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（1803）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	电流 -最大	（（（）	二极管配置	电压-DC 反向（（vr）（VR））	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电阻 @ if，f
IDH02G120C5XKSA1	3.8800	RFQ	40	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	积极的		通过洞	TO-220-2	IDH02G120	SIC （碳化硅）	pg-to220-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	没有恢复t> 500mA（IO）				1200 v		1.65 V @ 2 A	0 ns	18 µA @ 1200 V	175°c （最大）	2a	182pf @ 1V，1MHz
IDH08G120C5XKSA1	6.3300	RFQ	995	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	积极的		通过洞	TO-220-2	IDH08G120	SIC （碳化硅）	pg-to220-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	没有恢复t> 500mA（IO）				1200 v		1.95 V @ 8 A	0 ns	40 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	8a	365pf @ 1V，1MHz
IDH16G120C5XKSA1	11.1500	RFQ	369	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	积极的		通过洞	TO-220-2	IDH16G120	SIC （碳化硅）	pg-to220-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	没有恢复t> 500mA（IO）				1200 v		1.95 V @ 16 A	0 ns	50 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	16a	730pf @ 1V，1MHz
IDK02G65C5XTMA1	-	RFQ	5793	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IDK02G65	SIC （碳化硅）	pg-to263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	没有恢复t> 500mA（IO）				650 v		1.8 V @ 2 A	0 ns	330 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	2a	70pf @ 1V，1MHz
IDK04G65C5XTMA1	-	RFQ	1952年	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IDK04G65	SIC （碳化硅）	pg-to263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	没有恢复t> 500mA（IO）				650 v		1.8 V @ 4 A	0 ns	670 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	4a	130pf @ 1V，1MHz
IDL12G65C5XUMA1	-	RFQ	5713	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	4-POWERTSFN	IDL12G65	SIC （碳化硅）	PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000941316	Ear99	8541.10.0080	3,000	没有恢复t> 500mA（IO）				650 v		1.7 V @ 12 A	0 ns	190 µA @ 650 V	-55°C〜150°C	12a	360pf @ 1V，1MHz
IDM05G120C5XTMA1	4.7100	RFQ	1	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IDM05G120	SIC （碳化硅）	pg-to252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	没有恢复t> 500mA（IO）				1200 v		1.8 V @ 5 A	0 ns	33 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	5a	301pf @ 1V，1MHz
IDP20E65D2XKSA1	1.7500	RFQ	8931	Infineon技术	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-2	IDP20E65	标准	pg-to220-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001170100	Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）				650 v		2.2 V @ 20 A	32 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	40a	-
IDV20E65D1XKSA1	1.4600	RFQ	478	Infineon技术	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-2完整包	IDV20E65	标准	pg-to220-2完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）				650 v		1.7 V @ 20 A	42 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	28a	-
IDV30E65D2XKSA1	2.5600	RFQ	490	Infineon技术	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-2完整包	IDV30E65	标准	pg-to220-2完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）				650 v		2.2 V @ 30 A	42 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	30a	-
IDW32G65C5BXKSA1	-	RFQ	4053	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产		通过洞	TO-247-3		SIC （碳化硅）	pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	240	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			1对普通阴极	650 v	16A（DC）	1.7 V @ 16 A		200 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C
IDW50E60FKSA1	3.0800	RFQ	2845	Infineon技术	-	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	IDW50E60	标准	pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	240	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）				600 v		2 V @ 50 A	115 ns	40 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	80a	-
BAT2402ELSE6327XTSA1	0.6505	RFQ	2806	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）		0201（0603公制）	BAT2402		PG-TSSLP-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001213220	Ear99	8541.10.0070	15,000		110 MA	100兆									0.23pf @ 0v，1MHz	肖特基 -单身	4V	10ohm @ 50mA，1MHz
BAT6202VH6327XTSA1	0.4700	RFQ	10	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-79，SOD-523	BAT6202	肖特基	PG-SC79-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度				40 V		1 V @ 2 ma		10 µA @ 40 V	150°C （最大）	20mA	0.6pf @ 0v，1MHz
62-0209pbf	-	RFQ	8445	Infineon技术	-	大部分	过时的				62-02			下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001562842	Ear99	8541.10.0080	1
62-0216pbf	-	RFQ	8471	Infineon技术	-	大部分	过时的				62-02			下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001574878	Ear99	8541.10.0080	1
62-0239pbf	-	RFQ	8788	Infineon技术	-	大部分	过时的				62-02			下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001553524	Ear99	8541.10.0080	1
62-0245pbf	-	RFQ	2200	Infineon技术	-	大部分	过时的				62-02			下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001550590	Ear99	8541.10.0080	1
IDC08D120T6MX1SA2	-	RFQ	4632	Infineon技术	-	大部分	过时的		表面安装	死	IDC08D120	标准	锯箔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000301857	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）				1200 v		2.05 V @ 10 A		2.7 µA @ 1200 V	-40°C〜175°C	10a	-
IDC10D120T6MX1SA1	-	RFQ	9646	Infineon技术	-	大部分	过时的		表面安装	死	IDC10D120	标准	锯箔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000301858	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）				1200 v		2.05 V @ 15 A		3.5 µA @ 1200 V	-40°C〜175°C	15a	-
IDC15D120T6MX1SA2	-	RFQ	6296	Infineon技术	-	大部分	过时的		表面安装	死	IDC15D120	标准	锯箔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000301859	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）				1200 v		2.05 V @ 25 A		5.2 µA @ 1200 V	-40°C〜175°C	25a	-
IDC28D120T6MX1SA2	-	RFQ	2270	Infineon技术	-	大部分	过时的		表面安装	死	IDC28D120	标准	锯箔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000301861	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）				1200 v		2.05 V @ 50 A		10 µA @ 1200 V	-40°C〜175°C	50a	-
IDC40D120T6MX1SA4	-	RFQ	1449	Infineon技术	-	大部分	过时的		表面安装	死	IDC40D120	标准	锯箔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000301865	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）				1200 v		2.05 V @ 75 A		14 µA @ 1200 V	-40°C〜175°C	75a	-
SIDC08D120H8X1SA1	-	RFQ	8031	Infineon技术	-	大部分	积极的				SIDC08	标准		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）				1200 v		1.41 V @ 45 A		27 µA @ 1200 V	-40°C〜175°C	150a	-
SIDC23D120H8X1SA1	-	RFQ	3541	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	死	sidc23d	标准	锯箔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000526884	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）				1200 v		1.97 V @ 35 A		27 µA @ 1200 V	-40°C〜175°C	35a	-
SIDC30D120H8X1SA4	-	RFQ	1420	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	死	sidc30d	标准	锯箔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000491760	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）				1200 v		1.97 V @ 50 A		27 µA @ 1200 V	-40°C〜175°C	50a	-
SIDC42D120H8X1SA3	-	RFQ	5467	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产		表面安装	死	sidc42d	标准	锯箔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000491790	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）				1200 v		1.97 V @ 50 A		27 µA @ 1200 V	-40°C〜175°C	75a	-
SIDC53D120H8X1SA1	-	RFQ	9936	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产		表面安装	死	sidc53d	标准	锯箔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000527634	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）				1200 v		1.97 V @ 100 A		27 µA @ 1200 V	-40°C〜175°C	100a	-
IRD3CH101DD6	-	RFQ	8145	Infineon技术	-	大部分	过时的				IRD3CH101			下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1
IRD3CH11DF6	-	RFQ	2077	Infineon技术	-	大部分	过时的				IRD3CH11			下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001540418	Ear99	8541.10.0080	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1803）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²