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狄(1803)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 分散配置 电压 - 反向 (Vr)（最大） 当前 - 平均调整 (Io)（每个分区） 电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 分布类型 电压 - 逆势高峰（最大） 电容比 电容比条件 Q@Vr，F
IRD3CH82DD6 Infineon Technologies IRD3CH82DD6 -
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 ECAD 3199 0.00000000 英飞凌科技 - 大部分 过时的 IRD3CH82 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 1
PX8240HDNG018XTMA1 Infineon Technologies PX8240HDNG018XTMA1 -
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 ECAD 第1527章 0.00000000 英飞凌科技 - 托盘 过时的 PX8240HD - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 过时的 1
21DN02S01EVOPRXPSA1 Infineon Technologies 21DN02S01EVOPRXPSA1 -
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 ECAD 2433 0.00000000 英飞凌科技 - 托盘 的积极 - - 21DN02 - - - 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 SP000541810 0000.00.0000 1 - - - -
D740N44TXPSA1 Infineon Technologies D740N44TXPSA1 439.5300
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 ECAD 8984 0.00000000 英飞凌科技 - 托盘 的积极 的 DO-200AB、B-PUK D740N44 标准 - 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 6 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 4400伏 1.45V@700A 70毫安@4400伏 -40℃～160℃ 750A -
BB659CH7912XTSA1 Infineon Technologies BB659CH7912XTSA1 -
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 ECAD 2633 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 SC-80 BB659 SCD-80 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 8,000 2.75pF@28V、1MHz 单身的 30V 15.3 C1/C28 -
DD350N14KHPSA1 Infineon Technologies DD350N14KHPSA1 -
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 ECAD 3986 0.00000000 英飞凌科技 - 大部分 过时的 安装结构 模块 DD350N14 标准 模块 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 3 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1对中央 1400伏 350A 1.28V@1000A 30毫安@1400伏 -40℃～150℃
IDK08G65C5XTMA1 Infineon Technologies IDK08G65C​​​​5XTMA1 -
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 ECAD 6574 0.00000000 英飞凌科技 CoolSiC™+ 卷带式 (TR) SIC停产 表面贴装 TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB IDK08G65 SiC（碳化硅）肖特基 PG-TO263-2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 1,000 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.8V@8A 0纳秒 1.4毫安@650伏 -55℃～175℃ 8A 250pF@1V、1MHz
IDH20G65C6XKSA1 Infineon Technologies IDH20G65C6XKSA1 8.1100
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 ECAD 3 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 IDH20G65 SiC（碳化硅）肖特基 PG-TO220-2 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 50 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.35V@20A 0纳秒 420V时为67μA -55℃～175℃ 41A 970pF @ 1V、1MHz
BBY 57-02W E6127 Infineon Technologies BBY 57-02W E6127 -
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 ECAD 8923 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 SC-80 BBY 57 SCD-80 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 8,000 5.5pF @ 4V、1MHz 单身的 10V 4.5 C1/C4 -
BB659CH7902XTSA1 Infineon Technologies BB659CH7902XTSA1 -
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 ECAD 5397 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 SC-80 BB659 SCD-80 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 3,000 2.75pF@28V、1MHz 单身的 30V 15.3 C1/C28 -
BB814E7801GR1HTSA1 Infineon Technologies BB814E7801GR1HTSA1 0.0900
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 ECAD 60 0.00000000 英飞凌科技 - 大部分 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PG-SOT23-3-1 下载 不适用 1（无限制） 供应商未定义 EAR99 8541.10.0070 3,000 22.7pF @ 8V、1MHz 1对共轴线 18V 2.25 C2/C8 200@2V，100MHz
CWM60FN Infineon Technologies CWM60FN 1.0000
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 ECAD 8163 0.00000000 英飞凌科技 * 大部分 的积极 - 0000.00.0000 1
BAT 64-05 B5003 Infineon Technologies BAT 64-05 B5003 -
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 ECAD 8446 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 蝙蝠64 肖特基 PG-SOT23 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 3,000 小信号=< 200mA (Io)，任意速度 1对共轴线 40V 120毫安 750 毫伏 @ 100 毫安 5纳秒 2μA@30V 150℃（最高）
IDW40G65C5FKSA1 Infineon Technologies IDW40G65C5FKSA1 -
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 ECAD 1368 0.00000000 英飞凌科技 CoolSiC™+ 大部分 SIC停产 通孔 TO-247-3 IDW40G65 SiC（碳化硅）肖特基 PG-TO247-3-1 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 240 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@40A 0纳秒 1.4毫安@650伏 -55℃～175℃ 40A 1140pF @ 1V、1MHz
D8320N02TVFXPSA1 Infineon Technologies D8320N02TVFXPSA1 -
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 ECAD 1170 0.00000000 英飞凌科技 - 大部分 过时的 安装结构 DO-200AD D8320N02 标准 - 下载 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 1 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 200V 795 mV @ 4000 A 100毫安@200伏 -25℃～150℃ 8320A -
IDW10G65C5FKSA1 Infineon Technologies IDW10G65C5FKSA1 -
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 ECAD 8089 0.00000000 英飞凌科技 CoolSiC™+ 管子 SIC停产 通孔 TO-247-3 IDW10G65 SiC（碳化硅）肖特基 PG-TO247-3-41 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 240 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@10A 0纳秒 650V时为400μA -55℃～175℃ 10A 300pF@1V、1MHz
