SIC
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（1803）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 电流 -最大 （（（） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 电阻 @ if，f
DD104N16KHPSA2 Infineon Technologies DD104N16KHPSA2 121.3300
RFQ
 ECAD 9269 0.00000000 Infineon技术 DD104N 托盘 积极的 底盘安装 模块 标准 模块 - rohs3符合条件 448-DD104N16KHPSA2 Ear99 8541.30.0080 15 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1600 v 104a 1.4 V @ 300 A 20 mA @ 1.6 kV 150°C
DD600N18KXPSA1 Infineon Technologies DD600N18KXPSA1 318.4400
RFQ
 ECAD 9312 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 底盘安装 模块 标准 BG-PB60E2A-1 下载 rohs3符合条件 448-DD600N18KXPSA1 Ear99 8541.30.0080 2 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1800 v 600a 1.32 V @ 1.8 ka 40 mA @ 1.8 kV 150°C
DD600N16KXPSA1 Infineon Technologies DD600N16KXPSA1 310.0250
RFQ
 ECAD 2478 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 底盘安装 模块 标准 BG-PB60E2A-1 下载 rohs3符合条件 448-DD600N16KXPSA1 Ear99 8541.30.0080 2 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1600 v 600a 1.32 V @ 1.8 ka 40 mA @ 1.6 kV 150°C
IDH09SG60CXKSA1 Infineon Technologies IDH09SG60CXKSA1 -
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 ECAD 9488 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-2 IDH09SG60 SIC （碳化硅） PG-TO220-2-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 500 没有恢复t> 500mA（IO） 600 v 2.1 V @ 9 A 0 ns 80 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 9a 280pf @ 1V，1MHz
BAT6307WE6327HTSA1 Infineon Technologies BAT6307WE6327HTSA1 -
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 ECAD 4958 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） SC-82A，SOT-343 BAT63 PG-SOT343-3D 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 100 ma 100兆 0.85pf @ 0.2V，1MHz Schottky -2独立 3V -
BA89502VH6327XTSA1 Infineon Technologies BA89502VH6327XTSA1 -
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 ECAD 8613 0.00000000 Infineon技术 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 BA89502VH 下载 （1 （无限） 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 3,000
IDV08E65D2XKSA1 Infineon Technologies IDV08E65D2XKSA1 1.2600
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 ECAD 1624年 0.00000000 Infineon技术 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 IDV08E65 标准 TO-220-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 650 v 2.3 V @ 8 A 40 ns 40 µA @ 650 V -40°C〜175°C 8a -
IDP08E65D1XKSA1 Infineon Technologies IDP08E65D1XKSA1 1.9500
RFQ
 ECAD 8213 0.00000000 Infineon技术 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 IDP08E65 标准 TO-220-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 650 v 1.7 V @ 8 A 80 ns 40 µA @ 650 V -40°C〜175°C 8a -
BAR6406WH6327XTSA1 Infineon Technologies BAR6406WH6327XTSA1 0.4300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） SC-70，SOT-323 BAR6406 PG-SOT323 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 100 ma 250兆 0.35pf @ 20V，1MHz 引脚-1对公共阳极 150V 1.35OHM @ 100mA，100MHz
D1481N68TXPSA1 Infineon Technologies D1481N68TXPSA1 -
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 ECAD 7464 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 夹紧 do-200 ac，k-puk D1481N68 标准 - 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 4 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 6800 v 1.8 V @ 2500 A 50 ma @ 6800 V -40°C〜160°C 2200a -
BAT6307WH6327XTSA1 Infineon Technologies BAT6307WH6327XTSA1 -
RFQ
 ECAD 9299 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） SC-82A，SOT-343 BAT63 PG-SOT343-3D 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 100 ma 100兆 0.85pf @ 0.2V，1MHz Schottky -2独立 3V -
GLHUELSE1627XPSA1 Infineon Technologies glhuelse1627xpsa1 2.1400
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 ECAD 9752 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 - - Glhuelse1627 - - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 0000.00.0000 1 - - - -
SIDC14D60C8X1SA1 Infineon Technologies SIDC14D60C8X1SA1 -
RFQ
 ECAD 8653 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 表面安装 死 SIDC14D60 标准 死 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.9 V @ 50 A 27 µA @ 600 V -40°C〜175°C 50a -
SIDC05D60C8X7SA2 Infineon Technologies SIDC05D60C8X7SA2 -
RFQ
 ECAD 5049 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 表面安装 死 SIDC05 标准 死 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.95 V @ 15 A 27 µA @ 600 V -40°C〜175°C 15a -
