SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 电流 -最大 ((() 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 电阻 @ if,f 电容比 电容比条件 q @ vr,f
IDP23011XUMA1 Infineon Technologies IDP23011XUMA1 -
RFQ
ECAD 5633 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 IDP23011 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001586032 过时的 0000.00.0000 2,500
38DN68S02ELEMXPSA1 Infineon Technologies 38DN68S02ELEMXPSA1 -
RFQ
ECAD 1283 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 - - 38DN68 - - - (1 (无限) 到达不受影响 SP000362158 过时的 0000.00.0000 1 - - - -
BAR 88-02LRH E6433 Infineon Technologies BAR 88-02LRH E6433 -
RFQ
ECAD 3184 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 150°C(TJ) SOD-882 酒吧88 PG-TSLP-2-7 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 50,000 100 ma 250兆 0.4pf @ 1V,1MHz PIN-单 80V 600MOHM @ 10mA,100MHz
IDV05S60CXKSA1 Infineon Technologies IDV05S60CXKSA1 -
RFQ
ECAD 6510 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 管子 过时的 通过洞 TO-220-2完整包 IDV05S60 SIC (碳化硅) pg-to220-2完整包 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 500 没有恢复t> 500mA(IO) 600 v 1.7 V @ 5 A 0 ns 70 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 5a 240pf @ 1V,1MHz
D740N48TXPSA1 Infineon Technologies D740N48TXPSA1 464.7833
RFQ
ECAD 8055 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 底盘安装 DO-200AB,B-PUK D740N48 标准 - 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 4800 v 1.45 V @ 700 A 70 MA @ 4800 V -40°C〜160°C 750a -
BAS4006E6327HTSA1 Infineon Technologies BAS4006E6327HTSA1 0.4200
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAS4006 肖特基 PG-SOT23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对公共阳极 40 V 120mA(DC) 1 V @ 40 mA 100 ps 1 µA @ 30 V 150°C (最大)
BBY5303WE6327HTSA1 Infineon Technologies BBY5303WE6327HTSA1 0.4500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C(TJ) 表面安装 SC-76,SOD-323 BBY5303 pg-sod323-3d 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 3.1pf @ 3V,1MHz 单身的 6 V 2.6 C1/C3 -
IDP1301GXUMA1 Infineon Technologies IDP1301GXUMA1 -
RFQ
ECAD 7720 0.00000000 Infineon技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 IDP1301 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 SP000951208 Ear99 8541.10.0080 1,000
IDP18E120XKSA1 Infineon Technologies IDP18E120XKSA1 2.8300
RFQ
ECAD 435 0.00000000 Infineon技术 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 IDP18E120 标准 PG-TO220-2-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 2.15 V @ 18 A 195 ns 100 µA @ 1200 V -55°C〜150°C 31a -
IDP30E65D1XKSA1 Infineon Technologies IDP30E65D1XKSA1 2.7900
RFQ
ECAD 893 0.00000000 Infineon技术 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 IDP30E65 标准 pg-to220-2-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 650 v 1.7 V @ 30 A 64 ns 40 µA @ 650 V -40°C〜175°C 60a -
IRD3CH82DD6 Infineon Technologies IRD3CH82DD6 -
RFQ
ECAD 3199 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 IRD3CH82 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1
IDW40G65C5FKSA1 Infineon Technologies IDW40G65C5FKSA1 -
RFQ
ECAD 1368 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 大部分 在sic中停产 通过洞 TO-247-3 IDW40G65 SIC (碳化硅) PG-TO247-3-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 240 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 40 A 0 ns 1.4 ma @ 650 V -55°C 〜175°C 40a 1140pf @ 1V,1MHz
TZ800N18KS05HPSA1 Infineon Technologies TZ800N18KS05HPSA1 -
RFQ
ECAD 9055 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 底盘安装 模块 TZ800N - 不适用 到达不受影响 SP001692500 过时的 0000.00.0000 1
BAS 52-02V E6327 Infineon Technologies BAS 52-02V E6327 -
RFQ
ECAD 5560 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-79,SOD-523 BAS 52 肖特基 PG-SC79-2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 600 mv @ 200 ma 10 µA @ 45 V 150°C (最大) 750mA 10pf @ 10V,1MHz
GATELEADMPWHPK1258XXPSA1 Infineon Technologies gateleadmpwhpk1258xxpsa1 29.6100
RFQ
ECAD 6559 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 - - gateleadmpwhpk1258 - - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 0000.00.0000 1 - - - -
BA895H6327XTSA1 Infineon Technologies BA895H6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 5036 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) SC-80 BA895H6327 SCD-80 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 50 mA 0.6pf @ 10V,1MHz PIN-单 50V 7ohm @ 10mA,100MHz
