SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 电流 -最大 ((() 二极管配置 电压-DC 反向((vr)(VR)) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 电阻 @ if,f
IDD03SG60CXTMA1 Infineon Technologies IDD03SG60CXTMA1 -
RFQ
ECAD 6754 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 IDD03SG60 SIC (碳化硅) pg-to252-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 没有恢复t> 500mA(IO) 600 v 2.3 V @ 3 A 0 ns 15 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 3a 60pf @ 1V,1MHz
BAR5003WE6327HTSA1 Infineon Technologies BAR5003WE6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 4691 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) SC-76,SOD-323 BAR50 PG-SOD323-2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 100 ma 250兆 0.4pf @ 5V,1MHz PIN-单 50V 4.5OHM @ 10mA,100MHz
IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies IDM10G120C5XTMA1 6.7900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 IDM10G120 SIC (碳化硅) pg-to252-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.8 V @ 10 A 0 ns 62 µA @ 12 V -55°C〜150°C 38a 29pf @ 800V,1MHz
SIDC08D60C8X1SA1 Infineon Technologies SIDC08D60C8X1SA1 -
RFQ
ECAD 2200 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 表面安装 SIDC08 标准 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.95 V @ 30 A 27 µA @ 600 V -40°C〜175°C 30a -
BAS28 Infineon Technologies BAS28 0.0300
RFQ
ECAD 7642 0.00000000 Infineon技术 * 大部分 积极的 BAS28 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 2156-BAS28 Ear99 8541.10.0070 3,000
BAS40-04B5003 Infineon Technologies BAS40-04B5003 -
RFQ
ECAD 4134 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAS40 肖特基 PG-SOT23-3-3 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对系列连接 40 V 120mA(DC) 1 V @ 40 mA 1 µA @ 30 V 150°C
IDB45E60ATMA1 Infineon Technologies IDB45E60ATMA1 -
RFQ
ECAD 5128 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IDB45 标准 pg-to263-3-2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2 V @ 45 A 140 ns 50 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 71a -
IRD3CH82DD6 Infineon Technologies IRD3CH82DD6 -
RFQ
ECAD 3199 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 IRD3CH82 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1
SIDC105D120H8X1SA1 Infineon Technologies SIDC105D120H8X1SA1 -
RFQ
ECAD 6907 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 在sic中停产 表面安装 SIDC105D 标准 锯箔 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 SP000978580 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1200 v 1.41 V @ 45 A 27 µA @ 1200 V -40°C〜175°C 200a -
DD435N40KHPSA1 Infineon Technologies DD435N40KHPSA1 563.8400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 底盘安装 模块 DD435N40 标准 模块 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 4000 v 573a 1.71 V @ 1200 A 50 ma @ 4000 V -40°C〜150°C
BAT54WE6327 Infineon Technologies BAT54WE6327 0.0200
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 表面安装 SC-70,SOT-323 BAT54 肖特基 PG-SOT323-3 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0070 15,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 30 V 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µA @ 25 V 150°C 200mA 10pf @ 1V,1MHz
DD435N28KSVHPSA1 Infineon Technologies DD435N28KSVHPSA1 -
RFQ
ECAD 2215 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 DD435N28 - 过时的 1
D2601N90TXPSA1 Infineon Technologies D2601N90TXPSA1 2.0000
RFQ
ECAD 6854 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 底盘安装 do-200ae D2601N90 标准 - 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 9000 v 100 ma @ 9000 V -40°C〜160°C 3040a -
D740N40TXPSA1 Infineon Technologies D740N40TXPSA1 -
RFQ
ECAD 1152 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 底盘安装 DO-200AB,B-PUK D740N40 标准 - 下载 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 4000 v 1.45 V @ 700 A 70 ma @ 4000 V -40°C〜160°C 750a -
BAT54-05WH6327 Infineon Technologies BAT54-05WH6327 0.0700
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 表面安装 SC-70,SOT-323 BAT54 肖特基 PG-SOT323-3 下载 不适用 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对普通阴极 30 V 200ma(dc) 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µA @ 25 V 150°C
