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（1803）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 电压-DC 反向（（vr）（VR）） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
SIDC42D120H8X1SA3 Infineon Technologies SIDC42D120H8X1SA3 -
RFQ
 ECAD 5467 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 在sic中停产 表面安装 死 sidc42d 标准 锯箔 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP000491790 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.97 V @ 50 A 27 µA @ 1200 V -40°C〜175°C 75a -
SIDC53D120H8X1SA1 Infineon Technologies SIDC53D120H8X1SA1 -
RFQ
 ECAD 9936 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 在sic中停产 表面安装 死 sidc53d 标准 锯箔 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP000527634 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.97 V @ 100 A 27 µA @ 1200 V -40°C〜175°C 100a -
IRD3CH101DD6 Infineon Technologies IRD3CH101DD6 -
RFQ
 ECAD 8145 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 IRD3CH101 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1
IRD3CH11DF6 Infineon Technologies IRD3CH11DF6 -
RFQ
 ECAD 2077 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 IRD3CH11 下载 （1 （无限） 到达不受影响 SP001540418 Ear99 8541.10.0080 1
IRD3CH24DB6 Infineon Technologies IRD3CH24DB6 -
RFQ
 ECAD 9086 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 表面安装 死 IRD3CH24 标准 晶圆 下载 （1 （无限） 到达不受影响 SP001537072 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1200 v 2.7 V @ 40 A 250 ns 10 µA @ 1200 V -40°C〜150°C 40a -
IRD3CH24DD6 Infineon Technologies IRD3CH24DD6 -
RFQ
 ECAD 8979 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 IRD3CH24 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1
IRD3CH31DB6 Infineon Technologies IRD3CH31DB6 -
RFQ
 ECAD 4903 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 表面安装 死 IRD3CH31 标准 晶圆 下载 （1 （无限） 到达不受影响 SP001539694 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1200 v 2.7 V @ 50 A 240 ns 20 µA @ 1200 V -40°C〜150°C 50a -
IRD3CH31DF6 Infineon Technologies IRD3CH31DF6 -
RFQ
 ECAD 5804 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 IRD3CH31 下载 （1 （无限） 到达不受影响 SP001535692 Ear99 8541.10.0080 1
IRD3CH42DD6 Infineon Technologies IRD3CH42DD6 -
RFQ
 ECAD 2622 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 IRD3CH42 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1
IRD3CH53DB6 Infineon Technologies IRD3CH53DB6 -
RFQ
 ECAD 3427 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 表面安装 死 IRD3CH53 标准 死 下载 （1 （无限） 到达不受影响 SP001533446 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1200 v 2.7 V @ 100 A 270 ns 2 µA @ 1200 V -40°C〜150°C 100a -
IRD3CH53DD6 Infineon Technologies IRD3CH53DD6 -
RFQ
 ECAD 6686 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 IRD3CH53 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1
IRD3CH53DF6 Infineon Technologies IRD3CH53DF6 -
RFQ
 ECAD 1924年 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 IRD3CH53 下载 （1 （无限） 到达不受影响 SP001544384 Ear99 8541.10.0080 1
IRD3CH82DB6 Infineon Technologies IRD3CH82DB6 -
RFQ
 ECAD 7033 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 表面安装 死 IRD3CH82 标准 死 下载 （1 （无限） 到达不受影响 SP001544394 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1200 v 2.7 V @ 150 A 355 ns 3 µA @ 1200 V -40°C〜150°C 150a -
DF160R12W2H3FB11BOMA1 Infineon Technologies DF160R12W2H3FB11BOMA1 -
RFQ
 ECAD 5669 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 在sic中停产 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 DF160R12 标准 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP000908738 Ear99 8541.10.0080 15 950 MV @ 30 A 100 µA @ 1.2 V 50 a 单相 1.2 v
DF80R12W2H3FB11BOMA1 Infineon Technologies DF80R12W2H3FB11BOMA1 -
RFQ
 ECAD 3343 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 在sic中停产 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 DF80R12 标准 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP000908732 Ear99 8541.10.0080 15 950 MV @ 30 A 100 µA @ 1.2 V 50 a 单相 1.2 v
F475R07W2H3B51BOMA1 Infineon Technologies F475R07W2H3B51BOMA1 -
RFQ
 ECAD 9515 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 在sic中停产 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 F475R07 标准 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 1.7 V @ 37.5 A 37.5 a 单相 650 v
