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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电容比 | 电容比条件 | q @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAT64-04B5000 | 0.0300 | ![]() | 97 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAT64 | 肖特基 | PG-SOT23-3-3 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 40 V | 120mA | 750 mv @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 30 V | 150°C | ||||||||||
![]() | D1461S45TXPSA1 | 3.0000 | ![]() | 5902 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | DO-200,变体 | D1461S45 | 标准 | BG-D10026K-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 ma @ 4500 V | -40°C〜140°C | 1720a | - | |||||||||||||
![]() | DD340N18SHPSA1 | - | ![]() | 6190 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | BG-PB50SB-1 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1800 v | 330a | 1 ma @ 1800 V | -40°C〜135°C | ||||||||||||||
![]() | IRD3CH42DF6 | - | ![]() | 6322 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | IRD3CH42 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001539684 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BAS70-04B5000 | 0.0300 | ![]() | 99 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS70 | 肖特基 | PG-SOT23-3-3 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 70 v | 70mA(dc) | 1 V @ 15 mA | 100 na @ 50 V | 150°C | |||||||||||
![]() | D2700U45X122XOSA1 | 1.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | do-200ae | D2700U45 | 标准 | BG-D12026K-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 4500 v | 150 ma @ 4500 V | 140°C (最大) | 2900a | - | ||||||||||||
![]() | IDC51D120T6MX1SA3 | - | ![]() | 7807 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 死 | IDC51D120 | 标准 | 锯箔 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000375000 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1200 v | 2.05 V @ 100 A | 18 µA @ 1200 V | -40°C〜175°C | 100a | - | ||||||||||
![]() | BAS28E6327HTSA1 | 0.4900 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | TO-253-4,TO-253AA | BAS28 | 标准 | PG-SOT-143-3D | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 2独立 | 80 V | 200ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 100 na @ 75 V | 150°C (最大) | ||||||||||
![]() | SIDC30D120E6X1SA2 | - | ![]() | 9705 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | 表面安装 | 死 | sidc30d | 标准 | 锯箔 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1200 v | 1.9 V @ 35 A | 27 µA @ 1200 V | -55°C〜150°C | 35a | - | |||||||||||
![]() | BAT165 | - | ![]() | 1062 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 肖特基 | PG-SOD323-2 | - | 0000.00.0000 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 740 mv @ 750 mA | 150°C (最大) | 750mA | 12pf @ 10V,1MHz | |||||||||||||||||
![]() | DD435N40KHPSA1 | 563.8400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DD435N40 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 4000 v | 573a | 1.71 V @ 1200 A | 50 ma @ 4000 V | -40°C〜150°C | |||||||||||
![]() | BB659CH7912XTSA1 | - | ![]() | 2633 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-80 | BB659 | SCD-80 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 2.75pf @ 28V,1MHz | 单身的 | 30 V | 15.3 | C1/C28 | - | |||||||||||||
![]() | D8320N02TVFXPSA1 | - | ![]() | 1170 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | do-200AD | D8320N02 | 标准 | - | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 795 MV @ 4000 A | 100 ma @ 200 V | -25°C〜150°C | 8320a | - | ||||||||||||
![]() | BAS12504WH6327XTSA1 | 0.7700 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BAS12504 | 肖特基 | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 25 v | 100mA(dc) | 950 MV @ 35 mA | 150 na @ 25 V | 150°C (最大) | |||||||||||
![]() | IDT06S60C | - | ![]() | 2374 | 0.00000000 | Infineon技术 | ThinQ!™ | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | PG-TO220-2-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 600 v | 1.7 V @ 6 A | 0 ns | 80 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 6A(DC) | 280pf @ 1V,1MHz | |||||||||||
![]() | BB565 | 0.0500 | ![]() | 4656 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 大部分 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BB565 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BAS16UE6327HTSA1 | 0.1129 | ![]() | 6965 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | SC-74,SOT-457 | BAS16 | 标准 | PG-SC74-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 3独立 | 80 V | 200ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µA @ 75 V | 150°C (最大) | ||||||||||
![]() | IDL02G65C5XUMA2 | 1.8700 | ![]() | 5308 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 4-POWERTSFN | IDL02G65 | SIC (碳化硅) | PG-VSON-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 2 A | 0 ns | 35 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 2a | 70pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | SIDC06D60F6X1SA3 | - | ![]() | 8368 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 死 | SIDC06D60 | 标准 | 锯箔 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.6 V @ 15 A | 27 µA @ 600 V | -40°C〜150°C | 15a | - | |||||||||||
![]() | DD242S10KHPSA1 | - | ![]() | 1174 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | 模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1000 v | 261a | 1.55 V @ 800 A | 200 ma @ 1000 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | DD700N22KHPSA3 | 405.3200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DD700N22 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 2200 v | 700a | 1.36 V @ 2200 A | 40 mA @ 2200 V | -40°C〜150°C | |||||||||||
![]() | SIGC156T120R2CSYX1SA1 | - | ![]() | 6642 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | SIGC156T | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IDD08G65C6XTMA1 | 4.1400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 10-powersop模块 | IDD08 | SIC (碳化硅) | PG-HDSOP-10-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,700 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 0 ns | 27 µA @ 420 V | -55°C 〜175°C | 24a | 401pf @ 1V,1MHz | |||||||||||
![]() | IDL06G65C5XUMA1 | - | ![]() | 9276 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | 4-POWERTSFN | IDL06G65 | SIC (碳化硅) | PG-VSON-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000941310 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 6 A | 0 ns | 110 µA @ 650 V | -55°C〜150°C | 6a | 190pf @ 1V,1MHz | |||||||||
![]() | IDD15E60BUMA1 | - | ![]() | 6467 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IDD15E60 | 标准 | pg-to252-3 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000065684 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2 V @ 15 A | 87 ns | 50 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 29.2a | |||||||||||
![]() | IDP15E60XKSA1 | 1.2031 | ![]() | 7436 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 上次购买 | 通过洞 | TO-220-2 | IDP15 | 标准 | PG-TO220-2-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2 V @ 15 A | 87 ns | 50 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 29.2a | - | ||||||||||
![]() | CWM60FN | 1.0000 | ![]() | 8163 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS40-04B5000 | 1.0000 | ![]() | 6554 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS40 | 肖特基 | PG-SOT23 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 40 V | 120mA(DC) | 1 V @ 40 mA | 1 µA @ 30 V | 150°C | |||||||||||
![]() | IDP23E60 | - | ![]() | 9456 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | IDP23E | 标准 | PG-TO220-2-2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2 V @ 23 A | 120 ns | 50 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 41a | - | |||||||||||
![]() | D950N22TB01XPSA1 | - | ![]() | 6062 | 0.00000000 | Infineon技术 | D950N | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | DO-200AA,APUK | 标准 | - | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2200 v | 1.12 V @ 650 A | 40 mA @ 2200 V | 180°C | 1024a | - |
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