电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SIDC05D60C8X7SA2 | - | ![]() | 5049 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 死 | SIDC05 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.95 V @ 15 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 15a | - | |||||
![]() | SIDC07D60F6X1SA3 | - | ![]() | 4782 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 死 | SIDC07D60 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.6 V @ 22.5 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 22.5a | - | |||||
![]() | DD1000S33HE3BOSA1 | - | ![]() | 8851 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DD1000 | 标准 | AG-IHVB130-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2独立 | 3300 v | 1000a(DC) | 3.85 V @ 1000 A | 1000 A @ 1800 V | -40°C〜150°C | ||||||
![]() | DD200S33K2CC1NOSA1 | - | ![]() | 8701 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | A-IHV73-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 4 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 3300 v | 200a(DC) | 3.5 V @ 200 A | 275 A @ 1800 V | -40°C〜125°C | |||||||
![]() | AIDW10S65C5XKSA1 | 3.0995 | ![]() | 7332 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100/101,Coolsic™ | 管子 | 上次购买 | 通过洞 | TO-247-3 | AIDW10 | SIC (碳化硅) | pg-to247-3-41 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 240 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 60 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | 10a | 303pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | AIDW12S65C5XKSA1 | 3.1292 | ![]() | 8315 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100/101,Coolsic™ | 管子 | 上次购买 | 通过洞 | TO-247-3 | AIDW12 | SIC (碳化硅) | pg-to247-3-41 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 12 A | 0 ns | 70 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | 12a | 363pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | AIDW16S65C5XKSA1 | 4.5924 | ![]() | 9632 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100/101,Coolsic™ | 管子 | 上次购买 | 通过洞 | TO-247-3 | AIDW16 | SIC (碳化硅) | pg-to247-3-41 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 240 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 16 A | 0 ns | 90 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | 16a | 471pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | AIDW20S65C5XKSA1 | 5.5332 | ![]() | 6411 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100/101,Coolsic™ | 管子 | 上次购买 | 通过洞 | TO-247-3 | AIDW20 | SIC (碳化硅) | pg-to247-3-41 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 20 A | 0 ns | 120 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | 20a | 584pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | D841S45TS01XDLA1 | - | ![]() | 2244 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | do-200 ac,k-puk | D841S45 | 标准 | BG-D7514-1 | - | 到达不受影响 | SP000091296 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 4500 v | 3.5 V @ 2500 A | 140 ma @ 4500 V | 125°c (最大) | 1080a | - | ||||||
![]() | DZ1100N22KTIMHPSA1 | 673.1900 | ![]() | 8430 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DZ1100 | 标准 | BG-PB70AT-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2200 v | 1.11 V @ 3000 A | 80 ma @ 2200 V | 150°C (最大) | 1100a | - | |||||
![]() | IDC50S120C5X7SA1 | 55.0800 | ![]() | 1333 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | - | - | IDC50S120 | - | - | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||
![]() | IDFW60C65D1XKSA1 | 5.1120 | ![]() | 9423 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | IDFW60 | 标准 | pg-to247-3-ai | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 240 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 650 v | 56A(DC) | 1.75 V @ 30 A | 112 ns | 40 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | ||||
![]() | DD220N16SHPSA1 | 54.5900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DD220N16 | 标准 | BG-PB34SB-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1600 v | 273a | 1.39 V @ 500 A | 1 ma @ 1600 V | 150°C (最大) | |||||
![]() | IDD15E60BUMA1 | - | ![]() | 6467 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | IDD15E60 | 标准 | pg-to252-3 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000065684 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2 V @ 15 A | 87 ns | 50 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 29.2a | |||||
![]() | BAS16 | 0.0400 | ![]() | 550 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS16 | 标准 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 85 v | 1.25 V @ 150 mA | 6 ns | 1 µA @ 75 V | -55°C〜150°C | 200mA | 2pf @ 0v,1MHz | ||||||
![]() | BAV70 | 0.0300 | ![]() | 125 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAV70 | 标准 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 70 v | 200mA | 1.25 V @ 150 mA | 6 ns | 5 µA @ 70 V | 150°C (最大) | ||||||
![]() | MMBD914LT1 | 1.0000 | ![]() | 4045 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 标准 | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 100 v | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 200mA | 4pf @ 0v,1MHz | ||||||||
![]() | IDK02G120C5XTMA1 | 3.7900 | ![]() | 8160 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IDK02G120 | SIC (碳化硅) | pg-to263-2-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-IDK02G120C5XTMA1-448 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.65 V @ 2 A | 18 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 11.8a | 182pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | BAT6402WH6327XTSA1 | - | ![]() | 6186 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101,BAT64 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-80 | BAT64 | 肖特基 | SCD-80 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 750 mv @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 30 V | 150°C (最大) | 120mA | 6pf @ 1V,1MHz | |||||
![]() | IDB18E120ATMA1 | - | ![]() | 7113 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IDB18 | 标准 | pg-to263-3-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1200 v | 2.15 V @ 18 A | 195 ns | 100 µA @ 1200 V | -55°C〜150°C | 31a | - | ||||
![]() | IDB30E120ATMA1 | 2.4300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IDB30E120 | 标准 | pg-to263-3-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1200 v | 2.15 V @ 30 A | 243 ns | 100 µA @ 1200 V | -55°C〜150°C | 50a | - | ||||
![]() | IDD03E60BUMA1 | - | ![]() | 1689年 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | IDD03E60 | 标准 | pg-to252-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2 V @ 3 A | 62 ns | 50 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 7.3a | - | |||||
![]() | IDP04E120 | - | ![]() | 7974 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | IDP04 | 标准 | PG-TO220-2-2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1200 v | 2.15 V @ 4 A | 115 ns | 100 µA @ 1200 V | -55°C〜150°C | 11.2a | - | |||||
![]() | IDP12E120XKSA1 | 2.4400 | ![]() | 193 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | IDP12E220 | 标准 | PG-TO220-2-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1200 v | 2.15 V @ 12 A | 150 ns | 100 µA @ 1200 V | -55°C〜150°C | 28a | - | ||||
![]() | IDP15E60XKSA1 | 1.2031 | ![]() | 7436 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 上次购买 | 通过洞 | TO-220-2 | IDP15 | 标准 | PG-TO220-2-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2 V @ 15 A | 87 ns | 50 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 29.2a | - | ||||
![]() | IDP18E120XKSA1 | 2.8300 | ![]() | 435 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | IDP18E120 | 标准 | PG-TO220-2-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1200 v | 2.15 V @ 18 A | 195 ns | 100 µA @ 1200 V | -55°C〜150°C | 31a | - | ||||
![]() | IDP23E60 | - | ![]() | 9456 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | IDP23E | 标准 | PG-TO220-2-2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2 V @ 23 A | 120 ns | 50 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 41a | - | |||||
![]() | IDP30E60XKSA1 | 1.2518 | ![]() | 3281 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 上次购买 | 通过洞 | TO-220-2 | IDP30 | 标准 | PG-TO220-2-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2 V @ 30 A | 126 ns | 50 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 52.3a | - | ||||
![]() | IDP45E60XKSA1 | 1.5687 | ![]() | 1720年 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 上次购买 | 通过洞 | TO-220-2 | IPD45 | 标准 | PG-TO220-2-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2 V @ 45 A | 140 ns | 50 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 71a | - | ||||
![]() | IDV04S60CXKSA1 | - | ![]() | 6861 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | IDV04S60 | SIC (碳化硅) | pg-to220-2完整包 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 600 v | 1.9 V @ 4 A | 0 ns | 50 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 4a | 130pf @ 1V,1MHz |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库