IDP2302XUMA1 Infineon Technologies IDP2302XUMA1 -
RFQ
 ECAD 4224 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 IDP2302 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001368358 0000.00.0000 2,500
DD360N22KHPSA1 Infineon Technologies DD360N22KHPSA1 229.0200
RFQ
 ECAD 6691 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 150°C（TJ） 底盘安装 模块 DD360N22 标准 BG-PB50AT-1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3 25 ma @ 2200 V 360 a 单相 2.2 kV
DZ600N18KHPSA1 Infineon Technologies DZ600N18KHPSA1 274.4000
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 底盘安装 模块 DZ600N18 标准 模块 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1800 v 40 ma @ 1800 V -40°C〜150°C 600a
DDB6U85N16LHOSA1 Infineon Technologies DDB6U85N16LHOSA1 136.3700
RFQ
 ECAD 7651 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 底盘安装 模块 DDB6U85 标准 AG-ISOPACK-1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 3独立 1600 v 60a 1.44 V @ 100 A 5 ma @ 1600 V 150°C （最大）
DD104N18KHPSA1 Infineon Technologies DD104N18KHPSA1 148.9253
RFQ
 ECAD 9413 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 150°C（TJ） 底盘安装 模块 DD104N18 标准 BG-PB20-1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 15 20 ma @ 1800 V 104 a 单相 1.8 kV
IDC08S120EX1SA3 Infineon Technologies IDC08S120EX1SA3 -
RFQ
 ECAD 7356 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 大部分 过时的 表面安装 死 IDC08S120 SIC （碳化硅） 锯箔 下载 （1 （无限） 到达不受影响 SP000599930 Ear99 8541.10.0080 1 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 7.5 A 0 ns 180 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 7.5a 380pf @ 1V，1MHz
IDK02G65C5XTMA2 Infineon Technologies IDK02G65C5XTMA2 1.8600
RFQ
 ECAD 4988 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IDK02G65 SIC （碳化硅） pg-to263-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.8 V @ 2 A 0 ns 330 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 2a 70pf @ 1V，1MHz
IDK04G65C5XTMA2 Infineon Technologies IDK04G65C5XTMA2 2.5800
RFQ
 ECAD 885 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IDK04G65 SIC （碳化硅） pg-to263-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.8 V @ 4 A 0 ns 670 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 4a 130pf @ 1V，1MHz
IDK06G65C5XTMA2 Infineon Technologies IDK06G65C5XTMA2 3.2800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IDK06G65 SIC （碳化硅） pg-to263-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.8 V @ 6 A 0 ns 1.1 ma @ 650 V -55°C 〜175°C 6a 190pf @ 1V，1MHz
IDK08G65C5XTMA2 Infineon Technologies IDK08G65C​​ 5XTMA2 4.3500
RFQ
 ECAD 7505 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IDK08G65 SIC （碳化硅） pg-to263-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.8 V @ 8 A 0 ns -55°C 〜175°C 8a 250pf @ 1V，1MHz
IDH04G65C5XKSA2 Infineon Technologies IDH04G65C5XKSA2 2.5600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 IDH04G65 SIC （碳化硅） pg-to220-2-1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.7 V @ 4 A 0 ns 70 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 4a 130pf @ 1V，1MHz
IDH08G65C5XKSA2 Infineon Technologies IDH08G65C​​ 5XKSA2 4.4000
RFQ
 ECAD 7347 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 IDH08G65 SIC （碳化硅） pg-to220-2-1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.7 V @ 8 A 0 ns 140 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 8a 250pf @ 1V，1MHz
IDH12G65C5XKSA2 Infineon Technologies IDH12G65C5XKSA2 6.5300
RFQ
 ECAD 618 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 IDH12G65 SIC （碳化硅） pg-to220-2-1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.7 V @ 12 A 0 ns 190 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 12a 360pf @ 1V，1MHz
IDH16G65C5XKSA2 Infineon Technologies IDH16G65C5XKSA2 7.7800
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 IDH16G65 SIC （碳化硅） pg-to220-2-1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.7 V @ 16 A 0 ns 200 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 16a 470pf @ 1V，1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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