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（1803）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	电流 -最大	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电阻 @ if，f	电容比	电容比条件	q @ vr，f
IRD3CH16DD6	-	RFQ	6632	Infineon技术	-	大部分	过时的				IRD3CH16			下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1
D4401N20T	-	RFQ	7598	Infineon技术	-	大部分	积极的				D4401			-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	SP000091246	Ear99	8541.10.0080	1
BAV70WH6327XTSA1	0.0548	RFQ	1456	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	SC-70，SOT-323	BAV70	标准	PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度			1对普通阴极	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	150 na @ 70 V	150°C （最大）
IDD09SG60CXTMA2	3.8742	RFQ	9340	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IDD09SG60	SIC （碳化硅）	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	没有恢复t> 500mA（IO）				600 v		2.1 V @ 9 A	0 ns	80 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	9a	280pf @ 1V，1MHz
BAS 70-02W E6327	-	RFQ	2761	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-80	BAS 70	肖特基	SCD-80	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度				70 v		1 V @ 15 mA	100 ps	100 na @ 50 V	-55°C〜125°C	70mA	2pf @ 0v，1MHz
D1481N68TXPSA1	-	RFQ	7464	Infineon技术	-	托盘	过时的		夹紧	do-200 ac，k-puk	D1481N68	标准	-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	4	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）				6800 v		1.8 V @ 2500 A		50 ma @ 6800 V	-40°C〜160°C	2200a	-
D2450N06TXPSA1	244.1244	RFQ	9833	Infineon技术	-	托盘	积极的		夹紧	DO-200AB，B-PUK	D2450N06	标准	-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	9	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）				600 v		880 mv @ 2000 A		50 ma @ 600 V	-40°C〜180°C	2450a	-
BAS4002LE6327	0.0800	RFQ	15	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SOD-882	BAS40	肖特基	PG-TSLP-2-1	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	15,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度				40 V		1 V @ 40 mA		1 µA @ 30 V	150°C	120mA	3pf @ 0v，1MHz
D650S12TXPSA1	-	RFQ	9144	Infineon技术	-	大部分	过时的		底盘安装	DO-200AB，B-PUK	D650S12	标准	-	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）				1200 v		2.25 V @ 1200 A	5.3 µs	20 ma @ 1200 V	-40°C〜150°C	620a	-
38DN06B02ELEMPRXPSA1	232.6450	RFQ	8747	Infineon技术	-	托盘	积极的		底盘安装	DO-200AA，A-PUK	38DN06	标准	BG-D-Elem-1	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	20	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）				600 v		960 MV @ 4500 A		50 ma @ 600 V	180°C （最大）	5140a	-
D850N40TXPSA1	-	RFQ	3433	Infineon技术	-	大部分	过时的		夹紧	DO-200AB，B-PUK	D850N	标准	-	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）				4000 v		1.28 V @ 850 A		50 ma @ 4000 V	-40°C〜160°C	850a	-
BAS40-60B5000	-	RFQ	1118	Infineon技术	*	大部分	积极的				BAS40			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	10,000
IDH10G65C5ZXKSA1	-	RFQ	8806	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产		通过洞	TO-220-2	IDH10G65	SIC （碳化硅）	pg-to220-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500	没有恢复t> 500mA（IO）				650 v		1.7 V @ 10 A	0 ns	180 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	10a	300pf @ 1V，1MHz
BB689H7902XTSA1	-	RFQ	6833	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-80	BB689		SCD-80	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000												2.9pf @ 28V，1MHz	单身的	30 V		23.2	C1/C28	-
D740N48TXPSA1	464.7833	RFQ	8055	Infineon技术	-	托盘	积极的		底盘安装	DO-200AB，B-PUK	D740N48	标准	-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	6	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）				4800 v		1.45 V @ 700 A		70 MA @ 4800 V	-40°C〜160°C	750a	-
D1821SH45TS05XOSA1	-	RFQ	4105	Infineon技术	-	大部分	过时的		底盘安装	DO-200，变体	D1821SH45	标准	BG-D10026K-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001303724	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）				4500 v					-	1710a	-
IRD3CH82DD6	-	RFQ	3199	Infineon技术	-	大部分	过时的				IRD3CH82			下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1
DD540N22KHPSA2	308.5000	RFQ	2768	Infineon技术	-	托盘	积极的		底盘安装	模块	DD540N22	标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）			1对系列连接	2200 v	540a	1.48 V @ 1700 A		40 mA @ 2200 V	-40°C〜150°C
IDH16G65C5XKSA1	-	RFQ	8089	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产		通过洞	TO-220-2	IDH16	SIC （碳化硅）	PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500	没有恢复t> 500mA（IO）				650 v		1.7 V @ 16 A	0 ns	550 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	16a	470pf @ 1V，1MHz
BAS-70-02WE6327	-	RFQ	3446	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SC-80		肖特基	PG-SCD80-2	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度				70 v		1 V @ 15 mA	100 ps	100 na @ 50 V	150°C	70mA	1.5pf @ 0v，1MHz
DD435N36KHPSA1	621.8600	RFQ	3484	Infineon技术	-	托盘	积极的		底盘安装	模块	DD435N36	标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）			1对系列连接	3600 v	573a	1.71 V @ 1200 A		50 ma @ 3600 V	-40°C〜150°C
BAR 88-02LRH E6433	-	RFQ	3184	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	150°C（TJ）		SOD-882	酒吧88		PG-TSLP-2-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	50,000		100 ma	250兆									0.4pf @ 1V，1MHz	PIN-单	80V	600MOHM @ 10mA，100MHz
TZ800N18KS05HPSA1	-	RFQ	9055	Infineon技术	-	托盘	过时的		底盘安装	模块	TZ800N			-		不适用	到达不受影响	SP001692500	过时的	0000.00.0000	1
38DN68S02ELEMXPSA1	-	RFQ	1283	Infineon技术	-	大部分	过时的		-	-	38DN68	-	-	-		（1 （无限）	到达不受影响	SP000362158	过时的	0000.00.0000	1	-									-	-	-
BBY5303WE6327HTSA1	0.4500	RFQ	2	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323	BBY5303		pg-sod323-3d	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000												3.1pf @ 3V，1MHz	单身的	6 V		2.6	C1/C3	-
IDP18E120XKSA1	2.8300	RFQ	435	Infineon技术	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-2	IDP18E120	标准	PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）				1200 v		2.15 V @ 18 A	195 ns	100 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	31a	-
BAS 52-02V E6327	-	RFQ	5560	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-79，SOD-523	BAS 52	肖特基	PG-SC79-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）				45 v		600 mv @ 200 ma		10 µA @ 45 V	150°C （最大）	750mA	10pf @ 10V，1MHz
IDC05S60CEX1SA1	-	RFQ	8571	Infineon技术	COOLSIC™+	大部分	过时的		表面安装	死	IDC05S60	SIC （碳化硅）	死	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000599924	Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）				600 v		1.7 V @ 5 A	0 ns	70 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	5a	240pf @ 1V，1MHz
SIDC14D60F6X1SA1	-	RFQ	9251	Infineon技术	-	大部分	过时的		表面安装	死	SIDC14D60	标准	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）				600 v		1.6 V @ 45 A		27 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	45a	-
AIDW20S65C5XKSA1	5.5332	RFQ	6411	Infineon技术	汽车，AEC-Q100/101，Coolsic™	管子	上次购买		通过洞	TO-247-3	AIDW20	SIC （碳化硅）	pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	没有恢复t> 500mA（IO）				650 v		1.7 V @ 20 A	0 ns	120 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	20a	584pf @ 1V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1803）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²