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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 电流 -最大 | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电阻 @ if,f | 电容比 | 电容比条件 | q @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | D56U45CXPSA1 | - | ![]() | 5794 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 螺柱坐骑 | - | D56U45C | 标准 | BG-DSW272-1 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | SP000097382 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 4500 v | 4.5 V @ 320 A | 3.3 µs | 5 ma @ 4500 V | 125°c (最大) | 102a | - | |||||||||||||
![]() | IDH20G120C5XKSA1 | 12.9500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | IDH20G120 | SIC (碳化硅) | pg-to220-2-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.8 V @ 20 A | 0 ns | 123 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 56a | 1050pf @ 1V,1MHz | |||||||||||||
![]() | BAS4006E6433HTMA1 | 0.4200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS4006 | 肖特基 | PG-SOT23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 40 V | 120mA(DC) | 1 V @ 40 mA | 100 ps | 1 µA @ 30 V | 150°C (最大) | |||||||||||||
![]() | 46DN06B02ELEMPRXPSA1 | 287.0875 | ![]() | 2442 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 夹紧 | DO-200AA,A-PUK | 46DN06 | 标准 | BG-D-Elem-1 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 980 MV @ 6000 A | 40 ma @ 600 V | 180°C (最大) | 7740a | - | |||||||||||||||
![]() | ND104N16KHPSA1 | - | ![]() | 4405 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | ND104N16 | 标准 | BG-PB20-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1600 v | 20 ma @ 1600 V | -40°C〜135°C | 104a | - | |||||||||||||||
![]() | DD241S14KHPSA1 | - | ![]() | 6248 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | 模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1400 v | 240a | 1.55 V @ 800 A | 200 ma @ 1400 V | -40°C〜150°C | ||||||||||||||||
![]() | IDC05S60CEX1SA1 | - | ![]() | 8571 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 死 | IDC05S60 | SIC (碳化硅) | 死 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000599924 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 600 v | 1.7 V @ 5 A | 0 ns | 70 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 5a | 240pf @ 1V,1MHz | |||||||||||||
![]() | DZ1100N22KTIMHPSA1 | 673.1900 | ![]() | 8430 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DZ1100 | 标准 | BG-PB70AT-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2200 v | 1.11 V @ 3000 A | 80 ma @ 2200 V | 150°C (最大) | 1100a | - | ||||||||||||||
![]() | gateleadwhrd762xpsa1 | 29.6100 | ![]() | 6916 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | - | - | Gateleadwhrd762 | - | - | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||
![]() | DD89N12KAHPSA1 | - | ![]() | 8254 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | POW-R-Blok™模块 | 标准 | POW-R-Blok™模块 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1200 v | 89a | 1.5 V @ 300 A | 20 ma @ 1200 V | 150°C | ||||||||||||||||
![]() | D1251S45TXPSA1 | 2.0000 | ![]() | 8488 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | do-200 ac,k-puk | D1251S45 | 标准 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 4500 v | 2.5 V @ 2500 A | 80 ma @ 4500 V | -40°C〜140°C | 1530a | - | ||||||||||||||
![]() | IDP40E65D2XKSA1 | 2.5600 | ![]() | 298 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | IDP40E65 | 标准 | TO-220-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 650 v | 2.3 V @ 40 A | 75 ns | 40 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | 40a | - | |||||||||||||
![]() | BAT165E6874HTMA1 | 0.5400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 肖特基 | PG-SOD323-2 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 740 mv @ 750 mA | 50 µA @ 40 V | 150°C | 750mA | 8.4pf @ 10V,1MHz | |||||||||||||||
![]() | DZ540N20KHPSA1 | - | ![]() | 6480 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | DZ540N20 | 标准 | 模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2000 v | 1.64 V @ 2200 A | 40 mA @ 2000 V | -40°C〜150°C | 732a | - | |||||||||||||||
![]() | DD180N20SHPSA1 | - | ![]() | 2167 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | BG-PB34SB-1 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 2000 v | 226a | 1 mA @ 2000 V | -40°C〜135°C | ||||||||||||||||
![]() | IDC51D120T6HX7SA1 | - | ![]() | 9812 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | IDC51D120 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDH03SG60CXKSA1 | - | ![]() | 9127 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-2 | IDH03SG60 | SIC (碳化硅) | PG-TO220-2-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 600 v | 2.3 V @ 3 A | 0 ns | 15 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 3a | 60pf @ 1V,1MHz | |||||||||||||
![]() | BAR8802LRHE6327XTSA1 | - | ![]() | 5130 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | SOD-882 | BAR88 | PG-TSLP-2-7 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 100 ma | 250兆 | 0.4pf @ 1V,1MHz | PIN-单 | 80V | 600MOHM @ 10mA,100MHz | |||||||||||||||||
![]() | glhuelse1627xpsa1 | 2.1400 | ![]() | 9752 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | - | - | Glhuelse1627 | - | - | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||
![]() | IDW40E65D1FKSA1 | 3.1200 | ![]() | 190 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | IDW40E65 | 标准 | PG-TO247-3-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 650 v | 1.7 V @ 40 A | 129 ns | 40 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | 80a | - | |||||||||||||
![]() | IRD3CH101DF6 | - | ![]() | 7203 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | IRD3CH101 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001539704 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IDC73D120T6MX1SA2 | - | ![]() | 8525 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | 表面安装 | 死 | IDC73D120 | 标准 | 锯箔 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000374980 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1200 v | 2.05 V @ 150 A | 26 µA @ 1200 V | -40°C〜175°C | 150a | - | |||||||||||||
![]() | IRD3CH24DF6 | - | ![]() | 7436 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | IRD3CH24 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001548456 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS70E6327HTSA1 | 0.5400 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS70 | 肖特基 | PG-SOT23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 70 v | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 na @ 50 V | -55°C〜125°C | 70mA | 2pf @ 0v,1MHz | |||||||||||||
![]() | IDP2301XUMA1 | - | ![]() | 6514 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | IDP2301 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001368356 | 过时的 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | D471N85TXPSA1 | - | ![]() | 8864 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | DO-200AB,B-PUK | D471N85 | 标准 | - | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 8500 v | 3.2 V @ 1200 A | 50 ma @ 8500 V | -40°C〜160°C | 760a | - | |||||||||||||||
![]() | IRD3CH11DD6 | - | ![]() | 9465 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | IRD3CH11 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BB659CH7903XTMA1 | - | ![]() | 1024 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-80 | BB659 | SCD-80 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 2.75pf @ 28V,1MHz | 单身的 | 30 V | 15.3 | C1/C28 | - | ||||||||||||||||
![]() | IDP08E65D1XKSA1 | 1.9500 | ![]() | 8213 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | IDP08E65 | 标准 | TO-220-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 650 v | 1.7 V @ 8 A | 80 ns | 40 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | 8a | - | |||||||||||||
![]() | BAS 3005A-02V E6327 | - | ![]() | 1120 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | BAS 3005 | 肖特基 | PG-SC79-2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 500 mv @ 500 mA | 300 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 500mA | 15pf @ 5V,1MHz |
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