SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
D711N60TXPSA1 Infineon Technologies D711N60TXPSA1 -
RFQ
ECAD 3955 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 夹紧 DO-200AB,B-PUK D711N60 标准 - 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 6000 v 1.9 V @ 1200 A 50 mA @ 6000 V -40°C〜160°C 1070a -
GATELEADWHBK750XXPSA1 Infineon Technologies gateleadwhbk750xxpsa1 29.6100
RFQ
ECAD 4253 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 - - Gateleadwhbk750 - - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 0000.00.0000 1 - - - -
BAS5202VE6127XT Infineon Technologies BAS5202VE6127XT -
RFQ
ECAD 5084 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 SC-79,SOD-523 BAS5202 肖特基 PG-SC79-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 40,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 600 mv @ 200 ma 10 µA @ 45 V 150°C (最大) 750mA 10pf @ 10V,1MHz
DDB6U205N16LHOSA1 Infineon Technologies DDB6U205N16LHOSA1 215.5600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 底盘安装 模块 DDB6U205 标准 模块 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 4 - 3独立 1600 v - 1.47 V @ 200 A 10 ma @ 1600 V -40°C〜150°C
BAT64-06WE6327 Infineon Technologies BAT64-06WE6327 0.0300
RFQ
ECAD 141 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 表面安装 SC-70,SOT-323 BAT64 肖特基 SOT-323 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对公共阳极 40 V 120mA 750 mv @ 100 ma 5 ns 2 µA @ 30 V 150°C
BAS70B5000 Infineon Technologies BAS70B5000 0.0300
RFQ
ECAD 90 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 肖特基 PG-SOT23-3-3 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 70 v 1 V @ 15 ma 100 na @ 50 V 150°C 70mA 1.5pf @ 0v,1MHz
56DN06B02ELEMXPSA1 Infineon Technologies 56DN06B02ELEMXPSA1 383.9800
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 夹紧 DO-200AB,B-PUK 56DN06 标准 E-EUPEC-0 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 940 MV @ 8000 A 60 ma @ 600 V 180°C (最大) 11140a -
IDW40E65D2 Infineon Technologies IDW40E65D2 -
RFQ
ECAD 9751 0.00000000 Infineon技术 IDW 大部分 积极的 通过洞 TO-247-3 标准 pg-to247-3 下载 Ear99 8542.39.0001 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 650 v 2.3 V @ 40 A 75 ns 40 µA @ 650 V -40°C〜175°C 80a -
BAV99E6327 Infineon Technologies BAV99E6327 -
RFQ
ECAD 1889年 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAV99 标准 PG-SOT23 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对系列连接 80 V 200ma(dc) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 150 na @ 70 V 150°C (最大)
AIDW30S65C5XKSA1 Infineon Technologies AIDW30S65C5XKSA1 8.9000
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q100/101,Coolsic™ 管子 上次购买 通过洞 TO-247-3 AIDW30 SIC (碳化硅) pg-to247-3-41 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 30 A 0 ns 120 µA @ 650 V -40°C〜175°C 30a 860pf @ 1V,1MHz
BAS1602WH6327XTSA1 Infineon Technologies BAS1602WH6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 6265 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-80 BAS1602 标准 SCD-80 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 80 V 1.25 V @ 150 mA 4 ns 1 µA @ 75 V 150°C (最大) 200mA 2pf @ 0v,1MHz
IDV30E65D2XKSA1 Infineon Technologies IDV30E65D2XKSA1 2.5600
RFQ
ECAD 490 0.00000000 Infineon技术 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 IDV30E65 标准 pg-to220-2完整包 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 650 v 2.2 V @ 30 A 42 ns 40 µA @ 650 V -40°C〜175°C 30a -
DD46S10KHPSA1 Infineon Technologies DD46S10KHPSA1 -
RFQ
ECAD 8028 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 底盘安装 模块 标准 模块 下载 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 15 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 1000 v 64a 1.6 V @ 150 A 20 ma @ 1000 V 125°C
IRD3CH53DF6 Infineon Technologies IRD3CH53DF6 -
RFQ
ECAD 1924年 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 IRD3CH53 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001544384 Ear99 8541.10.0080 1
62-0216PBF Infineon Technologies 62-0216pbf -
RFQ
