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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MSRT100120D | 87.1935 | ![]() | 5976 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 微软RT100 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-MSRT100120D | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 1200伏 | 100A | 1.1V@100A | 10μA@1200V | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | MBRF30035R | - | ![]() | 7433 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | MBRF3003 | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 35V | 150A | 700毫伏@150安 | 1毫安@35伏 | -55℃~150℃ | |||||||||
![]() | GBU10M | 1.6300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、GBU | GBU10 | 标准 | GBU | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | GBU10MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@10A | 1000V时为5μA | 10A | 单相 | 1kV | ||||||||
![]() | MBR60045CTRL | - | ![]() | 5064 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 双塔 | 肖特基 | 双塔 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 45V | 300A | 600 毫伏 @ 300 安 | 5毫安@45伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||
![]() | S12K | 4.2345 | ![]() | 2809 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S12KGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.1V@12A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 12A | - | ||||||||
![]() | 1N1187 | 7.4730 | ![]() | 5062 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N1187 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N1187GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 300伏 | 1.2V@35A | 50V时为10μA | -65℃~190℃ | 35A | - | |||||||
KBPC3506T | 2.4720 | ![]() | 1836年 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 质检终端 | 4方,KBPC-T | KBPC3506 | 标准 | KBPC | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@17.5A | 5μA@600V | 35A | 单相 | 600伏 | ||||||||||
![]() | 国标J6B | 0.6645 | ![]() | 9226 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP,GBJ | 国标6 | 标准 | GBJ | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-GBJ6B | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05V@3A | 100V时为5μA | 6A | 单相 | 100伏 | |||||||||
![]() | MSRT100100D | 87.1935 | ![]() | 4135 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 微软RT100 | 标准 | 三塔 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-MSRT100100D | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 1000伏 | 100A | 1.1V@100A | 10μA@1000V | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | MSRT150140AD | 71.6012 | ![]() | 9567 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MSRT150 | 标准 | 三塔 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 1400伏 | 150A | 1.1V@150A | 10μA@1400V | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | 1N3212 | 7.0650 | ![]() | 5672 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N3212 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N3212GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1.5V@15A | 50V时为10μA | -65℃~175℃ | 15A | - | |||||||
![]() | MSRT100160AD | 54.0272 | ![]() | 2247 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | 微软RT100 | 标准 | 三塔 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 1600伏 | 100A | 1.1V@100A | 10μA@1600V | -55℃~150℃ | ||||||||
![]() | MBR7580 | 20.8845 | ![]() | 8966 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 肖特基 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | MBR7580GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 80V | 840毫伏@75安 | 1毫安@80伏 | -55℃~150℃ | 75A | - | ||||||||
![]() | MBRF600200R | - | ![]() | 1013 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 200V | 300A | 920毫伏@300安 | 1毫安@200伏 | -55℃~150℃ | ||||||||||
![]() | KBL606G | 0.5805 | ![]() | 8943 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、KBL | KBL606 | 标准 | 韩国广播公司 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | KBL606GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@6A | 5μA@600V | 6A | 单相 | 600伏 | ||||||||
GB50SLT12-247 | - | ![]() | 9433 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-247-2 | GB50SLT12 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@50A | 0纳秒 | 1毫安@1200伏 | -55℃~175℃ | 50A | 2940pF@1V、1MHz | ||||||||
![]() | 国标6J | 0.6645 | ![]() | 4675 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP,GBJ | 国标6 | 标准 | GBJ | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1242-GBJ6J | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05V@3A | 5μA@600V | 6A | 单相 | 600伏 | |||||||||
![]() | GKR26/16 | - | ![]() | 9036 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | DO-4 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1600伏 | 1.55V@60A | 4毫安@1600伏 | -40℃~180℃ | 25A | - | ||||||||||
![]() | GBPC2502T | 2.5335 | ![]() | 3149 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 质检终端 | 4方,GBPC | GBPC2502 | 标准 | GBPC | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1V@12.5A | 5μA@200V | 25A | 单相 | 200V | |||||||||
![]() | MBR2X100A180 | 55.4800 | ![]() | 5262 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | MBR2X100 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1242-1303 | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 180伏 | 100A | 920毫伏@100安 | 3毫安@180伏 | -40℃~150℃ | |||||||
![]() | GKN130/08 | 35.0777 | ![]() | 6934 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | GKN130 | 标准 | DO-205AA (DO-8) | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.5V@60A | 22毫安@800伏 | -40℃~180℃ | 165A | - | ||||||||
![]() | S85GR | 11.8980 | ![]() | 7575 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | S85G | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S85GRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1.1V@85A | 10μA@100V | -65℃~180℃ | 85A | - | |||||||
![]() | FR6AR05 | 8.5020 | ![]() | 9169 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准,反脊柱 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR6AR05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1.4V@6A | 500纳秒 | 50V时为25μA | -65℃~150℃ | 16A | - | |||||||
![]() | GBU6A | 0.5385 | ![]() | 6749 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4-SIP、GBU | GBU6 | 标准 | GBU | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | GBU6AGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1V@6A | 5μA@50V | 6A | 单相 | 50V | ||||||||
![]() | 1N5829 | 14.0145 | ![]() | 1994年 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N5829 | 肖特基 | DO-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N5829GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 20V | 580毫伏@25安 | 2毫安@20伏 | -55℃~150℃ | 25A | - | |||||||
S40B | 10.3200 | ![]() | 88 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 柱螺安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | DO-203AB (DO-5) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 100伏 | 1.1V@40A | 10μA@100V | -65℃~190℃ | 40A | - | ||||||||||
![]() | S40Y | 8.4675 | ![]() | 8792 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | S40YGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1600伏 | 1.1V@40A | 10μA@100V | -65℃~160℃ | 40A | - | ||||||||
1N8024-GA | - | ![]() | 8416 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-257-3 | 1N8024 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-257 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.74V@750mA | 0纳秒 | 10μA@1200V | -55℃~250℃ | 750毫安 | 66pF@1V、1MHz | ||||||||
![]() | GBPC5004W | 4.0155 | ![]() | 6179 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 4方,GBPC-W | GBPC5004 | 标准 | GBPC-W | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.2V@25A | 5μA@400V | 50A | 单相 | 400V | |||||||||
![]() | MSRTA30080AD | 113.5544 | ![]() | 3891 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 三塔 | MSRTA300 | 标准 | 三塔 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1对中央 | 800V | 300A | 1.1V@300A | 800V时为20μA | -55℃~150℃ |
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