GATELEAD28134XPSA1 Infineon Technologies gatelead28134xpsa1 12.7800
RFQ
ECAD 5965 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 - - gatelead28134 - - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 0000.00.0000 1 - - - -
IRD3CH42DF6 Infineon Technologies IRD3CH42DF6 -
RFQ
ECAD 6322 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 IRD3CH42 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001539684 Ear99 8541.10.0080 1
BAS70E6327HTSA1 Infineon Technologies BAS70E6327HTSA1 0.5400
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAS70 肖特基 PG-SOT23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 70 v 1 V @ 15 mA 100 ps 100 na @ 50 V -55°C〜125°C 70mA 2pf @ 0v,1MHz
DD100N16SHPSA1 Infineon Technologies DD100N16SHPSA1 29.6800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 底盘安装 模块 DD100N16 标准 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12 1对系列连接 1600 v 130a
PEF20470HV1.1 Infineon Technologies PEF20470HV1.1 36.5900
RFQ
ECAD 87 0.00000000 Infineon技术 * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 5A991C1 8542.39.0001 1
BAT165E6874HTMA1 Infineon Technologies BAT165E6874HTMA1 0.5400
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-76,SOD-323 肖特基 PG-SOD323-2 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 740 mv @ 750 mA 50 µA @ 40 V 150°C 750mA 8.4pf @ 10V,1MHz
IDW16G65C5FKSA1 Infineon Technologies IDW16G65C5FKSA1 -
RFQ
ECAD 3069 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 管子 在sic中停产 通过洞 TO-247-3 IDW16G65 SIC (碳化硅) PG-TO247-3-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 240 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 16 A 0 ns 600 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 16a 470pf @ 1V,1MHz
IDP15E65D1XKSA1 Infineon Technologies IDP15E65D1XKSA1 1.7700
RFQ
ECAD 8865 0.00000000 Infineon技术 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 IDP15E65 标准 TO-220-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 650 v 1.7 V @ 15 A 114 ns 40 µA @ 650 V -40°C〜175°C 15a -
IDW30E65D1FKSA1 Infineon Technologies IDW30E65D1FKSA1 2.3100
RFQ
ECAD 361 0.00000000 Infineon技术 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 IDW30E65 标准 PG-TO247-3-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 650 v 1.7 V @ 30 A 115 ns 40 µA @ 650 V -40°C〜175°C 60a -
IDP08E65D2XKSA1 Infineon Technologies IDP08E65D2XKSA1 1.4500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon技术 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 IDP08E65 标准 TO-220-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 650 v 2.3 V @ 3 A 40 ns 40 µA @ 650 V -40°C〜175°C 8a -
BAR9002ELE6327XTMA1 Infineon Technologies BAR9002ELE6327XTMA1 0.4200
RFQ
ECAD 8136 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 0402((1006公制) BAR9002 PG-TSLP-2-19 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 15,000 100 ma 250兆 0.35pf @ 1V,1MHz PIN-单 80V 800MOHM @ 10mA,100MHz
BAS4002ARPPE6327HTSA1 Infineon Technologies BAS4002ARPPPE6327HTSA1 0.6500
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-253-4,TO-253AA BAS4002 标准 PG-SOT-143-3D 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 400 mv @ 100 ma 10 µA @ 40 V 200 ma 单相 40 V
BAR 50-02V E6768 Infineon Technologies 酒吧50-02VE6768 -
RFQ
ECAD 5756 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) SC-79,SOD-523 酒吧50 PG-SC79-2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 100 ma 250兆 0.4pf @ 5V,1MHz PIN-单 50V 4.5OHM @ 10mA,100MHz
BAR6704E6327HTSA1 Infineon Technologies BAR6704E6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 4367 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAR67 PG-SOT23 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 200 ma 250兆 0.55pf @ 5V,1MHz 引脚-1对系列连接 150V 1 OHM @ 10mA,100MHz
BAR 90-081LS E6327 Infineon Technologies BAR 90-081LS E6327 -
RFQ
ECAD 9106 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 8-xfdfn BAR90 TSSLP-8-1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 15,000 100 ma 150兆 0.35pf @ 1V,1MHz 引脚-4独立 80V 800MOHM @ 10mA,100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库