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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 电流 -最大 | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电阻 @ if,f | 电容比 | 电容比条件 | q @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IDP23011XUMA1 | - | ![]() | 5633 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | IDP23011 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001586032 | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 38DN68S02ELEMXPSA1 | - | ![]() | 1283 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | - | - | 38DN68 | - | - | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000362158 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | |||||||||||||||||
![]() | BAR 88-02LRH E6433 | - | ![]() | 3184 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 150°C(TJ) | SOD-882 | 酒吧88 | PG-TSLP-2-7 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 50,000 | 100 ma | 250兆 | 0.4pf @ 1V,1MHz | PIN-单 | 80V | 600MOHM @ 10mA,100MHz | ||||||||||||||||
![]() | IDV05S60CXKSA1 | - | ![]() | 6510 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | IDV05S60 | SIC (碳化硅) | pg-to220-2完整包 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 600 v | 1.7 V @ 5 A | 0 ns | 70 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 5a | 240pf @ 1V,1MHz | ||||||||||||||
![]() | D740N48TXPSA1 | 464.7833 | ![]() | 8055 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | DO-200AB,B-PUK | D740N48 | 标准 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 4800 v | 1.45 V @ 700 A | 70 MA @ 4800 V | -40°C〜160°C | 750a | - | ||||||||||||||
![]() | BAS4006E6327HTSA1 | 0.4200 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS4006 | 肖特基 | PG-SOT23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 40 V | 120mA(DC) | 1 V @ 40 mA | 100 ps | 1 µA @ 30 V | 150°C (最大) | |||||||||||||
![]() | BBY5303WE6327HTSA1 | 0.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | BBY5303 | pg-sod323-3d | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 3.1pf @ 3V,1MHz | 单身的 | 6 V | 2.6 | C1/C3 | - | |||||||||||||||
![]() | IDP1301GXUMA1 | - | ![]() | 7720 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | IDP1301 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000951208 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IDP18E120XKSA1 | 2.8300 | ![]() | 435 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | IDP18E120 | 标准 | PG-TO220-2-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1200 v | 2.15 V @ 18 A | 195 ns | 100 µA @ 1200 V | -55°C〜150°C | 31a | - | |||||||||||||
![]() | IDP30E65D1XKSA1 | 2.7900 | ![]() | 893 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | IDP30E65 | 标准 | pg-to220-2-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 650 v | 1.7 V @ 30 A | 64 ns | 40 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | 60a | - | |||||||||||||
![]() | IRD3CH82DD6 | - | ![]() | 3199 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | IRD3CH82 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDW40G65C5FKSA1 | - | ![]() | 1368 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 大部分 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-247-3 | IDW40G65 | SIC (碳化硅) | PG-TO247-3-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 240 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 40 A | 0 ns | 1.4 ma @ 650 V | -55°C 〜175°C | 40a | 1140pf @ 1V,1MHz | |||||||||||||
![]() | TZ800N18KS05HPSA1 | - | ![]() | 9055 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | TZ800N | - | 不适用 | 到达不受影响 | SP001692500 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | BAS 52-02V E6327 | - | ![]() | 5560 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | BAS 52 | 肖特基 | PG-SC79-2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 600 mv @ 200 ma | 10 µA @ 45 V | 150°C (最大) | 750mA | 10pf @ 10V,1MHz | |||||||||||||||
![]() | gateleadmpwhpk1258xxpsa1 | 29.6100 | ![]() | 6559 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | - | - | gateleadmpwhpk1258 | - | - | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||
![]() | BA895H6327XTSA1 | - | ![]() | 5036 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | SC-80 | BA895H6327 | SCD-80 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 50 mA | 0.6pf @ 10V,1MHz | PIN-单 | 50V | 7ohm @ 10mA,100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BAS3020BH6327XTSA1 | - | ![]() | 8275 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 | BAS3020 | 肖特基 | PG-SOT363-PO | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 600 mv @ 2 a | 200 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 2a | 70pf @ 1V,1MHz | |||||||||||||||
![]() | BAS116E6327HTSA1 | 0.4100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS116 | 标准 | PG-SOT23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 80 V | 1.25 V @ 150 mA | 1.5 µs | 5 na @ 75 V | 150°C (最大) | 250mA | 2pf @ 0v,1MHz | |||||||||||||
![]() | IDH09SG60CXKSA2 | 4.0156 | ![]() | 8861 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 上次购买 | 通过洞 | TO-220-2 | IDH09SG60 | SIC (碳化硅) | pg-to220-2-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 600 v | 2.1 V @ 9 A | 0 ns | 80 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 9a | 280pf @ 1V,1MHz | |||||||||||||
![]() | D770N16TXPSA1 | - | ![]() | 8580 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 夹紧 | DO-200AA,A-PUK | D770N | 标准 | - | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1600 v | 1.08 V @ 400 A | 30 ma @ 1600 V | -40°C〜180°C | 770a | - | |||||||||||||||
![]() | D2601N85TXPSA1 | 2.0000 | ![]() | 9317 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | do-200ae | D2601N85 | 标准 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 8500 v | 100 ma @ 8500 V | -40°C〜160°C | 3040a | - | |||||||||||||||
![]() | IDH04SG60CXKSA2 | 2.9100 | ![]() | 486 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | IDH04SG60 | SIC (碳化硅) | pg-to220-2-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 600 v | 2.3 V @ 4 A | 0 ns | 25 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 4a | 80pf @ 1V,1MHz | |||||||||||||
![]() | BAV99UE6359HTMA1 | - | ![]() | 5639 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | SC-74,SOT-457 | BAV99 | 标准 | PG-SC74-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000012614 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 2对系列连接 | 80 V | 100mA(dc) | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 150 na @ 70 V | 150°C (最大) | ||||||||||||
![]() | DD230S20KHPSA1 | - | ![]() | 3090 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | 模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 2000 v | 261a | 1.74 V @ 800 A | 160 ma @ 2000 V | 150°C | ||||||||||||||||
![]() | IDD09SG60CXTMA2 | 3.8742 | ![]() | 9340 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IDD09SG60 | SIC (碳化硅) | pg-to252-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 600 v | 2.1 V @ 9 A | 0 ns | 80 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 9a | 280pf @ 1V,1MHz | |||||||||||||
![]() | IDW40E65D2FKSA1 | 3.2100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | IDW40E65 | 标准 | PG-TO247-3-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 650 v | 2.3 V @ 40 A | 75 ns | 40 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | 80a | - | |||||||||||||
![]() | BAV199E6433HTMA1 | 0.4300 | ![]() | 77 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAV199 | 标准 | PG-SOT23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 80 V | 200ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 1.5 µs | 5 na @ 75 V | 150°C (最大) | |||||||||||||
![]() | IRD3CH16DD6 | - | ![]() | 6632 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | IRD3CH16 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV 199 B6327 | - | ![]() | 6048 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAV 199 | 标准 | PG-SOT23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 30,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 80 V | 200mA | 1.25 V @ 150 mA | 1.5 µs | 5 na @ 75 V | 150°C (最大) | |||||||||||||
![]() | D1381S45TXPSA1 | 3.0000 | ![]() | 7651 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | do-200AD | D1381S45 | 标准 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 4500 v | 2.6 V @ 2500 A | 100 ma @ 4500 V | -40°C〜140°C | 1630a | - |
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