SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 电流 -最大 ((() 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 电阻 @ if,f 电容比 电容比条件 q @ vr,f
BAT1707E6327 Infineon Technologies BAT1707E6327 -
RFQ
ECAD 2036 0.00000000 Infineon技术 * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000
IDV03S60CXKSA1 Infineon Technologies IDV03S60CXKSA1 -
RFQ
ECAD 4936 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 管子 过时的 通过洞 TO-220-2完整包 IDV03S60 SIC (碳化硅) pg-to220-2完整包 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 500 没有恢复t> 500mA(IO) 600 v 1.9 V @ 3 A 0 ns 30 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 3a 90pf @ 1V,1MHz
BBY5302LE6327XTMA1 Infineon Technologies BBY5302LE6327XTMA1 -
RFQ
ECAD 3399 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜125°C(TJ) 表面安装 SOD-882 BBY53 PG-TSLP-2-1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 15,000 3.1pf @ 3V,1MHz 单身的 6 V 2.6 C1/C3 -
BBY 51-02W E6327 Infineon Technologies BBY 51-02W E6327 -
RFQ
ECAD 9875 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜125°C(TJ) 表面安装 SC-80 BBY 51 SCD-80 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 3.7pf @ 4V,1MHz 单身的 7 V 2.2 C1/C4 -
BBY 56-02W E6127 Infineon Technologies BBY 56-02W E6127 -
RFQ
ECAD 8952 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-80 BBY 56 SCD-80 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 8,000 12.1pf @ 4V,1MHz 单身的 10 v 3.3 C1/C3 -
BBY 51 E6433 Infineon Technologies BBY 51 E6433 -
RFQ
ECAD 7504 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜125°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BBY 51 PG-SOT23 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 3.7pf @ 4V,1MHz 1对普通阴极 7 V 2.2 C1/C4 -
BAR6303WE6327HTSA1 Infineon Technologies BAR6303WE6327HTSA1 0.4500
RFQ
ECAD 143 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) SC-76,SOD-323 BAR6303 pg-sod323-3d 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 100 ma 250兆 0.3pf @ 5V,1MHz PIN-单 50V 1 OHM @ 10mA,100MHz
BAV70E6433HTMA1 Infineon Technologies BAV70E6433HTMA1 0.3300
RFQ
ECAD 47 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAV70 标准 PG-SOT23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对普通阴极 80 V 200ma(dc) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 150 na @ 70 V 150°C (最大)
BAV99SE6327BTSA1 Infineon Technologies BAV99SE6327BTSA1 -
RFQ
ECAD 9901 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 BAV99 标准 PG-SOT363-PO 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 2对系列连接 80 V 200ma(dc) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 150 na @ 70 V 150°C (最大)
BB804SF2E6327 Infineon Technologies BB804SF2E6327 0.0400
RFQ
ECAD 72 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PG-SOT23 下载 不适用 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 47.5pf @ 2V,1MHz 1对普通阴极 18 V 1.71 C2/C8 200 @ 2V,100MHz
BAS4006WE6327 Infineon Technologies BAS4006WE6327 0.0300
RFQ
ECAD 36 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 表面安装 SC-70,SOT-323 BAS40 肖特基 SOT-323 下载 不适用 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对公共阳极 40 V 120mA(DC) 1 V @ 40 mA 100 ps 1 µA @ 30 V 150°C (最大)
IDW40G65C5B Infineon Technologies IDW40G65C5B -
RFQ
ECAD 1531年 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 通过洞 TO-247-3 SIC (碳化硅) pg-to247-3-41 下载 Ear99 8541.10.0080 1 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 650 v 20A(DC) 1.7 V @ 20 A 0 ns 210 µA @ 650 V -55°C 〜175°C
BB857H7902XTSA1 Infineon Technologies BB857H7902XTSA1 -
RFQ
ECAD 2845 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-80 BB857 SCD-80 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 0.52pf @ 28V,1MHz 单身的 30 V 12.7 C1/C28 -
BAR 63-06W H6327 Infineon Technologies BAR 63-06W H6327 -
RFQ
ECAD 6988 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 150°C(TJ) SC-70,SOT-323 SOT-323 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0070 3,000 100 ma 250兆 0.3pf @ 5V,1MHz 引脚-1对公共阳极 50V 1 OHM @ 10mA,100MHz
BAR6402ELE6327XTMA1 Infineon Technologies BAR6402EEL6327XTMA1 0.4100
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 0402((1006公制) BAR6402 PG-TSLP-2-19 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 15,000 100 ma 250兆 0.35pf @ 20V,1MHz PIN-单 150V 1.35OHM @ 100mA,100MHz
38DN06B02ELEMPRXPSA1 Infineon Technologies 38DN06B02ELEMPRXPSA1 232.6450
