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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 电流 -最大 | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电阻 @ if,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | D1331SH45TXPSA1 | 1.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | do-200ae | D1331SH45 | 标准 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 4500 v | 4.2 V @ 2500 A | 150 ma @ 4500 V | 0°C〜140°C | 1710a | - | |||||||||||
![]() | SIDC05D60C8X1SA1 | - | ![]() | 8948 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 死 | SIDC05 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.95 V @ 15 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 15a | - | |||||||||||
![]() | DD1200S45KL3B5NOSA1 | 1.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DD1200 | 标准 | A-IHV130-4 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2独立 | 4500 v | - | 3.1 V @ 1200 A | 1500 A @ 2800 V | -50°C〜125°C | |||||||||||
![]() | BAV70W | 0.0200 | ![]() | 7123 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BAV70 | 标准 | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 75 v | 150mA | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 2.5 µA @ 75 V | -65°C〜150°C | ||||||||||
![]() | BAT1704WH6327XTSA1 | 0.4000 | ![]() | 59 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | SC-70,SOT-323 | BAT1704 | PG-SOT323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 130 MA | 150兆 | 0.75pf @ 0v,1MHz | 肖特基 -1对系列连接 | 4V | 15 @ @ 5mA,10kHz | |||||||||||||
![]() | D1800N42TVFXPSA1 | - | ![]() | 2626 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 夹紧 | do-200 ac,k-puk | D1800N42 | 标准 | - | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 4200 v | 1.32 V @ 1500 A | 100 ma @ 4200 V | -40°C〜160°C | 1800a | - | ||||||||||||
![]() | IDH16G120C5XKSA1 | 11.1500 | ![]() | 369 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | IDH16G120 | SIC (碳化硅) | pg-to220-2-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.95 V @ 16 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 16a | 730pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | IDK08G65C 5XTMA2 | 4.3500 | ![]() | 7505 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB | IDK08G65 | SIC (碳化硅) | pg-to263-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.8 V @ 8 A | 0 ns | -55°C 〜175°C | 8a | 250pf @ 1V,1MHz | |||||||||||
![]() | DD200S33K2CNOSA1 | - | ![]() | 3371 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | A-IHV73-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 4 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 3300 v | - | 3.5 V @ 200 A | 270 A @ 1800 V | -40°C〜125°C | |||||||||||||
![]() | BAS140WE6327 | 1.0000 | ![]() | 9325 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 肖特基 | PG-SOD323-2 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 1 V @ 40 mA | 100 ps | 1 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 120mA | 5pf @ 0v,1MHz | ||||||||||||||
![]() | DZ600N18KHPSA1 | 274.4000 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DZ600N18 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1800 v | 40 ma @ 1800 V | -40°C〜150°C | 600a | |||||||||||||
![]() | DDB6U144N16RBOSA1 | 108.9600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | 底盘安装 | 模块 | DDB6U144 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | - | 3独立 | 1600 v | - | 1.65 V @ 150 A | 5 ma @ 1600 V | -40°C〜150°C | |||||||||||
![]() | HFA15PB60PBF | - | ![]() | 7462 | 0.00000000 | Infineon技术 | hexfred® | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-247-2 | HFA15 | 标准 | TO-247AC修改了 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.7 V @ 15 A | 60 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 15a | - | ||||||||||
![]() | IDC15D120T6MX1SA2 | - | ![]() | 6296 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 死 | IDC15D120 | 标准 | 锯箔 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000301859 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1200 v | 2.05 V @ 25 A | 5.2 µA @ 1200 V | -40°C〜175°C | 25a | - | ||||||||||
![]() | DD700N22KXPSA1 | 342.0400 | ![]() | 2387 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | - | BG-PB60E2A-1 | 下载 | rohs3符合条件 | 448-DD700N22KXPSA1 | Ear99 | 8541.30.0080 | 2 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 2200 v | 700a | 1.36 V @ 2200 A | 40 mA @ 2.2 kV | 150°C | |||||||||||||
![]() | DD600N18KB1HPSA1 | - | ![]() | 3297 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 上次购买 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | BG-PB60AT-1 | - | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1800 v | 600a | 1.32 V @ 1.8 ka | 40 ma @ 1800 V | 150°C | |||||||||||||||
![]() | DD104N14KHPSA1 | - | ![]() | 2180 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | 模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 1400 v | 104a | 1.4 V @ 300 A | 20 ma @ 1400 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | BAW56UE6327 | 0.1000 | ![]() | 129 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SC-74,SOT-457 | BAW56 | 标准 | PG-SC74-6 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,271 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 2对系列连接 | 80 V | 200ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 150 na @ 70 V | 150°C | ||||||||||
![]() | BAT165E6327HTSA1 | 0.4800 | ![]() | 6162 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | BAT165 | 肖特基 | PG-SOD323-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 740 mv @ 750 mA | 50 µA @ 40 V | 150°C (最大) | 750mA | 12pf @ 10V,1MHz | |||||||||||
![]() | D251N18BXPSA1 | - | ![]() | 7826 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | D251N | 标准 | - | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1800 v | 30 ma @ 1800 V | -40°C〜180°C | 255a | - | |||||||||||||
![]() | BAT64-05WH6327 | - | ![]() | 8105 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BAT64 | 肖特基 | PG-SOT323-3 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 40 V | 120mA | 750 mv @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 30 V | 150°C | ||||||||||
![]() | SIGC156T60NR2CYX1SA1 | - | ![]() | 4316 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | SIGC156T | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IDT02S60C | 0.7700 | ![]() | 59 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | pg-to220-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 600 v | 2.4 V @ 3 A | 0 ns | 15 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 3a | 60pf @ 1V,1MHz | |||||||||||
![]() | D1230N14TXPSA1 | 138.1625 | ![]() | 3336 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 夹紧 | DO-200AA,A-PUK | D1230N14 | 标准 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1400 v | 1.063 V @ 800 A | 50 ma @ 1400 V | -40°C〜180°C | 1230a | - | |||||||||||
![]() | BAS40-05B5000 | 0.0300 | ![]() | 90 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS40 | SIC (碳化硅) | PG-SOT23 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,377 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 40 V | 120mA(DC) | 1 V @ 40 mA | 0 ns | 1 µA @ 30 V | 150°C | ||||||||||
![]() | BAS4002S-02LRHE6327 | 0.0700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SOD-882 | BAS40 | 肖特基 | PG-TSLP-2-17 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 550 mv @ 200 ma | 10 µA @ 40 V | 150°C | 200mA | 7pf @ 5V,1MHz | |||||||||||
![]() | BAW156 | 0.0400 | ![]() | 172 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAW156 | 标准 | SOT23-3(TO-236) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0070 | 7,839 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 85 v | 140mA(DC) | 1.1 V @ 50 mA | 3 µs | 5 na @ 75 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | IDH10G65C6XKSA1 | 4.6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | IDH10G65 | SIC (碳化硅) | pg-to220-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.35 V @ 10 A | 0 ns | 33 µA @ 420 V | -55°C 〜175°C | 24a | 495pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | IDWD20G120C5XKSA1 | 13.9200 | ![]() | 786 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | IDWD20 | SIC (碳化硅) | pg-to247-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.65 V @ 20 A | 0 ns | 166 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 62a | 1368pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | D2200N24TVFXPSA1 | 527.3975 | ![]() | 2464 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | do-200 ac,k-puk | D2200N24 | 标准 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 4 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2400 v | 1.2 V @ 2000 A | 150 ma @ 2400 V | -40°C〜160°C | 2200a | - |
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