BAS3020BH6327XTSA1 Infineon Technologies BAS3020BH6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 8275 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 BAS3020 肖特基 PG-SOT363-PO 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 600 mv @ 2 a 200 µA @ 30 V -55°C〜125°C 2a 70pf @ 1V,1MHz
BAS116E6327HTSA1 Infineon Technologies BAS116E6327HTSA1 0.4100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAS116 标准 PG-SOT23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 80 V 1.25 V @ 150 mA 1.5 µs 5 na @ 75 V 150°C (最大) 250mA 2pf @ 0v,1MHz
IDH09SG60CXKSA2 Infineon Technologies IDH09SG60CXKSA2 4.0156
RFQ
ECAD 8861 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 管子 上次购买 通过洞 TO-220-2 IDH09SG60 SIC (碳化硅) pg-to220-2-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 500 没有恢复t> 500mA(IO) 600 v 2.1 V @ 9 A 0 ns 80 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 9a 280pf @ 1V,1MHz
D770N16TXPSA1 Infineon Technologies D770N16TXPSA1 -
RFQ
ECAD 8580 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 夹紧 DO-200AA,A-PUK D770N 标准 - 下载 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1600 v 1.08 V @ 400 A 30 ma @ 1600 V -40°C〜180°C 770a -
D2601N85TXPSA1 Infineon Technologies D2601N85TXPSA1 2.0000
RFQ
ECAD 9317 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 底盘安装 do-200ae D2601N85 标准 - 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 8500 v 100 ma @ 8500 V -40°C〜160°C 3040a -
IDH04SG60CXKSA2 Infineon Technologies IDH04SG60CXKSA2 2.9100
RFQ
ECAD 486 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 IDH04SG60 SIC (碳化硅) pg-to220-2-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 500 没有恢复t> 500mA(IO) 600 v 2.3 V @ 4 A 0 ns 25 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 4a 80pf @ 1V,1MHz
BAV99UE6359HTMA1 Infineon Technologies BAV99UE6359HTMA1 -
RFQ
ECAD 5639 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 上次购买 表面安装 SC-74,SOT-457 BAV99 标准 PG-SC74-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 SP000012614 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 2对系列连接 80 V 100mA(dc) 1.2 V @ 100 ma 4 ns 150 na @ 70 V 150°C (最大)
DD230S20KHPSA1 Infineon Technologies DD230S20KHPSA1 -
RFQ
ECAD 3090 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 底盘安装 模块 标准 模块 下载 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 2000 v 261a 1.74 V @ 800 A 160 ma @ 2000 V 150°C
IDD09SG60CXTMA2 Infineon Technologies IDD09SG60CXTMA2 3.8742
RFQ
ECAD 9340 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 胶带和卷轴((tr) 上次购买 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IDD09SG60 SIC (碳化硅) pg-to252-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 没有恢复t> 500mA(IO) 600 v 2.1 V @ 9 A 0 ns 80 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 9a 280pf @ 1V,1MHz
IDW40E65D2FKSA1 Infineon Technologies IDW40E65D2FKSA1 3.2100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon技术 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 IDW40E65 标准 PG-TO247-3-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 650 v 2.3 V @ 40 A 75 ns 40 µA @ 650 V -40°C〜175°C 80a -
BAV199E6433HTMA1 Infineon Technologies BAV199E6433HTMA1 0.4300
RFQ
ECAD 77 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAV199 标准 PG-SOT23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对系列连接 80 V 200ma(dc) 1.25 V @ 150 mA 1.5 µs 5 na @ 75 V 150°C (最大)
IRD3CH16DD6 Infineon Technologies IRD3CH16DD6 -
RFQ
ECAD 6632 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 IRD3CH16 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1
BAV 199 B6327 Infineon Technologies BAV 199 B6327 -
RFQ
ECAD 6048 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAV 199 标准 PG-SOT23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 30,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对系列连接 80 V 200mA 1.25 V @ 150 mA 1.5 µs 5 na @ 75 V 150°C (最大)
D1381S45TXPSA1 Infineon Technologies D1381S45TXPSA1 3.0000
RFQ
ECAD 7651 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 底盘安装 do-200AD D1381S45 标准 - 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 4500 v 2.6 V @ 2500 A 100 ma @ 4500 V -40°C〜140°C 1630a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库