RFQ
ECAD 8747 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 底盘安装 DO-200AA,A-PUK 38DN06 标准 BG-D-Elem-1 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 960 MV @ 4500 A 50 ma @ 600 V 180°C (最大) 5140a -
BAR8802LRHE6327XTSA1 Infineon Technologies BAR8802LRHE6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 5130 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) SOD-882 BAR88 PG-TSLP-2-7 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 15,000 100 ma 250兆 0.4pf @ 1V,1MHz PIN-单 80V 600MOHM @ 10mA,100MHz
IDH09SG60CXKSA2 Infineon Technologies IDH09SG60CXKSA2 4.0156
RFQ
ECAD 8861 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 管子 上次购买 通过洞 TO-220-2 IDH09SG60 SIC (碳化硅) pg-to220-2-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 500 没有恢复t> 500mA(IO) 600 v 2.1 V @ 9 A 0 ns 80 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 9a 280pf @ 1V,1MHz
GLHUELSE1627XPSA1 Infineon Technologies glhuelse1627xpsa1 2.1400
RFQ
ECAD 9752 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 - - Glhuelse1627 - - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 0000.00.0000 1 - - - -
IDH03SG60CXKSA1 Infineon Technologies IDH03SG60CXKSA1 -
RFQ
ECAD 9127 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-2 IDH03SG60 SIC (碳化硅) PG-TO220-2-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 500 没有恢复t> 500mA(IO) 600 v 2.3 V @ 3 A 0 ns 15 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 3a 60pf @ 1V,1MHz
IRD3CH16DD6 Infineon Technologies IRD3CH16DD6 -
RFQ
ECAD 6632 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 IRD3CH16 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1
IDW40E65D1FKSA1 Infineon Technologies IDW40E65D1FKSA1 3.1200
RFQ
ECAD 190 0.00000000 Infineon技术 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 IDW40E65 标准 PG-TO247-3-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 650 v 1.7 V @ 40 A 129 ns 40 µA @ 650 V -40°C〜175°C 80a -
BAS28E6433HTMA1 Infineon Technologies BAS28E6433HTMA1 0.1041
RFQ
ECAD 5718 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 表面安装 TO-253-4,TO-253AA BAS28 标准 PG-SOT-143-3D 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 2独立 80 V 200ma(dc) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 100 na @ 75 V 150°C (最大)
DD540N22KHPSA2 Infineon Technologies DD540N22KHPSA2 308.5000
RFQ
ECAD 2768 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 底盘安装 模块 DD540N22 标准 模块 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 2200 v 540a 1.48 V @ 1700 A 40 mA @ 2200 V -40°C〜150°C
IDP09E120XKSA1 Infineon Technologies IDP09E120XKSA1 0.7700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 通过洞 TO-220-2 标准 pg-to220-2-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 2.15 V @ 9 A 140 ns 100 µA @ 1200 V -55°C〜150°C 23a -
IDW20G65C5XKSA1 Infineon Technologies IDW20G65C5XKSA1 9.0900
RFQ
ECAD 162 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 IDW20G65 SIC (碳化硅) pg-to247-3-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 20 A 0 ns 210 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 20a 590pf @ 1V,1MHz
SMBD914E6327HTSA1 Infineon Technologies SMBD914E6327HTSA1 0.4000
RFQ
ECAD 64 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SMBD914 标准 PG-SOT23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 100 na @ 75 V 150°C (最大) 250mA 2pf @ 0v,1MHz
IRD3CH101DF6 Infineon Technologies IRD3CH101DF6 -
RFQ
ECAD 7203 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 IRD3CH101 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001539704 Ear99 8541.10.0080 1
IDC73D120T6MX1SA2 Infineon Technologies IDC73D120T6MX1SA2 -
RFQ
ECAD 8525 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 在sic中停产 表面安装 IDC73D120 标准 锯箔 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 SP000374980 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1200 v 2.05 V @ 150 A 26 µA @ 1200 V -40°C〜175°C 150a -
SDT04S60 Infineon Technologies SDT04S60 -
RFQ
ECAD 7268 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 SDT04S SIC (碳化硅) PG-TO220-2-2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 500 没有恢复t> 500mA(IO) 600 v 1.9 V @ 4 A 0 ns 200 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 4a 150pf @ 0v,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库