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（1803）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
IDM10G120C5XTMA1	6.7900	RFQ	1	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IDM10G120	SIC （碳化硅）	pg-to252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	没有恢复t> 500mA（IO）		1200 v		1.8 V @ 10 A	0 ns	62 µA @ 12 V	-55°C〜150°C	38a	29pf @ 800V，1MHz
IDP2301XUMA1	-	RFQ	6514	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				IDP2301			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001368356	过时的		2,500
62-0253pbf	-	RFQ	4770	Infineon技术	-	大部分	过时的				62-02			下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001569294	Ear99	8541.10.0080	1
IDH20G120C5XKSA1	12.9500	RFQ	2	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	积极的		通过洞	TO-220-2	IDH20G120	SIC （碳化硅）	pg-to220-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	没有恢复t> 500mA（IO）		1200 v		1.8 V @ 20 A	0 ns	123 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	56a	1050pf @ 1V，1MHz
IDK05G65C5XTMA1	-	RFQ	5259	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IDK05G65	SIC （碳化硅）	pg-to263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	没有恢复t> 500mA（IO）		650 v		1.8 V @ 5 A	0 ns	830 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	5a	160pf @ 1V，1MHz
IDK06G65C5XTMA1	-	RFQ	5484	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IDK06G65	SIC （碳化硅）	pg-to263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000930848	Ear99	8541.10.0080	1,000	没有恢复t> 500mA（IO）		650 v		1.8 V @ 6 A	0 ns	1.1 ma @ 650 V	-55°C 〜175°C	6a	190pf @ 1V，1MHz
IDK08G65C 5XTMA1	-	RFQ	6574	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IDK08G65	SIC （碳化硅）	pg-to263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	没有恢复t> 500mA（IO）		650 v		1.8 V @ 8 A	0 ns	1.4 ma @ 650 V	-55°C 〜175°C	8a	250pf @ 1V，1MHz
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IDL10G65C5XUMA1	-	RFQ	8903	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	4-POWERTSFN	IDL10G65	SIC （碳化硅）	PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000941314	Ear99	8541.10.0080	3,000	没有恢复t> 500mA（IO）		650 v		1.7 V @ 10 A	0 ns	180 µA @ 650 V	-55°C〜150°C	10a	300pf @ 1V，1MHz
IDM02G120C5XTMA1	3.0900	RFQ	16	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IDM02G120	SIC （碳化硅）	pg-to252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	没有恢复t> 500mA（IO）		1200 v		1.65 V @ 2 A	0 ns	18 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	2a	182pf @ 1V，1MHz
IDP1301GXUMA1	-	RFQ	7720	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				IDP1301			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000951208	Ear99	8541.10.0080	1,000
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IDP30E65D2XKSA1	2.1100	RFQ	433	Infineon技术	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-2	IDP30E65	标准	pg-to220-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		650 v		2.2 V @ 30 A	42 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	60a	-
IDW20G65C5BXKSA1	-	RFQ	5554	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产		通过洞	TO-247-3		SIC （碳化硅）	pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001224934	Ear99	8541.10.0080	240	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	650 v	10A（DC）	1.7 V @ 10 A		180 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C
IDW24G65C5BXKSA1	-	RFQ	8859	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产		通过洞	TO-247-3		SIC （碳化硅）	pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001224944	Ear99	8541.10.0080	240	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	650 v	12A（DC）	1.7 V @ 12 A		190 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C
IDW40G120C5BFKSA1	24.3200	RFQ	863	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	IDW40G120	SIC （碳化硅）	pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	1200 v	55A（DC）	1.65 V @ 20 A		166 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C
IDW40G65C5BXKSA1	-	RFQ	4144	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产		通过洞	TO-247-3		SIC （碳化硅）	pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001224952	Ear99	8541.10.0080	240	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	650 v	20A（DC）	1.7 V @ 20 A		210 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C
IDW75D65D1XKSA1	4.3000	RFQ	773	Infineon技术	-	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	IDW75D65	标准	pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		650 v		1.7 V @ 75 A	108 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	150a	-
BAS7002VH6327XTSA1	0.4800	RFQ	70	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-79，SOD-523	BAS7002	肖特基	PG-SC79-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度		70 v		1 V @ 15 ma	100 ps	100 na @ 50 V	150°C （最大）	70mA	2pf @ 0v，1MHz
BAT6402VH6327XTSA1	0.4000	RFQ	2	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，BAT64	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-79，SOD-523	BAT6402	肖特基	PG-SC79-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		40 V		750 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 30 V	150°C （最大）	250mA	6pf @ 0v，1MHz
BB85702VH7902XTSA1	0.1221	RFQ	3205	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	BB85702		PG-SC79-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000										0.52pf @ 28V，1MHz	单身的	30 V	12.7	C1/C28	-
IDW10S120FKSA1	-	RFQ	8353	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	过时的		通过洞	TO-247-3	IDW10S120	SIC （碳化硅）	pg-to247-3-41	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	240	没有恢复t> 500mA（IO）		1200 v		1.8 V @ 10 A	0 ns	240 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	10a	580pf @ 1V，1MHz
IDW15S120FKSA1	-	RFQ	7722	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	过时的		通过洞	TO-247-3	IDW15S120	SIC （碳化硅）	pg-to247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	240	没有恢复t> 500mA（IO）		1200 v		1.8 V @ 15 A	0 ns	305 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	15a	870pf @ 1V，1MHz
IDW20S120FKSA1	-	RFQ	6442	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	过时的		通过洞	TO-247-3		SIC （碳化硅）	pg-to247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	240	没有恢复t> 500mA（IO）	1对普通阴极	1200 v	10A（DC）	1.8 V @ 10 A		240 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C
IDC51D120T6MX1SA3	-	RFQ	7807	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	死	IDC51D120	标准	锯箔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000375000	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1200 v		2.05 V @ 100 A		18 µA @ 1200 V	-40°C〜175°C	100a	-
IDC73D120T6MX1SA2	-	RFQ	8525	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产		表面安装	死	IDC73D120	标准	锯箔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000374980	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1200 v		2.05 V @ 150 A		26 µA @ 1200 V	-40°C〜175°C	150a	-
SIDC06D120H8X1SA2	-	RFQ	7658	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	死	SIDC06D120	标准	锯箔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000527596	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1200 v		1.97 V @ 7.5 A		27 µA @ 1200 V	-40°C〜175°C	7.5a	-
SIDC81D120H8X1SA3	-	RFQ	2633	Infineon技术	-	大部分	积极的				sidc81d	标准		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1200 v		2.15 V @ 150 A		27 µA @ 1200 V	-40°C〜175°C	150a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1803）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²