IDB06S60C Infineon Technologies IDB06S60C -
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 ECAD 3678 0.00000000 英飞凌科技 CoolSiC™+ 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB IDB06 SiC（碳化硅）肖特基 PG-TO220-3-45 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 1,000 无恢复T>500mA(Io) 600伏 1.7V@6A 0纳秒 80μA@600V -55℃～175℃ 6A 280pF@1V、1MHz
BAS116E6327HTSA1 Infineon Technologies BAS116E6327HTSA1 0.4100
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 ECAD 1 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 最后一次购买 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BAS116 标准 PG-SOT23 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 3,000 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 80V 1.25V@150mA 1.5微秒 5nA@75V 150℃（最高） 250毫安 2pF@0V、1MHz
BAS 40 B5003 Infineon Technologies BAS 40 B5003 -
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 ECAD 6733 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 巴斯克40 肖特基 PG-SOT23 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 3,000 小信号=< 200mA (Io)，任意速度 40V 1V@40mA 100皮秒 1μA@30V -55℃～150℃ 120毫安 5pF @ 0V、1MHz
IDH04SG60CXKSA2 Infineon Technologies IDH04SG60CXKSA2 2.9100
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 ECAD 第486章 0.00000000 英飞凌科技 CoolSiC™+ 管子 的积极 通孔 TO-220-2 IDH04SG60 SiC（碳化硅）肖特基 PG-TO220-2-1 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 500 无恢复T>500mA(Io) 600伏 2.3V@4A 0纳秒 600V时为25μA -55℃～175℃ 4A 80pF@1V、1MHz
IDC73D120T6MX1SA2 Infineon Technologies IDC73D120T6MX1SA2 -
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 ECAD 8525 0.00000000 英飞凌科技 - 大部分 SIC停产 表面贴装 死 IDC73D120 标准 锯片在铝箔上 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 SP000374980 EAR99 8541.10.0080 1 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1200伏 2.05V@150A 1200V时为26μA -40℃～175℃ 150A -
IDH10SG60CXKSA1 Infineon Technologies IDH10SG60CXKSA1 -
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 ECAD 6781 0.00000000 英飞凌科技 CoolSiC™+ 管子 SIC停产 通孔 TO-220-2 IDH10SG60 SiC（碳化硅）肖特基 PG-TO220-2-2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 500 无恢复T>500mA(Io) 600伏 2.1V@10A 0纳秒 600V时为90μA -55℃～175℃ 10A 290pF@1V、1MHz
IDL04G65C5XUMA2 Infineon Technologies IDL04G65C5XUMA2 2.8000
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 ECAD 3 0.00000000 英飞凌科技 CoolSiC™+ 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 4-PowerTSFN IDL04G65 SiC（碳化硅）肖特基 PG-VSON-4 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 3,000 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@4A 0纳秒 650V时为70μA -55℃～175℃ 4A 130pF@1V、1MHz
IDC50S120C5X7SA1 Infineon Technologies IDC50S120C5X7SA1 55.0800
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 ECAD 第1333章 0.00000000 英飞凌科技 - 大部分 的积极 - - IDC50S120 - - - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 0000.00.0000 1 - - - -
ND171N18KHPSA1 Infineon Technologies ND171N18KHPSA1 -
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 ECAD 8414 0.00000000 英飞凌科技 - 托盘 过时的 安装结构 模块 ND171N18 标准 BG-PB34-1 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 8 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1800伏 20毫安@1800伏 -40℃～135℃ 171A -
SIDC30D120E6X1SA2 Infineon Technologies SIDC30D120E6X1SA2 -
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 ECAD 9705 0.00000000 英飞凌科技 - 大部分 SIC停产 表面贴装 死 SIDC30D 标准 锯片在铝箔上 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 1 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1200伏 1.9V@35A 1200V时为27μA -55℃～150℃ 35A -
IDP40E65D2XKSA1 Infineon Technologies IDP40E65D2XKSA1 2.5600
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 ECAD 298 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 IDP40E65 标准 TO-220-2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 650伏 2.3V@40A 75纳秒 40μA@650V -40℃～175℃ 40A -
DD104N08KHPSA1 Infineon Technologies DD104N08KHPSA1 -
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 ECAD 5458 0.00000000 英飞凌科技 - 大部分 过时的 安装结构 POW-R-BLOK™模块 标准 POW-R-BLOK™模块 下载 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 15 标准恢复 >500ns，>200mA (Io) 1对中央 800V 104A 1.4V@300A 20毫安@800伏 150℃
IDB10S60C Infineon Technologies IDB10S60C -
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 ECAD 5674 0.00000000 英飞凌科技 CoolSiC™+ 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB IDB10 SiC（碳化硅）肖特基 PG-TO263-3-2 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 1,000 无恢复T>500mA(Io) 600伏 1.7V@10A 0纳秒 600V时为140μA -55℃～175℃ 10A 480pF@1V、1MHz
IDL02G65C5XUMA1 Infineon Technologies IDL02G65C5XUMA1 -
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 ECAD 5590 0.00000000 英飞凌科技 CoolSiC™+ 卷带式 (TR) SIC停产 表面贴装 4-PowerTSFN IDL02G65 SiC（碳化硅）肖特基 PG-VSON-4 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 3,000 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@2A 0纳秒 650V时为35μA -55℃～175℃ 2A 70pF@1V、1MHz
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    30,000,000

    标准产品单位

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    全球制造商

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    智能仓库

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