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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Murt10005 | - | ![]() | 8545 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 标准 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | murt10005gn | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 50 V | 50a | 1.3 V @ 50 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | 150K40A | 35.5695 | ![]() | 6651 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 150K40 | 标准 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 150K40AGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.33 V @ 150 A | 35 ma @ 400 V | -40°C 200°C | 150a | - | ||||
![]() | 1N4590 | 35.5695 | ![]() | 3928 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 1N4590 | 标准 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1N4590GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.5 V @ 150 A | 9 ma @ 400 V | -60°C 〜200°C | 150a | - | ||||
![]() | MBRT30045L | - | ![]() | 9877 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 150a | 600 MV @ 150 A | 3 ma @ 45 V | -55°C〜150°C | |||||||
![]() | 1N1189 | 7.4730 | ![]() | 1109 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N1189 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1N1189GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.2 V @ 35 A | 10 µA @ 50 V | -65°C 〜190°C | 35a | - | ||||
![]() | MUR5020R | 17.8380 | ![]() | 2942 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | MUR5020 | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR5020RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1 V @ 50 A | 75 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 50a | - | |||
![]() | S85K | 11.8980 | ![]() | 9079 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | S85KGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.1 V @ 85 A | 10 µA @ 100 V | -65°C〜180°C | 85a | - | |||||
![]() | Murh7005 | - | ![]() | 3695 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | D-67 | 标准 | D-67 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1 V @ 70 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 70a | - | |||||
![]() | 1N3211R | 7.0650 | ![]() | 3529 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N3211R | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1N3211RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 300 v | 1.5 V @ 15 A | 10 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 15a | - | ||||
![]() | MBR300100CT | 94.5030 | ![]() | 1755年 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR300100 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR300100CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 150a | 840 mv @ 150 A | 8 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MBR2X050A120 | 43.6545 | ![]() | 1366 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | MBR2X050 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 120 v | 50a | 880 mv @ 50 A | 3 ma @ 120 V | -40°C〜150°C | |||||
![]() | 1N1183 | 7.4730 | ![]() | 9741 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N1183 | 标准 | do-203ab | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1N1183GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 50 V | 1.2 V @ 35 A | 10 µA @ 50 V | -65°C 〜190°C | 35a | - | ||||
![]() | MBRT50035 | - | ![]() | 2985 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBRT50035GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 35 v | 250a | 750 MV @ 250 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | MBRTA60035L | - | ![]() | 3977 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 35 v | 300A | 600 MV @ 300 A | 3 ma @ 35 V | -55°C〜150°C | |||||||
![]() | MBR80100 | 21.1680 | ![]() | 9276 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 肖特基 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR80100GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 840 mv @ 80 A | 1 mA @ 100 V | -55°C〜150°C | 80a | - | |||||
![]() | MBRF50080R | - | ![]() | 5612 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 80 V | 250a | 840 mv @ 250 A | 1 mA @ 80 V | -55°C〜150°C | |||||||
![]() | MUR30040CTR | 118.4160 | ![]() | 2621 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MUR30040 | 标准 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR30040CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 400 v | 150a | 1.5 V @ 100 A | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | Murh10060 | 49.5120 | ![]() | 7589 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | D-67 | 标准 | D-67 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | murh10060gn | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.7 V @ 100 A | 110 ns | 25 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 100a | - | ||||
![]() | MBR8040 | 21.1680 | ![]() | 9240 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 肖特基 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBR8040GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 750 MV @ 80 A | 1 mA @ 35 V | -55°C〜150°C | 80a | - | |||||
![]() | MSRTA30080A | 56.2380 | ![]() | 1863年 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MSRTA300 | 标准 | 三个塔 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 800 v | 300A(DC) | 1.2 V @ 300 A | 25 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | MBRTA40020RL | - | ![]() | 9430 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 20 v | 200a | 580 mv @ 200 a | 3 ma @ 30 V | -55°C〜150°C | |||||||
![]() | MBRF30040R | - | ![]() | 6150 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | MBRF3004 | 肖特基 | TO-244AB | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 40 V | 150a | 700 MV @ 150 A | 1 mA @ 40 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | MBRF600100 | - | ![]() | 2584 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 250a | 840 mv @ 250 A | 1 mA @ 100 V | -55°C〜150°C | |||||||
![]() | MBRT60020RL | - | ![]() | 2670 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 20 v | 300A | 580 mv @ 300 A | 3 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||||
![]() | MBRTA60020RL | - | ![]() | 7830 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 20 v | 300A | 580 mv @ 300 A | 3 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||||
![]() | MSRT20060AD | 80.4872 | ![]() | 7515 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MSRT200 | 标准 | 三个塔 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 600 v | 200a | 1.1 V @ 200 A | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | |||||
MBR3560R | 18.5700 | ![]() | 71 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | MBR3560 | 肖特基,反极性 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 750 MV @ 35 A | 1.5 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | 35a | - | ||||||
![]() | MBRT60045RL | - | ![]() | 6544 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 45 v | 300A | 600 MV @ 300 A | 5 ma @ 45 V | -55°C〜150°C | |||||||
![]() | MBR2X050A150 | 43.6545 | ![]() | 4549 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | MBR2X050 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 150 v | 50a | 880 mv @ 50 A | 3 ma @ 150 V | -40°C〜150°C | |||||
![]() | MBR2X060A045 | 52.2000 | ![]() | 1523年 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | MBR2X060 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1300 | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 45 v | 120a | 700 mv @ 60 a | 1 mA @ 45 V | -40°C〜150°C |
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