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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | D711N60TXPSA1 | - | ![]() | 3955 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 夹紧 | DO-200AB,B-PUK | D711N60 | 标准 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 6000 v | 1.9 V @ 1200 A | 50 mA @ 6000 V | -40°C〜160°C | 1070a | - | |||||
![]() | gateleadwhbk750xxpsa1 | 29.6100 | ![]() | 4253 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | - | - | Gateleadwhbk750 | - | - | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | |||||||||
![]() | BAS5202VE6127XT | - | ![]() | 5084 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | BAS5202 | 肖特基 | PG-SC79-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 40,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 600 mv @ 200 ma | 10 µA @ 45 V | 150°C (最大) | 750mA | 10pf @ 10V,1MHz | |||||
![]() | DDB6U205N16LHOSA1 | 215.5600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DDB6U205 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 4 | - | 3独立 | 1600 v | - | 1.47 V @ 200 A | 10 ma @ 1600 V | -40°C〜150°C | |||||
![]() | BAT64-06WE6327 | 0.0300 | ![]() | 141 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BAT64 | 肖特基 | SOT-323 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 40 V | 120mA | 750 mv @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 30 V | 150°C | ||||
![]() | BAS70B5000 | 0.0300 | ![]() | 90 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 肖特基 | PG-SOT23-3-3 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 70 v | 1 V @ 15 ma | 100 na @ 50 V | 150°C | 70mA | 1.5pf @ 0v,1MHz | ||||||
![]() | 56DN06B02ELEMXPSA1 | 383.9800 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 夹紧 | DO-200AB,B-PUK | 56DN06 | 标准 | E-EUPEC-0 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 940 MV @ 8000 A | 60 ma @ 600 V | 180°C (最大) | 11140a | - | |||||
![]() | IDW40E65D2 | - | ![]() | 9751 | 0.00000000 | Infineon技术 | IDW | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | 标准 | pg-to247-3 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 650 v | 2.3 V @ 40 A | 75 ns | 40 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | 80a | - | ||||||||
![]() | BAV99E6327 | - | ![]() | 1889年 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAV99 | 标准 | PG-SOT23 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 80 V | 200ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 150 na @ 70 V | 150°C (最大) | |||||
![]() | AIDW30S65C5XKSA1 | 8.9000 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100/101,Coolsic™ | 管子 | 上次购买 | 通过洞 | TO-247-3 | AIDW30 | SIC (碳化硅) | pg-to247-3-41 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 30 A | 0 ns | 120 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | 30a | 860pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | BAS1602WH6327XTSA1 | - | ![]() | 6265 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-80 | BAS1602 | 标准 | SCD-80 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 80 V | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µA @ 75 V | 150°C (最大) | 200mA | 2pf @ 0v,1MHz | |||||
![]() | IDV30E65D2XKSA1 | 2.5600 | ![]() | 490 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | IDV30E65 | 标准 | pg-to220-2完整包 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 650 v | 2.2 V @ 30 A | 42 ns | 40 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | 30a | - | ||||
![]() | DD46S10KHPSA1 | - | ![]() | 8028 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | 模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1000 v | 64a | 1.6 V @ 150 A | 20 ma @ 1000 V | 125°C | |||||||
![]() | IRD3CH53DF6 | - | ![]() | 1924年 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | IRD3CH53 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001544384 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | 62-0216pbf | - | ![]() | 8471 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 62-02 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001574878 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | DD230S22KHPSA1 | - | ![]() | 8295 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | 模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 2200 v | 261a | 1.74 V @ 800 A | 160 ma @ 2200 V | 150°C | |||||||
![]() | DD171N16KAHPSA1 | 160.0375 | ![]() | 7467 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | DD171N16 | - | rohs3符合条件 | 8 | ||||||||||||||||||||
![]() | SDT10S30 | - | ![]() | 1251 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | SDT10S | SIC (碳化硅) | PG-TO220-2-2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 300 v | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 200 µA @ 300 V | -55°C 〜175°C | 10a | 600pf @ 0v,1MHz | |||||
![]() | DD98N20KHPSA1 | - | ![]() | 3605 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | 模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 2000 v | 98a | 1.53 V @ 300 A | 25 ma @ 2000 V | -40°C〜150°C | |||||||
![]() | IDH04G65C5XKSA2 | 2.5600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | IDH04G65 | SIC (碳化硅) | pg-to220-2-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 4 A | 0 ns | 70 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 4a | 130pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | IDW30E65D1FKSA1 | 2.3100 | ![]() | 361 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | IDW30E65 | 标准 | PG-TO247-3-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 650 v | 1.7 V @ 30 A | 115 ns | 40 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | 60a | - | ||||
![]() | IDK04G65C5XTMA2 | 2.5800 | ![]() | 885 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IDK04G65 | SIC (碳化硅) | pg-to263-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.8 V @ 4 A | 0 ns | 670 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 4a | 130pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | ND89N08KHPSA1 | - | ![]() | 1146 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | ND89N08 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | ||||||||||||||||
![]() | IDK06G65C5XTMA2 | 3.2800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IDK06G65 | SIC (碳化硅) | pg-to263-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.8 V @ 6 A | 0 ns | 1.1 ma @ 650 V | -55°C 〜175°C | 6a | 190pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | IDB45E60 | - | ![]() | 9037 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | pg-to263-3-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | ||||||||||||||
![]() | DD241S14KKHPSA1 | - | ![]() | 9454 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | 模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1400 v | 261a | 1.55 V @ 800 A | 200 ma @ 1400 V | 150°C | |||||||
![]() | BAS7006WE6327HTSA1 | - | ![]() | 4996 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BAS7006 | 肖特基 | PG-SOT323 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 70 v | 70mA(dc) | 1 V @ 15 ma | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150°C (最大) | |||||
![]() | DD285N02KHPSA1 | 219.0667 | ![]() | 8477 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | DD285N02 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 285a | 1.15 V @ 800 A | 20 ma @ 200 V | -40°C〜150°C | |||||
![]() | BAS 16 B5003 | - | ![]() | 1100 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS 16 | 标准 | PG-SOT23 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 80 V | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µA @ 75 V | 150°C (最大) | 250mA | 2pf @ 0v,1MHz | |||||
![]() | 62-0245pbf | - | ![]() | 2200 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 62-02 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001550590 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 |
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