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（1803）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	电流 -最大	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电阻 @ if，f	电容比	电容比条件	q @ vr，f
BAV70E6433HTMA1	0.3300	RFQ	47	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAV70	标准	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度			1对普通阴极	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	150 na @ 70 V	150°C （最大）
BAV99SE6327BTSA1	-	RFQ	9901	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BAV99	标准	PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度			2对系列连接	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	150 na @ 70 V	150°C （最大）
BB804SF2E6327	0.0400	RFQ	72	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1												47.5pf @ 2V，1MHz	1对普通阴极	18 V		1.71	C2/C8	200 @ 2V，100MHz
BAS4006WE6327	0.0300	RFQ	36	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	BAS40	肖特基	SOT-323	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度			1对公共阳极	40 V	120mA（DC）	1 V @ 40 mA	100 ps	1 µA @ 30 V	150°C （最大）
IDW40G65C5B	-	RFQ	1531年	Infineon技术	-	大部分	积极的		通过洞	TO-247-3		SIC （碳化硅）	pg-to247-3-41	下载					Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）			1对普通阴极	650 v	20A（DC）	1.7 V @ 20 A	0 ns	210 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C
BB857H7902XTSA1	-	RFQ	2845	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-80	BB857		SCD-80	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000												0.52pf @ 28V，1MHz	单身的	30 V		12.7	C1/C28	-
BAR 63-06W H6327	-	RFQ	6988	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-70，SOT-323			SOT-323	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	3,000		100 ma	250兆									0.3pf @ 5V，1MHz	引脚-1对公共阳极	50V	1 OHM @ 10mA，100MHz
BAR6402EEL6327XTMA1	0.4100	RFQ	24	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）		0402（（1006公制）	BAR6402		PG-TSLP-2-19	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	15,000		100 ma	250兆									0.35pf @ 20V，1MHz	PIN-单	150V	1.35OHM @ 100mA，100MHz
IDW40G120C5BFKSA1	24.3200	RFQ	863	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	IDW40G120	SIC （碳化硅）	pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			1对普通阴极	1200 v	55A（DC）	1.65 V @ 20 A		166 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C
IDH10SG60CXKSA1	-	RFQ	6781	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产		通过洞	TO-220-2	IDH10SG60	SIC （碳化硅）	PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500	没有恢复t> 500mA（IO）				600 v		2.1 V @ 10 A	0 ns	90 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	10a	290pf @ 1V，1MHz
SIDC14D60C8X1SA1	-	RFQ	8653	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	死	SIDC14D60	标准	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）				600 v		1.9 V @ 50 A		27 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	50a	-
BAS28	0.0300	RFQ	7642	Infineon技术	*	大部分	积极的				BAS28			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BAS28	Ear99	8541.10.0070	3,000
IDW15E65D2	1.2000	RFQ	19	Infineon技术	COOLSIC™+	大部分	积极的		通过洞	TO-247-3		标准	PG-TO247-3-1	下载					Ear99	8542.39.0001	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）				650 v		2.3 V @ 15 A	47 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	30a	-
D740N36TXPSA1	-	RFQ	6829	Infineon技术	-	大部分	过时的		底盘安装	DO-200AB，B-PUK	D740N36	标准	-	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）				3600 v		1.45 V @ 700 A		70 ma @ 3600 V	-40°C〜160°C	750a	-
MMBD914LT1	1.0000	RFQ	4045	Infineon技术	-	大部分	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		标准	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度				100 v		1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V		200mA	4pf @ 0v，1MHz
SIDC14D60F6X7SA1	-	RFQ	2055	Infineon技术	-	大部分	过时的		表面安装	死	SIDC14D60	标准	死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）				600 v		1.6 V @ 45 A		27 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	45a	-
ND175N34KHPSA1	-	RFQ	9954	Infineon技术	-	托盘	过时的				ND175N			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		3
D6001N50TXPSA1	3.0000	RFQ	8428	Infineon技术	-	托盘	积极的		底盘安装	do-200ae	D6001N50	标准	-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）				5000 v		1.3 V @ 6000 A		400 MA @ 5000 V	-40°C〜160°C	8010a	-
BAS70-06E6327	-	RFQ	8731	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS70	肖特基	PG-SOT23	下载					Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度			1对公共阳极	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 ma	100 ps	100 na @ 50 V	150°C
BAT64-05B5000	-	RFQ	3305	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAT64	肖特基	PG-SOT23-3-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	10,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度			1对普通阴极	40 V	120mA	750 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 30 V	150°C
IDB12E120ATMA1	-	RFQ	6344	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IDB12	标准	pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）				1200 v		2.15 V @ 12 A	150 ns	100 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	28a	-
BAS5202VH6327XTSA1	0.4100	RFQ	660	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-79，SOD-523	BAS5202	肖特基	PG-SC79-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）				45 v		600 mv @ 200 ma		10 µA @ 45 V	150°C （最大）	750mA	10pf @ 10V，1MHz
BAV99UE6327	-	RFQ	3035	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SC-74，SOT-457	BAV99	标准	PG-SC74-6	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度			2对系列连接	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	150 na @ 70 V	150°C （最大）
DD171N12KAHPSA2	191.5900	RFQ	2078	Infineon技术	DD171N	托盘	积极的		底盘安装	模块	DD171N12	标准	-	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	8	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）			1对系列连接	1200 v	171a	1.26 V @ 500 A		20 ma @ 1200 V	150°C
BAS40-02LE6327	-	RFQ	8926	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SOD-882	BAS40	肖特基	PG-TSLP-2-1	下载					Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度				40 V		1 V @ 40 mA		1 µA @ 30 V	150°C	120mA	3pf @ 0v，1MHz
IDL02G65C5XUMA1	-	RFQ	5590	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	4-POWERTSFN	IDL02G65	SIC （碳化硅）	PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	没有恢复t> 500mA（IO）				650 v		1.7 V @ 2 A	0 ns	35 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	2a	70pf @ 1V，1MHz
BAS40E6433	0.0700	RFQ	10	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS40	肖特基	SOT-23-3	下载					Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度				40 V		1 V @ 40 mA	100 ps	1 µA @ 30 V	-55°C〜150°C	120mA	5pf @ 0v，1MHz
IDB23E60ATMA1	-	RFQ	3073	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IDB23	标准	pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）				600 v		2 V @ 23 A	120 ns	50 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	41a	-
IDH03G65C5XKSA2	2.1100	RFQ	460	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	不适合新设计		通过洞	TO-220-2	IDH03G65	SIC （碳化硅）	pg-to220-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	没有恢复t> 500mA（IO）				650 v		1.7 V @ 3 A	0 ns	50 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	3a	100pf @ 1V，1MHz
D1821SH45TS05XOSA1	-	RFQ	4105	Infineon技术	-	大部分	过时的		底盘安装	DO-200，变体	D1821SH45	标准	BG-D10026K-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001303724	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）				4500 v					-	1710a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1803）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²