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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 电流 -最大 | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电阻 @ if,f | 电容比 | 电容比条件 | q @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAR64-03W | - | ![]() | 2905 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT165 | - | ![]() | 1062 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 肖特基 | PG-SOD323-2 | - | 0000.00.0000 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 740 mv @ 750 mA | 150°C (最大) | 750mA | 12pf @ 10V,1MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | BB914 | 0.1100 | ![]() | 62 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDW50E60 | - | ![]() | 6673 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | 标准 | pg-to247-3 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2 V @ 50 A | 115 ns | 40 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 80a | - | |||||||||||||||||
![]() | BAS70-05E6327 | - | ![]() | 9524 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS70 | 肖特基 | PG-SOT23-3-11 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 70 v | 70mA(dc) | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150°C | ||||||||||||||||
![]() | BAS70-07W | - | ![]() | 6188 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SC-82A,SOT-343 | BAS70 | 肖特基 | PG-SOT343-4-1 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 2独立 | 70 v | 70mA(dc) | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150°C | ||||||||||||||||
![]() | BAT15-099R | 1.0000 | ![]() | 9866 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | TO-253-4,TO-253AA | PG-SOT143 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 110 MA | 100兆 | 0.5pf @ 0v,1MHz | Schottky -2对普通阴极 | 4V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | IDW12G65C5 | - | ![]() | 4756 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | pg-to247-3-41 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 12 A | 0 ns | 500 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 12a | 360pf @ 1V,1MHz | |||||||||||||||||
![]() | BAW101E6433 | 0.1100 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-253-4,TO-253AA | BAW101 | 标准 | SOT143(SC-61) | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 2,623 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2独立 | 300 v | 250ma(dc) | 1.3 V @ 100 mA | 1 µs | 150 NA @ 250 V | 150°C | ||||||||||||||||
![]() | DD750S65K3NOSA2 | - | ![]() | 2350 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS70-05E6433 | 0.0800 | ![]() | 210 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS70 | 肖特基 | PG-SOT23 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 70 v | 70mA(dc) | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150°C | ||||||||||||||||
![]() | BAR63-05E6327 | - | ![]() | 1808年 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | PG-SOT23 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 ma | 250兆 | 0.3pf @ 5V,1MHz | 引脚-1对普通阴极 | 50V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | BBY57-02V | - | ![]() | 2696 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | PG-SC79-2 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 5.5pf @ 4V,1MHz | 单身的 | 10 v | 4.5 | C1/C4 | - | |||||||||||||||||||
![]() | BAR64-03WE6327 | 1.0000 | ![]() | 4531 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | SC-76,SOD-323 | PG-SOD323-2-1 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100 ma | 250兆 | 0.35pf @ 20V,1MHz | PIN-单 | 150V | 1.35OHM @ 100mA,100MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | IDFW80C65D1XKSA1 | 7.3700 | ![]() | 74 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100/101,Coolsic™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | IDFW80 | 标准 | pg-to247-3-ai | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 650 v | 1.7 V @ 40 A | 73 ns | 40 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | 74a | - | |||||||||||||
![]() | CWM60FN | 1.0000 | ![]() | 8163 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS70-06E6327 | - | ![]() | 8731 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS70 | 肖特基 | PG-SOT23 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 70 v | 70mA(dc) | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150°C | ||||||||||||||||
![]() | DDB2U60N12W1RFB11BPSA1 | 132.7200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 标准 | Ag-Easy1b-1 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 1.85 V @ 60 A | 174 µA @ 1200 V | 60 a | 单相 | 1.2 kV | ||||||||||||||||
![]() | 38DN06B02ELEMXPSA1 | 232.6400 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | do-200 ac,k-puk | 38DN06 | 标准 | BG-D-Elem-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 960 MV @ 4500 A | 50 ma @ 600 V | 180°C (最大) | 5140a | - | ||||||||||||||
![]() | 46DN06B02ELEMPRXPSA1 | 287.0875 | ![]() | 2442 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 夹紧 | DO-200AA,A-PUK | 46DN06 | 标准 | BG-D-Elem-1 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 980 MV @ 6000 A | 40 ma @ 600 V | 180°C (最大) | 7740a | - | |||||||||||||||
![]() | 65DN06B02ELEMPRXPSA1 | 616.8400 | ![]() | 1809年 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | DO-200AB,B-PUK | 65DN06 | 标准 | BG-D-Elem-1 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 890 mv @ 8000 A | 100 ma @ 600 V | 180°C (最大) | 15130a | - | |||||||||||||||
![]() | 38DN06B02ELEMPRXPSA1 | 232.6450 | ![]() | 8747 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | DO-200AA,A-PUK | 38DN06 | 标准 | BG-D-Elem-1 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 960 MV @ 4500 A | 50 ma @ 600 V | 180°C (最大) | 5140a | - | |||||||||||||||
![]() | PX8143JDMG029XTMA1 | - | ![]() | 1713年 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | PX8143JD | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PX8847DDQG004XUMA1 | - | ![]() | 8634 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | PX8847DD | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PX8240HDNG018XTMA1 | - | ![]() | 1527年 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | PX8240HD | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PX8143HDMG008XTMA1 | - | ![]() | 6956 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | PX8143HD | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PX8847HDNG008XTMA1 | - | ![]() | 5006 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | PX8847HD | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PX8746HDNG008XTMA1 | - | ![]() | 8971 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | PX8746HD | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 2266-PX8746HDNG008XTMA1 | 过时的 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PX8560EDSGR2ER1230AXUMA1 | - | ![]() | 5409 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | PX8560ED | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PX8244HDMG008XTMA1 | - | ![]() | 6730 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | PX8244HD | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 过时的 | 1 |
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