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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 电流 -io(io) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2W02M | - | ![]() | 4033 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4圆,妇女 | 标准 | 口碑营销 | 下载 | (1 (无限) | 2W02MGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1 V @ 2 A | 10 µA @ 200 V | 2 a | 单相 | 200 v | ||||
![]() | 2W10m | - | ![]() | 4910 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4圆,妇女 | 标准 | 口碑营销 | 下载 | (1 (无限) | 2W10MGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1.1 V @ 2 A | 10 µA @ 1000 V | 2 a | 单相 | 1 kV | ||||
![]() | BR61 | 0.7425 | ![]() | 4886 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,BR-6 | 标准 | BR-6 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | br61gn | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 V @ 3 A | 10 µA @ 100 V | 6 a | 单相 | 100 v | |||
![]() | BR610 | 0.7425 | ![]() | 5194 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,BR-6 | 标准 | BR-6 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | BR610GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 V @ 3 A | 10 µA @ 1000 V | 6 a | 单相 | 1 kV | |||
BR62 | 1.8200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,BR-6 | 标准 | BR-6 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 V @ 3 A | 10 µA @ 200 V | 6 a | 单相 | 200 v | |||||
BR84 | 0.8910 | ![]() | 1683年 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,BR-8 | 标准 | BR-8 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | BR84GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 400 V | 8 a | 单相 | 400 v | ||||
![]() | DB107G | 0.1980 | ![]() | 5022 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-Edip(0.321英寸,8.15mm) | DB107 | 标准 | DB | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | DB107GGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 1000 V | 1 a | 单相 | 1 kV | ||
GBL06 | 0.4230 | ![]() | 1043 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,gbl | 标准 | GBL | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 4 A | 5 µA @ 600 V | 4 a | 单相 | 600 v | |||||
![]() | GBL08 | 0.4230 | ![]() | 2016 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,gbl | 标准 | GBL | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | GBL08GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1 V @ 2 A | 10 µA @ 800 V | 4 a | 单相 | 800 v | |||
![]() | GBPC1502T | 2.4180 | ![]() | 1510 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC | GBPC1502 | 标准 | GBPC | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 200 V | 15 a | 单相 | 200 v | |||
![]() | GBPC2502T | 2.5335 | ![]() | 3149 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC | GBPC2502 | 标准 | GBPC | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 200 V | 25 a | 单相 | 200 v | |||
![]() | GBPC2504T | 4.2000 | ![]() | 100 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC | GBPC2504 | 标准 | GBPC | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 400 V | 25 a | 单相 | 400 v | |||
GBPC3504T | 4.6200 | ![]() | 467 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC-T | GBPC3504 | 标准 | GBPC-T | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 400 V | 35 a | 单相 | 400 v | ||||
![]() | GBPC50005T | 4.0155 | ![]() | 5604 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC | GBPC50005 | 标准 | GBPC | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.2 V @ 25 A | 5 µA @ 50 V | 50 a | 单相 | 50 V | |||
![]() | GBU10J | 1.6300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU10 | 标准 | gbu | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | gbu10jgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 5 A | 5 µA @ 600 V | 10 a | 单相 | 600 v | ||
![]() | GBU10M | 1.6300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU10 | 标准 | gbu | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | GBU10MGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 10 A | 5 µA @ 1000 V | 10 a | 单相 | 1 kV | ||
gbu4a | 1.4500 | ![]() | 348 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU4 | 标准 | gbu | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 4 A | 5 µA @ 50 V | 4 a | 单相 | 50 V | ||||
![]() | gbu6g | 0.5385 | ![]() | 5221 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU6 | 标准 | gbu | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | gbu6ggn | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 400 V | 6 a | 单相 | 400 v | ||
![]() | gbu6k | 0.4488 | ![]() | 5969 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU6 | 标准 | gbu | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | gbu6kgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 800 V | 6 a | 单相 | 800 v | ||
![]() | GBU6M | 0.5385 | ![]() | 9765 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU6 | 标准 | gbu | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | GBU6MGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 1000 V | 6 a | 单相 | 1 kV | ||
![]() | KBJ404G | 0.5160 | ![]() | 1782年 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBJ | KBJ404 | 标准 | KBJ | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | KBJ404GGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.1 V @ 4 A | 5 µA @ 400 V | 4 a | 单相 | 400 v | ||
![]() | KBL606G | 0.5805 | ![]() | 8943 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBL | KBL606 | 标准 | KBL | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | KBL606GGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 600 V | 6 a | 单相 | 600 v | ||
![]() | KBP202 | 0.3750 | ![]() | 2207 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBP | 标准 | KBP | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | KBP202GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 1.1 V @ 2 A | 10 µA @ 100 V | 2 a | 单相 | 100 v | |||
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KBPC35005T | 2.4720 | ![]() | 5619 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,KBPC-T | KBPC35005 | 标准 | KBPC | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 50 V | 35 a | 单相 | 50 V | ||||
KBPC5008T | 2.5875 | ![]() | 1362 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,KBPC-T | KBPC5008 | 标准 | KBPC | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 25 A | 5 µA @ 800 V | 50 a | 单相 | 800 v | ||||
![]() | kbpm308g | - | ![]() | 2416 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbpm | 标准 | kbpm | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | kbpm308ggn | Ear99 | 8541.10.0080 | 900 | 1.1 V @ 3 A | 5 µA @ 50 V | 3 a | 单相 | 800 v | |||
![]() | KBU10005 | 0.8205 | ![]() | 5287 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbu | 标准 | KBU | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | KBU10005GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1.05 V @ 10 A | 10 µA @ 50 V | 10 a | 单相 | 50 V | |||
kbu8a | - | ![]() | 3434 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbu | 标准 | KBU | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 300 | 1 V @ 8 A | 10 µA @ 50 V | 8 a | 单相 | 50 V | ||||||
![]() | kbu8d | 0.7425 | ![]() | 6103 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbu | KBU8 | 标准 | KBU | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | kbu8dgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 V @ 8 A | 10 µA @ 200 V | 8 a | 单相 | 200 v |
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