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（1803）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	速度	电流 -最大	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电阻 @ if，f	电容比	电容比条件	q @ vr，f
BAS116E6327	-	RFQ	1619年	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		标准	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）				80 V		1.25 V @ 150 mA	1.5 µs	5 na @ 75 V	150°C （最大）	250mA	2pf @ 0v，1MHz
BAR6302WH6327	-	RFQ	9185	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-80			SCD-80	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1		100 ma	250兆									0.3pf @ 5V，1MHz	PIN-单	50V	1 OHM @ 10mA，100MHz
BAS40-05WH6327	0.0900	RFQ	169	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	BAS40	肖特基	PG-SOT323-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度			1对普通阴极	40 V	120mA（DC）	1 V @ 40 mA		1 µA @ 30 V	150°C
BAS40B5000	0.0300	RFQ	90	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS40	肖特基	PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	10,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度				40 V		1 V @ 40 mA		1 µA @ 30 V	150°C	120mA	3pf @ 0v，1MHz
BAR 63-06W H6327	-	RFQ	6988	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-70，SOT-323			SOT-323	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	3,000		100 ma	250兆									0.3pf @ 5V，1MHz	引脚-1对公共阳极	50V	1 OHM @ 10mA，100MHz
DDB6U104N18RR	70.6300	RFQ	150	Infineon技术	-	大部分	积极的		底盘安装	模块		标准	模块	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1	-			3独立	1800 v	-				-
DD800S17HA_B2	493.0700	RFQ	18	Infineon技术	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1
DD600S16K4NOSA1	669.0400	RFQ	14	Infineon技术	-	大部分	积极的		底盘安装	模块		标准	-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）			2独立	600 v	600A（DC）	2.8 V @ 600 A		4 ma @ 1600 V	150°C
BAV74E6327	0.0200	RFQ	4900	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAV74	标准	TO-236AB	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			1对普通阴极	50 V	215ma（dc）	1 V @ 100 ma	4 ns	100 na @ 50 V	150°C （最大）
BAT64-04B5000	0.0300	RFQ	97	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAT64	肖特基	PG-SOT23-3-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	10,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度			1对系列连接	40 V	120mA	750 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 30 V	150°C
BAV99UE6327	-	RFQ	3035	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SC-74，SOT-457	BAV99	标准	PG-SC74-6	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度			2对系列连接	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	150 na @ 70 V	150°C （最大）
BAW56E6433	0.0200	RFQ	110	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAW56	标准	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	10,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度			1对公共阳极	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	150 na @ 70 V	150°C （最大）
SDT05S60XK	2.3700	RFQ	700	Infineon技术	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2		SIC （碳化硅）	pg-to220-2	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）				600 v		1.7 V @ 5 A	0 ns	200 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	5a	170pf @ 1V，1MHz
D629N44TPR	117.0200	RFQ	34	Infineon技术	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		0000.00.0000	1
IDT04S60C	1.5200	RFQ	414	Infineon技术	-	大部分	积极的							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1
BAT64-04WE6327	1.0000	RFQ	2015	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	BAT64	肖特基	SOT-323	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度			1对系列连接	40 V	120mA	750 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 30 V	150°C
IDP09E120XKSA1	0.7700	RFQ	5	Infineon技术	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2		标准	pg-to220-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）				1200 v		2.15 V @ 9 A	140 ns	100 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	23a	-
BA892E6770	0.0400	RFQ	5195	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-80			PG-SCD80-2	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	6,000		100 ma										1.1pf @ 3V，1MHz	标准 -单个	35V	500MOHM @ 10mA，100MHz
BB640	1.0000	RFQ	8265	Infineon技术	-	大部分	积极的							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	3,000
BAS16B5003	0.0200	RFQ	1	Infineon技术	BAS16	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS16	标准	PG-SOT23-3-11	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）				80 V		1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µA @ 75 V	150°C	250mA	2pf @ 0v，1MHz
IDW40E65D1	1.0000	RFQ	2240	Infineon技术	-	大部分	积极的		通过洞	TO-247-3		标准	PG-TO247-3-1	下载					0000.00.0000	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）				650 v		1.7 V @ 40 A	129 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	80a	-
BBY51-03W	1.0000	RFQ	4860	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C	表面安装	SC-76，SOD-323			PG-SOD323-2	下载				Ear99	8541.10.0070	1												3.7pf @ 4V，1MHz	单身的	7 V		2.2	C1/C4	-
BAR63-03WE6327	0.0500	RFQ	3192	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-76，SOD-323			PG-SOD323-2	下载				Ear99	8541.10.0070	5,176		100 ma	250兆									0.3pf @ 5V，1MHz	PIN-单	50V	-
IDW40G65C5B	-	RFQ	1531年	Infineon技术	-	大部分	积极的		通过洞	TO-247-3		SIC （碳化硅）	pg-to247-3-41	下载				Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）			1对普通阴极	650 v	20A（DC）	1.7 V @ 20 A	0 ns	210 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C
BB837E6327	0.1200	RFQ	59	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323			PG-SOD323-2	下载				Ear99	8541.10.0070	1												0.52pf @ 28V，1MHz	单身的	30 V		12.7	C1/C28	-
BAS40E6433	0.0700	RFQ	10	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS40	肖特基	SOT-23-3	下载				Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度				40 V		1 V @ 40 mA	100 ps	1 µA @ 30 V	-55°C〜150°C	120mA	5pf @ 0v，1MHz
BAS40-02LE6327	-	RFQ	8926	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SOD-882	BAS40	肖特基	PG-TSLP-2-1	下载				Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度				40 V		1 V @ 40 mA		1 µA @ 30 V	150°C	120mA	3pf @ 0v，1MHz
BAS70-07E6327	-	RFQ	1363	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BAS70	肖特基	PG-SOT143-4	下载				Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度			2独立	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 mA	100 ps	100 na @ 50 V	150°C
IDW15E65D2	1.2000	RFQ	19	Infineon技术	COOLSIC™+	大部分	积极的		通过洞	TO-247-3		标准	PG-TO247-3-1	下载				Ear99	8542.39.0001	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）				650 v		2.3 V @ 15 A	47 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	30a	-
BAS40-07E6327	0.1100	RFQ	760	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BAS40	肖特基	SOT143（SC-61）	下载				Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度			2独立	40 V	120mA（DC）	1 V @ 40 mA		1 µA @ 30 V	150°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1803）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²