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（1803）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	速度	电流 -最大	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电阻 @ if，f	电容比	电容比条件	q @ vr，f
BAS40-07E6327	0.1100	RFQ	760	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BAS40	肖特基	SOT143（SC-61）	下载				Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度			2独立	40 V	120mA（DC）	1 V @ 40 mA		1 µA @ 30 V	150°C
BAR64-03W	-	RFQ	2905	Infineon技术	-	大部分	积极的							下载				Ear99	8541.10.0070	1
BB914	0.1100	RFQ	62	Infineon技术	*	大部分	积极的							下载				Ear99	8541.10.0070	1
IDW50E60	-	RFQ	6673	Infineon技术	-	大部分	积极的		通过洞	TO-247-3		标准	pg-to247-3	下载				Ear99	8542.39.0001	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）				600 v		2 V @ 50 A	115 ns	40 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	80a	-
BAS40E6433	0.0700	RFQ	10	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS40	肖特基	SOT-23-3	下载				Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度				40 V		1 V @ 40 mA	100 ps	1 µA @ 30 V	-55°C〜150°C	120mA	5pf @ 0v，1MHz
DD750S65K3NOSA2	-	RFQ	2350	Infineon技术	*	大部分	积极的							-				Ear99	8541.10.0080	1
BAS70-05E6433	0.0800	RFQ	210	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS70	肖特基	PG-SOT23	下载				Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度			1对普通阴极	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 mA	100 ps	100 na @ 50 V	150°C
BAR64-03WE6327	1.0000	RFQ	4531	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-76，SOD-323			PG-SOD323-2-1	下载				Ear99	8541.10.0070	1		100 ma	250兆									0.35pf @ 20V，1MHz	PIN-单	150V	1.35OHM @ 100mA，100MHz
BAR63-05E6327	-	RFQ	1808年	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			PG-SOT23	下载				Ear99	8541.10.0070	1		100 ma	250兆									0.3pf @ 5V，1MHz	引脚-1对普通阴极	50V	-
BBY57-02V	-	RFQ	2696	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	-55°C〜125°C	表面安装	SC-79，SOD-523			PG-SC79-2	下载				Ear99	8541.10.0070	1												5.5pf @ 4V，1MHz	单身的	10 v		4.5	C1/C4	-
IDW15E65D2	1.2000	RFQ	19	Infineon技术	COOLSIC™+	大部分	积极的		通过洞	TO-247-3		标准	PG-TO247-3-1	下载				Ear99	8542.39.0001	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）				650 v		2.3 V @ 15 A	47 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	30a	-
BAT165	-	RFQ	1062	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SC-76，SOD-323		肖特基	PG-SOD323-2	-					0000.00.0000	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）				40 V		740 mv @ 750 mA			150°C （最大）	750mA	12pf @ 10V，1MHz
BB837E6327	0.1200	RFQ	59	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323			PG-SOD323-2	下载				Ear99	8541.10.0070	1												0.52pf @ 28V，1MHz	单身的	30 V		12.7	C1/C28	-
BAS70-05E6327	-	RFQ	9524	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS70	肖特基	PG-SOT23-3-11	下载				Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度			1对普通阴极	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 mA	100 ps	100 na @ 50 V	150°C
BAS70-07W	-	RFQ	6188	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SC-82A，SOT-343	BAS70	肖特基	PG-SOT343-4-1	下载				Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度			2独立	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 mA	100 ps	100 na @ 50 V	150°C
BBY51-03W	1.0000	RFQ	4860	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C	表面安装	SC-76，SOD-323			PG-SOD323-2	下载				Ear99	8541.10.0070	1												3.7pf @ 4V，1MHz	单身的	7 V		2.2	C1/C4	-
BAR63-03WE6327	0.0500	RFQ	3192	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-76，SOD-323			PG-SOD323-2	下载				Ear99	8541.10.0070	5,176		100 ma	250兆									0.3pf @ 5V，1MHz	PIN-单	50V	-
BAS40-02LE6327	-	RFQ	8926	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SOD-882	BAS40	肖特基	PG-TSLP-2-1	下载				Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度				40 V		1 V @ 40 mA		1 µA @ 30 V	150°C	120mA	3pf @ 0v，1MHz
BAS70-07E6327	-	RFQ	1363	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BAS70	肖特基	PG-SOT143-4	下载				Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度			2独立	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 mA	100 ps	100 na @ 50 V	150°C
CWM60FN	1.0000	RFQ	8163	Infineon技术	*	大部分	积极的							-					0000.00.0000	1
IDW40G65C5B	-	RFQ	1531年	Infineon技术	-	大部分	积极的		通过洞	TO-247-3		SIC （碳化硅）	pg-to247-3-41	下载				Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）			1对普通阴极	650 v	20A（DC）	1.7 V @ 20 A	0 ns	210 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C
IDW40E65D1	1.0000	RFQ	2240	Infineon技术	-	大部分	积极的		通过洞	TO-247-3		标准	PG-TO247-3-1	下载					0000.00.0000	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）				650 v		1.7 V @ 40 A	129 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	80a	-
IDW12G65C5	-	RFQ	4756	Infineon技术	COOLSIC™+	大部分	积极的		通过洞	TO-247-3		SIC （碳化硅）	pg-to247-3-41	下载				Ear99	8542.39.0001	1	没有恢复t> 500mA（IO）				650 v		1.7 V @ 12 A	0 ns	500 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	12a	360pf @ 1V，1MHz
BAW101E6433	0.1100	RFQ	20	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BAW101	标准	SOT143（SC-61）	下载				Ear99	8541.10.0070	2,623	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）			2独立	300 v	250ma（dc）	1.3 V @ 100 mA	1 µs	150 NA @ 250 V	150°C
BAT15-099R	1.0000	RFQ	9866	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		TO-253-4，TO-253AA			PG-SOT143	下载				Ear99	8541.10.0070	1		110 MA	100兆									0.5pf @ 0v，1MHz	Schottky -2对普通阴极	4V	-
BAS16B5003	0.0200	RFQ	1	Infineon技术	BAS16	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS16	标准	PG-SOT23-3-11	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）				80 V		1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µA @ 75 V	150°C	250mA	2pf @ 0v，1MHz
BB640	1.0000	RFQ	8265	Infineon技术	-	大部分	积极的							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	3,000
BA892E6770	0.0400	RFQ	5195	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-80			PG-SCD80-2	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	6,000		100 ma										1.1pf @ 3V，1MHz	标准 -单个	35V	500MOHM @ 10mA，100MHz
DDB2U60N12W1RFB11BPSA1	132.7200	RFQ	2	Infineon技术	COOLSIC™	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		标准	Ag-Easy1b-1	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	24							1.85 V @ 60 A		174 µA @ 1200 V		60 a		单相	1.2 kV
38DN06B02ELEMXPSA1	232.6400	RFQ	19	Infineon技术	-	托盘	积极的		底盘安装	do-200 ac，k-puk	38DN06	标准	BG-D-Elem-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	20	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）				600 v		960 MV @ 4500 A		50 ma @ 600 V	180°C （最大）	5140a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1803）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²