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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | 电压-DC 反向((vr)(VR)) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电容比 | 电容比条件 | q @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BB535E7908HTSA1 | - | ![]() | 8624 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | BB535 | PG-SOD323-2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 2.3pf @ 28V,1MHz | 单身的 | 30 V | 9.8 | C1/C28 | - | |||||||||||||
![]() | BAS16E6327HTSA1 | 0.2900 | ![]() | 54 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS16 | 标准 | PG-SOT23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 80 V | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µA @ 75 V | 150°C (最大) | 250mA | 2pf @ 0v,1MHz | ||||||||||
![]() | BAS7005E6327HTSA1 | 0.3700 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS7005 | 肖特基 | PG-SOT23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 70 v | 70mA(dc) | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150°C (最大) | ||||||||||
![]() | BB639E7908 | - | ![]() | 1104 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | (CT) | 过时的 | BB639 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | IDK02G65C5XTMA2 | 1.8600 | ![]() | 4988 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IDK02G65 | SIC (碳化硅) | pg-to263-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.8 V @ 2 A | 0 ns | 330 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 2a | 70pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | IDK04G65C5XTMA2 | 2.5800 | ![]() | 885 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IDK04G65 | SIC (碳化硅) | pg-to263-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.8 V @ 4 A | 0 ns | 670 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 4a | 130pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | IDK06G65C5XTMA2 | 3.2800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IDK06G65 | SIC (碳化硅) | pg-to263-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.8 V @ 6 A | 0 ns | 1.1 ma @ 650 V | -55°C 〜175°C | 6a | 190pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | IDK08G65C 5XTMA2 | 4.3500 | ![]() | 7505 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IDK08G65 | SIC (碳化硅) | pg-to263-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.8 V @ 8 A | 0 ns | -55°C 〜175°C | 8a | 250pf @ 1V,1MHz | |||||||||||
![]() | IDH04G65C5XKSA2 | 2.5600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | IDH04G65 | SIC (碳化硅) | pg-to220-2-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 4 A | 0 ns | 70 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 4a | 130pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | IDH08G65C 5XKSA2 | 4.4000 | ![]() | 7347 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | IDH08G65 | SIC (碳化硅) | pg-to220-2-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 140 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 8a | 250pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | IDH12G65C5XKSA2 | 6.5300 | ![]() | 618 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | IDH12G65 | SIC (碳化硅) | pg-to220-2-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 12 A | 0 ns | 190 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 12a | 360pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | IDH16G65C5XKSA2 | 7.7800 | ![]() | 900 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | IDH16G65 | SIC (碳化硅) | pg-to220-2-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 16 A | 0 ns | 200 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 16a | 470pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
IDW10G65C5XKSA1 | 5.7400 | ![]() | 1732年 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | IDW10G65 | SIC (碳化硅) | pg-to247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001633164 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 180 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 10a | 300pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
IDW40G65C5BXKSA2 | 19.9300 | ![]() | 104 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | IDW40G65 | SIC (碳化硅) | pg-to247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 20 A | 0 ns | 210 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 20a | 590pf @ 1V,1MHz | |||||||||||
![]() | IDT04S60CHKSA1 | - | ![]() | 4759 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | IDT04S60 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 500 | |||||||||||||||||||||||
![]() | IDT08S60CHKSA1 | - | ![]() | 9211 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | IDT08S60 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 500 | |||||||||||||||||||||||
![]() | IDT10S60CHKSA1 | - | ![]() | 7190 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | IDT10S60 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 500 | |||||||||||||||||||||||
![]() | IDL08G65C 5XUMA2 | 4.3300 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 4-POWERTSFN | IDL08G65 | SIC (碳化硅) | PG-VSON-4 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 140 µA @ 650 V | -55°C〜150°C | 8a | 250pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | D1031SH45TXPSA1 | 1.0000 | ![]() | 9019 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | do-200AD | D1031SH45 | 标准 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 4500 v | 4.2 V @ 2500 A | 100 ma @ 4500 V | 0°C〜140°C | 1450a | - | |||||||||||
![]() | D1331SH45TXPSA1 | 1.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | do-200ae | D1331SH45 | 标准 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 4500 v | 4.2 V @ 2500 A | 150 ma @ 4500 V | 0°C〜140°C | 1710a | - | |||||||||||
![]() | D1131SH65TXPSA1 | 1.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | do-200ae | D1131SH65 | 标准 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 6500 v | 5.6 V @ 2500 A | 150 ma @ 6500 V | 0°C〜140°C | 1100a | - | |||||||||||
![]() | DD81S14KHPSA1 | - | ![]() | 6199 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | 模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1400 v | 96a | 1.55 V @ 300 A | 40 ma @ 1400 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | DD1200S12H4 | - | ![]() | 9762 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DD1200 | 标准 | AG-IHMB130-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2独立 | 1200 v | - | 2.35 V @ 1200 A | 475 A @ 600 V | -40°C〜150°C | |||||||||||
![]() | DD1200S45KL3B5NOSA1 | 1.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DD1200 | 标准 | A-IHV130-4 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2独立 | 4500 v | - | 3.1 V @ 1200 A | 1500 A @ 2800 V | -50°C〜125°C | |||||||||||
![]() | DD104N08KAHPSA1 | - | ![]() | 7082 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | POW-R-Blok™模块 | 标准 | POW-R-Blok™模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 800 v | 104a | 1.4 V @ 300 A | 20 ma @ 800 V | 150°C | |||||||||||||
![]() | DD104N12KHPSA1 | - | ![]() | 6768 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | DD104N12 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 1200 v | 104a | 1.4 V @ 300 A | 20 ma @ 1200 V | -40°C〜150°C | |||||||||||
![]() | DD104N12KAHPSA1 | - | ![]() | 7792 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | POW-R-Blok™模块 | 标准 | POW-R-Blok™模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1200 v | 104a | 1.4 V @ 300 A | 20 ma @ 1200 V | 150°C | |||||||||||||
![]() | DD104N14KHPSA1 | - | ![]() | 2180 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | 模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 1400 v | 104a | 1.4 V @ 300 A | 20 ma @ 1400 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | DD104N14KAHPSA1 | - | ![]() | 2896 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | POW-R-Blok™模块 | 标准 | POW-R-Blok™模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1400 v | 104a | 1.4 V @ 300 A | 20 ma @ 1400 V | 150°C | |||||||||||||
![]() | DD104N16KHPSA1 | 144.8000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DD104N16 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 1600 v | 104a | 1.4 V @ 300 A | 20 ma @ 1600 V | -40°C〜150°C |
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