ECAD 8471 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 62-02 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001574878 Ear99 8541.10.0080 1
DD230S22KHPSA1 Infineon Technologies DD230S22KHPSA1 -
RFQ
ECAD 8295 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 底盘安装 模块 标准 模块 下载 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 2200 v 261a 1.74 V @ 800 A 160 ma @ 2200 V 150°C
DD171N16KAHPSA1 Infineon Technologies DD171N16KAHPSA1 160.0375
RFQ
ECAD 7467 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 DD171N16 - rohs3符合条件 8
SDT10S30 Infineon Technologies SDT10S30 -
RFQ
ECAD 1251 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 SDT10S SIC (碳化硅) PG-TO220-2-2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 500 没有恢复t> 500mA(IO) 300 v 1.7 V @ 10 A 0 ns 200 µA @ 300 V -55°C 〜175°C 10a 600pf @ 0v,1MHz
DD98N20KHPSA1 Infineon Technologies DD98N20KHPSA1 -
RFQ
ECAD 3605 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 底盘安装 模块 标准 模块 下载 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 15 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 2000 v 98a 1.53 V @ 300 A 25 ma @ 2000 V -40°C〜150°C
IDH04G65C5XKSA2 Infineon Technologies IDH04G65C5XKSA2 2.5600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 IDH04G65 SIC (碳化硅) pg-to220-2-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 4 A 0 ns 70 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 4a 130pf @ 1V,1MHz
IDW30E65D1FKSA1 Infineon Technologies IDW30E65D1FKSA1 2.3100
RFQ
ECAD 361 0.00000000 Infineon技术 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 IDW30E65 标准 PG-TO247-3-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 650 v 1.7 V @ 30 A 115 ns 40 µA @ 650 V -40°C〜175°C 60a -
IDK04G65C5XTMA2 Infineon Technologies IDK04G65C5XTMA2 2.5800
RFQ
ECAD 885 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IDK04G65 SIC (碳化硅) pg-to263-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.8 V @ 4 A 0 ns 670 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 4a 130pf @ 1V,1MHz
ND89N08KHPSA1 Infineon Technologies ND89N08KHPSA1 -
RFQ
ECAD 1146 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 ND89N08 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 15
IDK06G65C5XTMA2 Infineon Technologies IDK06G65C5XTMA2 3.2800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IDK06G65 SIC (碳化硅) pg-to263-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.8 V @ 6 A 0 ns 1.1 ma @ 650 V -55°C 〜175°C 6a 190pf @ 1V,1MHz
IDB45E60 Infineon Technologies IDB45E60 -
RFQ
ECAD 9037 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB pg-to263-3-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000
DD241S14KKHPSA1 Infineon Technologies DD241S14KKHPSA1 -
RFQ
ECAD 9454 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 底盘安装 模块 标准 模块 下载 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 1400 v 261a 1.55 V @ 800 A 200 ma @ 1400 V 150°C
BAS7006WE6327HTSA1 Infineon Technologies BAS7006WE6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 4996 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-70,SOT-323 BAS7006 肖特基 PG-SOT323 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对公共阳极 70 v 70mA(dc) 1 V @ 15 ma 100 ps 100 na @ 50 V 150°C (最大)
DD285N02KHPSA1 Infineon Technologies DD285N02KHPSA1 219.0667
RFQ
ECAD 8477 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 底盘安装 模块 DD285N02 标准 模块 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对普通阴极 200 v 285a 1.15 V @ 800 A 20 ma @ 200 V -40°C〜150°C
BAS 16 B5003 Infineon Technologies BAS 16 B5003 -
RFQ
ECAD 1100 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAS 16 标准 PG-SOT23 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 80 V 1.25 V @ 150 mA 4 ns 1 µA @ 75 V 150°C (最大) 250mA 2pf @ 0v,1MHz
62-0245PBF Infineon Technologies 62-0245pbf -
RFQ
ECAD 2200 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 62-02 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001550590 Ear99 8541.10.0080 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库