SIDC07D60F6X1SA3 Infineon Technologies SIDC07D60F6X1SA3 -
RFQ
 ECAD 4782 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 表面安装 死 SIDC07D60 标准 死 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.6 V @ 22.5 A 27 µA @ 600 V -40°C〜175°C 22.5a -
SIDC02D60C8X7SA2 Infineon Technologies SIDC02D60C8X7SA2 -
RFQ
 ECAD 7180 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 表面安装 死 SIDC02 标准 死 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.95 V @ 6 A 27 µA @ 600 V -40°C〜175°C 6a -
SIDC09D60F6X1SA5 Infineon Technologies SIDC09D60F6X1SA5 -
RFQ
 ECAD 1738年 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 表面安装 死 SIDC09D60 标准 死 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.6 V @ 30 A 27 µA @ 600 V -40°C〜175°C 30a -
SIDC07D60F6X1SA5 Infineon Technologies SIDC07D60F6X1SA5 -
RFQ
 ECAD 2821 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 表面安装 死 SIDC07D60 标准 死 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.6 V @ 22.5 A 27 µA @ 600 V -40°C〜175°C 22.5a -
SIDC07D60F6X7SA1 Infineon Technologies SIDC07D60F6X7SA1 -
RFQ
 ECAD 4786 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 表面安装 死 SIDC07D60 标准 死 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.6 V @ 22.5 A 27 µA @ 600 V -40°C〜175°C 22.5a -
SIDC14D60F6X1SA3 Infineon Technologies SIDC14D60F6X1SA3 -
RFQ
 ECAD 2963 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 表面安装 死 SIDC14D60 标准 死 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.6 V @ 45 A 27 µA @ 600 V -40°C〜175°C 45a -
SIDC14D60F6X1SA1 Infineon Technologies SIDC14D60F6X1SA1 -
RFQ
 ECAD 9251 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 表面安装 死 SIDC14D60 标准 死 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.6 V @ 45 A 27 µA @ 600 V -40°C〜175°C 45a -
SIDC03D60C8F1SA1 Infineon Technologies SIDC03D60C8F1SA1 -
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 ECAD 1159 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 表面安装 死 SIDC03 标准 死 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.95 V @ 10 A 27 µA @ 600 V -40°C〜175°C 10a -
SIDC14D60C8X1SA2 Infineon Technologies SIDC14D60C8X1SA2 -
RFQ
 ECAD 2402 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 表面安装 死 SIDC14D60 标准 死 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.9 V @ 50 A 27 µA @ 600 V -40°C〜175°C 50a -
SIDC14D60E6X7SA1 Infineon Technologies SIDC14D60E6X7SA1 -
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 ECAD 4551 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 表面安装 死 SIDC14D60 标准 死 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.25 V @ 30 A 27 µA @ 600 V -55°C〜150°C 30a -
SIDC14D60F6X7SA1 Infineon Technologies SIDC14D60F6X7SA1 -
RFQ
 ECAD 2055 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 表面安装 死 SIDC14D60 标准 死 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.6 V @ 45 A 27 µA @ 600 V -40°C〜175°C 45a -
SIDC09D60F6X1SA4 Infineon Technologies SIDC09D60F6X1SA4 -
RFQ
 ECAD 4272 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 表面安装 死 SIDC09D60 标准 死 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.6 V @ 30 A 27 µA @ 600 V -40°C〜175°C 30a -
SIDC06D60F6X1SA4 Infineon Technologies SIDC06D60F6X1SA4 -
RFQ
 ECAD 6326 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 表面安装 死 SIDC06D60 标准 死 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.6 V @ 15 A 27 µA @ 600 V -40°C〜175°C 15a -
D3501N42TXPSA1 Infineon Technologies D3501N42TXPSA1 -
RFQ
 ECAD 7455 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 底盘安装 do-200ae D3501N42 标准 - 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 4200 v 1.27 V @ 4000 A 100 ma @ 4200 V -40°C〜160°C 4870a -
BAS28 Infineon Technologies BAS28 0.0300
RFQ
 ECAD 7642 0.00000000 Infineon技术 * 大部分 积极的 BAS28 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 2156-BAS28 Ear99 8541.10.0070 3,000
BAS40-04B5003 Infineon Technologies BAS40-04B5003 -
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 ECAD 4134 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101 大部分 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BAS40 肖特基 PG-SOT23-3-3 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 1对系列连接 40 V 120mA（DC） 1 V @ 40 mA 1 µA @ 30 V 150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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