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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PX8746JDNG029XTMA1 | - | ![]() | 8384 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | PX8746JD | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | BAT1704E6583HTSA1 | 0.0600 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-BAT1704E6583HTSA1-448 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | DD1000S33HE3B60BOSA1 | 1.0000 | ![]() | 1600 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | AG-IHVB130-3 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2独立 | 3300 v | 1000a(DC) | 3.85 V @ 1000 A | 1000 A @ 1800 V | -40°C〜150°C | ||||||
![]() | ND171N16KHPSA2 | 172.6725 | ![]() | 4538 | 0.00000000 | Infineon技术 | ND171N | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | ND171N16 | 标准 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1600 v | 1.26 V @ 500 A | 20 ma @ 1600 V | 150°C | 171a | - | |||||
![]() | SIDC81D120F6YX1SA1 | - | ![]() | 9843 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | sidc81d | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | SIGC121T120R2CSYX1SA1 | - | ![]() | 1659年 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | SIGC121T120 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | SIGC156T120R2CSYX1SA1 | - | ![]() | 6642 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | SIGC156T | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | SIDC56D120F6YX1SA1 | - | ![]() | 8578 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | SIDC56D | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | IDC51D120T6HX7SA1 | - | ![]() | 9812 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | IDC51D120 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | DD171N12KAHPSA2 | 191.5900 | ![]() | 2078 | 0.00000000 | Infineon技术 | DD171N | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DD171N12 | 标准 | - | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1200 v | 171a | 1.26 V @ 500 A | 20 ma @ 1200 V | 150°C | |||||
![]() | D950N22TB01XPSA1 | - | ![]() | 6062 | 0.00000000 | Infineon技术 | D950N | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | DO-200AA,APUK | 标准 | - | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2200 v | 1.12 V @ 650 A | 40 mA @ 2200 V | 180°C | 1024a | - | |||||||
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![]() | BAT165E6874HTMA1 | 0.5400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 肖特基 | PG-SOD323-2 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 740 mv @ 750 mA | 50 µA @ 40 V | 150°C | 750mA | 8.4pf @ 10V,1MHz | |||||
![]() | BAT60BE6359HTMA1 | 0.1325 | ![]() | 3517 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 肖特基 | PG-SOD323-2 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 10 v | 600 mV @ 1 A | 25 µA @ 8 V | 150°C | 3a | 25pf @ 5V,1MHz | |||||
![]() | DD171N16KKHPSA1 | 160.0375 | ![]() | 6321 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | DD171N16 | - | rohs3符合条件 | 8 | |||||||||||||||||||
![]() | DD104N16KHPSA2 | 121.3300 | ![]() | 9269 | 0.00000000 | Infineon技术 | DD104N | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | 模块 | - | rohs3符合条件 | 448-DD104N16KHPSA2 | Ear99 | 8541.30.0080 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1600 v | 104a | 1.4 V @ 300 A | 20 mA @ 1.6 kV | 150°C | ||||||
![]() | DD600N18KXPSA1 | 318.4400 | ![]() | 9312 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | BG-PB60E2A-1 | 下载 | rohs3符合条件 | 448-DD600N18KXPSA1 | Ear99 | 8541.30.0080 | 2 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1800 v | 600a | 1.32 V @ 1.8 ka | 40 mA @ 1.8 kV | 150°C | ||||||
![]() | DD600N16KXPSA1 | 310.0250 | ![]() | 2478 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | BG-PB60E2A-1 | 下载 | rohs3符合条件 | 448-DD600N16KXPSA1 | Ear99 | 8541.30.0080 | 2 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1600 v | 600a | 1.32 V @ 1.8 ka | 40 mA @ 1.6 kV | 150°C | ||||||
![]() | DD175N34KXPSA1 | 223.6333 | ![]() | 3345 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 托盘 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 448-DD175N34KXPSA1 | 3 | |||||||||||||||||
![]() | SIDC02D60C8X7SA2 | - | ![]() | 7180 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 死 | SIDC02 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.95 V @ 6 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 6a | - | ||||
![]() | SIDC09D60F6X1SA5 | - | ![]() | 1738年 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 死 | SIDC09D60 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.6 V @ 30 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 30a | - | ||||
![]() | SIDC07D60F6X1SA5 | - | ![]() | 2821 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 死 | SIDC07D60 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.6 V @ 22.5 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 22.5a | - | ||||
![]() | SIDC07D60F6X7SA1 | - | ![]() | 4786 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 死 | SIDC07D60 | 标准 | 死 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.6 V @ 22.5 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 22.5a | - | ||||
![]() | SIDC14D60F6X1SA3 | - | ![]() | 2963 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 死 | SIDC14D60 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.6 V @ 45 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 45a | - | ||||
![]() | SIDC14D60F6X1SA1 | - | ![]() | 9251 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 死 | SIDC14D60 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.6 V @ 45 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 45a | - | ||||
![]() | SIDC03D60C8F1SA1 | - | ![]() | 1159 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 死 | SIDC03 | 标准 | 死 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.95 V @ 10 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 10a | - | ||||
![]() | SIDC14D60C8X1SA2 | - | ![]() | 2402 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 死 | SIDC14D60 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.9 V @ 50 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 50a | - | ||||
![]() | SIDC14D60E6X7SA1 | - | ![]() | 4551 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 死 | SIDC14D60 | 标准 | 死 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.25 V @ 30 A | 27 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 30a | - | ||||
![]() | SIDC14D60F6X7SA1 | - | ![]() | 2055 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 死 | SIDC14D60 | 标准 | 死 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.6 V @ 45 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 45a | - | ||||
![]() | SIDC09D60F6X1SA4 | - | ![]() | 4272 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 死 | SIDC09D60 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.6 V @ 30 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 30a | - |
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