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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 电流 -最大 | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电阻 @ if,f | 电容比 | 电容比条件 | q @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAT1707E6327 | - | ![]() | 2036 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDV03S60CXKSA1 | - | ![]() | 4936 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | IDV03S60 | SIC (碳化硅) | pg-to220-2完整包 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 600 v | 1.9 V @ 3 A | 0 ns | 30 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 3a | 90pf @ 1V,1MHz | ||||||||||||||
![]() | BBY5302LE6327XTMA1 | - | ![]() | 3399 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | SOD-882 | BBY53 | PG-TSLP-2-1 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 3.1pf @ 3V,1MHz | 单身的 | 6 V | 2.6 | C1/C3 | - | ||||||||||||||||
![]() | BBY 51-02W E6327 | - | ![]() | 9875 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | SC-80 | BBY 51 | SCD-80 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 3.7pf @ 4V,1MHz | 单身的 | 7 V | 2.2 | C1/C4 | - | ||||||||||||||||
![]() | BBY 56-02W E6127 | - | ![]() | 8952 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-80 | BBY 56 | SCD-80 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 12.1pf @ 4V,1MHz | 单身的 | 10 v | 3.3 | C1/C3 | - | |||||||||||||||
![]() | BBY 51 E6433 | - | ![]() | 7504 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BBY 51 | PG-SOT23 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 3.7pf @ 4V,1MHz | 1对普通阴极 | 7 V | 2.2 | C1/C4 | - | ||||||||||||||||
![]() | BAR6303WE6327HTSA1 | 0.4500 | ![]() | 143 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | SC-76,SOD-323 | BAR6303 | pg-sod323-3d | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 100 ma | 250兆 | 0.3pf @ 5V,1MHz | PIN-单 | 50V | 1 OHM @ 10mA,100MHz | ||||||||||||||||
![]() | BAV70E6433HTMA1 | 0.3300 | ![]() | 47 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAV70 | 标准 | PG-SOT23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 80 V | 200ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 150 na @ 70 V | 150°C (最大) | |||||||||||||
![]() | BAV99SE6327BTSA1 | - | ![]() | 9901 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 | BAV99 | 标准 | PG-SOT363-PO | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 2对系列连接 | 80 V | 200ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 150 na @ 70 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||
![]() | BB804SF2E6327 | 0.0400 | ![]() | 72 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | PG-SOT23 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 47.5pf @ 2V,1MHz | 1对普通阴极 | 18 V | 1.71 | C2/C8 | 200 @ 2V,100MHz | ||||||||||||||||
![]() | BAS4006WE6327 | 0.0300 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BAS40 | 肖特基 | SOT-323 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 40 V | 120mA(DC) | 1 V @ 40 mA | 100 ps | 1 µA @ 30 V | 150°C (最大) | |||||||||||||
![]() | IDW40G65C5B | - | ![]() | 1531年 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | pg-to247-3-41 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 650 v | 20A(DC) | 1.7 V @ 20 A | 0 ns | 210 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | |||||||||||||||||
![]() | BB857H7902XTSA1 | - | ![]() | 2845 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-80 | BB857 | SCD-80 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 0.52pf @ 28V,1MHz | 单身的 | 30 V | 12.7 | C1/C28 | - | ||||||||||||||||
![]() | BAR 63-06W H6327 | - | ![]() | 6988 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | SC-70,SOT-323 | SOT-323 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 100 ma | 250兆 | 0.3pf @ 5V,1MHz | 引脚-1对公共阳极 | 50V | 1 OHM @ 10mA,100MHz | |||||||||||||||||
![]() | BAR6402EEL6327XTMA1 | 0.4100 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 0402((1006公制) | BAR6402 | PG-TSLP-2-19 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 100 ma | 250兆 | 0.35pf @ 20V,1MHz | PIN-单 | 150V | 1.35OHM @ 100mA,100MHz | ||||||||||||||||
![]() | 38DN06B02ELEMPRXPSA1 | 232.6450 | ![]() | 8747 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | DO-200AA,A-PUK | 38DN06 | 标准 | BG-D-Elem-1 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 960 MV @ 4500 A | 50 ma @ 600 V | 180°C (最大) | 5140a | - | |||||||||||||||
![]() | BAR8802LRHE6327XTSA1 | - | ![]() | 5130 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | SOD-882 | BAR88 | PG-TSLP-2-7 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 100 ma | 250兆 | 0.4pf @ 1V,1MHz | PIN-单 | 80V | 600MOHM @ 10mA,100MHz | |||||||||||||||||
![]() | IDH09SG60CXKSA2 | 4.0156 | ![]() | 8861 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 上次购买 | 通过洞 | TO-220-2 | IDH09SG60 | SIC (碳化硅) | pg-to220-2-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 600 v | 2.1 V @ 9 A | 0 ns | 80 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 9a | 280pf @ 1V,1MHz | |||||||||||||
![]() | glhuelse1627xpsa1 | 2.1400 | ![]() | 9752 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | - | - | Glhuelse1627 | - | - | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||
![]() | IDH03SG60CXKSA1 | - | ![]() | 9127 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-2 | IDH03SG60 | SIC (碳化硅) | PG-TO220-2-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 600 v | 2.3 V @ 3 A | 0 ns | 15 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 3a | 60pf @ 1V,1MHz | |||||||||||||
![]() | IRD3CH16DD6 | - | ![]() | 6632 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | IRD3CH16 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDW40E65D1FKSA1 | 3.1200 | ![]() | 190 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | IDW40E65 | 标准 | PG-TO247-3-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 650 v | 1.7 V @ 40 A | 129 ns | 40 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | 80a | - | |||||||||||||
![]() | BAS28E6433HTMA1 | 0.1041 | ![]() | 5718 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | TO-253-4,TO-253AA | BAS28 | 标准 | PG-SOT-143-3D | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 2独立 | 80 V | 200ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 100 na @ 75 V | 150°C (最大) | |||||||||||||
![]() | DD540N22KHPSA2 | 308.5000 | ![]() | 2768 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DD540N22 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 2200 v | 540a | 1.48 V @ 1700 A | 40 mA @ 2200 V | -40°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | IDP09E120XKSA1 | 0.7700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | 标准 | pg-to220-2-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1200 v | 2.15 V @ 9 A | 140 ns | 100 µA @ 1200 V | -55°C〜150°C | 23a | - | ||||||||||||||
![]() | IDW20G65C5XKSA1 | 9.0900 | ![]() | 162 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | IDW20G65 | SIC (碳化硅) | pg-to247-3-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 20 A | 0 ns | 210 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 20a | 590pf @ 1V,1MHz | |||||||||||||
![]() | SMBD914E6327HTSA1 | 0.4000 | ![]() | 64 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SMBD914 | 标准 | PG-SOT23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 100 na @ 75 V | 150°C (最大) | 250mA | 2pf @ 0v,1MHz | |||||||||||||
![]() | IRD3CH101DF6 | - | ![]() | 7203 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | IRD3CH101 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001539704 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IDC73D120T6MX1SA2 | - | ![]() | 8525 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | 表面安装 | 死 | IDC73D120 | 标准 | 锯箔 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000374980 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1200 v | 2.05 V @ 150 A | 26 µA @ 1200 V | -40°C〜175°C | 150a | - | |||||||||||||
![]() | SDT04S60 | - | ![]() | 7268 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | SDT04S | SIC (碳化硅) | PG-TO220-2-2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 600 v | 1.9 V @ 4 A | 0 ns | 200 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 4a | 150pf @ 0v,1MHz |
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