特基 PG-SOT323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对公共阳极 40 V 120mA(DC) 1 V @ 40 mA 100 ps 1 µA @ 30 V 150°C (最大)
SIDC03D60C6X1SA2 Infineon Technologies SIDC03D60C6X1SA2 -
RFQ
ECAD 1220 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 在sic中停产 表面安装 SIDC03 标准 锯箔 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.95 V @ 10 A 27 µA @ 600 V -40°C〜175°C 10a -
IDH12S60CAKSA1 Infineon Technologies IDH12S60CAKSA1 -
RFQ
ECAD 7200 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-2 IDH12 SIC (碳化硅) PG-TO220-2-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 500 没有恢复t> 500mA(IO) 600 v 1.7 V @ 12 A 0 ns 160 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 12a 530pf @ 1V,1MHz
PX3746DDQG004XUMA1 Infineon Technologies PX3746DDQG004XUMA1 -
RFQ
ECAD 8643 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 PX3746DD 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 过时的 1
SIDC56D120E6X1SA1 Infineon Technologies SIDC56D120E6X1SA1 -
RFQ
ECAD 3837 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 在sic中停产 表面安装 SIDC56D 标准 锯箔 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1200 v 1.9 V @ 75 A 27 µA @ 1200 V -55°C〜150°C 75a -
D970N06TXPSA1 Infineon Technologies D970N06TXPSA1 79.9800
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 底盘安装 DO-200AA,A-PUK D970N0 标准 - 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 18 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 970 MV @ 750 A 20 ma @ 600 V -40°C〜180°C 970a -
PX3746DDQSM1383XUMA1 Infineon Technologies PX3746DDQSM1383XUMA1 -
RFQ
ECAD 2936 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 PX3746DD - rohs3符合条件 到达不受影响 过时的 1
BAW78DE6327HTSA1 Infineon Technologies BAW78DE6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 7583 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-243AA BAW78D 标准 PG-SOT89 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.6 V @ 1 A 1 µs 1 µA @ 400 V 150°C (最大) 1a 10pf @ 0v,1MHz
IDV02S60CXKSA1 Infineon Technologies IDV02S60CXKSA1 -
RFQ
ECAD 2313 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 管子 过时的 通过洞 TO-220-2完整包 IDV02S60 SIC (碳化硅) pg-to220-2完整包 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 500 没有恢复t> 500mA(IO) 600 v 1.9 V @ 2 A 0 ns 15 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 2a 60pf @ 1V,1MHz
BAT64-04E6433 Infineon Technologies BAT64-04E6433 0.0800
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAT64 肖特基 PG-SOT23-3-11 下载 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对系列连接 40 V 120mA 750 mv @ 100 ma 5 ns 2 µA @ 30 V 150°C
BAT6404E6327 Infineon Technologies BAT6404E6327 1.0000
RFQ
ECAD 2392 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAT6404 肖特基 PG-SOT23 下载 不适用 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对系列连接 40 V 120mA 750 mv @ 100 ma 5 ns 2 µA @ 30 V 150°C (最大)
IDK08G65C5XTMA2 Infineon Technologies IDK08G65C​​ 5XTMA2 4.3500
RFQ
ECAD 7505 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IDK08G65 SIC (碳化硅) pg-to263-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.8 V @ 8 A 0 ns -55°C 〜175°C 8a 250pf @ 1V,1MHz
IDT12S60C Infineon Technologies IDT12S60C -
RFQ
ECAD 5785 0.00000000 Infineon技术 ThinQ!™ 大部分 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC (碳化硅) PG-TO220-2-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 没有恢复t> 500mA(IO) 600 v 1.7 V @ 12 A 0 ns 160 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 12a 530pf @ 1V,1MHz
IDH16G120C5XKSA1 Infineon Technologies IDH16G120C5XKSA1 11.1500
RFQ
ECAD 369 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 IDH16G120 SIC (碳化硅) pg-to220-2-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.95 V @ 16 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 16a 730pf @ 1V,1MHz
D170S25CXPSA1 Infineon Technologies D170S25CXPSA1 -
RFQ
ECAD 2049 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 D170S25 标准 - 下载 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 2500 v 2.3 V @ 800 A 5 ma @ 2500 V -40°C〜140°C 255a -
DD200S33K2CNOSA1 Infineon Technologies DD200S33K2CNOSA1 -
RFQ
ECAD 3371 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 底盘安装 模块 标准 A-IHV73-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 4 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 3300 v - 3.5 V @ 200 A 270 A @ 1800 V -40°C〜125°C
BAS116E6433HTMA1 Infineon Technologies BAS116E6433HTMA1 0.0495
RFQ
ECAD 4310 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAS116 标准 PG-SOT23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 80 V 1.25 V @ 150 mA 1.5 µs 5 na @ 75 V 150°C (最大) 250mA 2pf @ 0v,1MHz
D3041N68TS04XPSA1 Infineon Technologies D3041N68TS04XPSA1 -
RFQ
ECAD 5416 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 底盘安装 do-200ae 标准 BG-D12026K-1 - 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 6800 v 1.7 V @ 4000 A 100 ma @ 6800 V 160°C 4090a -
D251N18BXPSA1 Infineon Technologies D251N18BXPSA1 -
RFQ
ECAD 7826 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 D251N 标准 - 下载 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1800 v 30 ma @ 1800 V -40°C〜180°C 255a -
IDH06G65C6XKSA1 Infineon Technologies IDH06G65C6XKSA1 3.1500
RFQ
ECAD 373 0.00000000 Infineon技术 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 IDH06G65 SIC (碳化硅) pg-to220-2 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.35 V @ 6 A 0 ns 20 µA @ 420 V -55°C 〜175°C 16a 302pf @ 1V,1MHz
DZ600N18KHPSA1 Infineon Technologies DZ600N18KHPSA1 274.4000
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 底盘安装 模块 DZ600N18 标准 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1800 v 40 ma @ 1800 V -40°C〜150°C 600a
BAS140WE6327 Infineon Technologies BAS140WE6327 1.0000
RFQ
ECAD 9325 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 表面安装 SC-76,SOD-323 肖特基 PG-SOD323-2 下载 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 40 V 1 V @ 40 mA 100 ps 1 µA @ 30 V -55°C〜150°C 120mA 5pf @ 0v,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库